原板上所用變壓器，只在外面增加一個屏蔽層。測試可以通過不過余量很小只有1dB。顯然來能保障批量生產(chǎn)可能造成的不確定性。根據(jù)以上的情況做了第二次修改，將變壓器更新成前面提到過的改變了繞線方式的變壓器。用頻譜分析儀重新查看了一產(chǎn)品的變壓器的位置和MOS管的位置。發(fā)現(xiàn)MOS管的位置曲線不是有點高，并且成有規(guī)律的波形。用頻譜分別對MOS管的G、D、S三個腳接觸看一下是哪個腳是輻射源，發(fā)現(xiàn)D極的輻射源大。于是我在D極上串了一個通用的插件磁珠。較小面積環(huán)路中通過的磁通量也少，感應(yīng)出的電流也較小，因此環(huán)路面積必須小。江蘇多媒體EMI分析整改實驗
在信號處理中，濾波器的使用是常見的信號處理方式之一。那么什么樣的濾波器才能滿足工程師的設(shè)計要求呢？下面為大家介紹的信號端口濾波器件將是明智的選擇。特點：l封裝小，能有效節(jié)省電路板空間；l能有效壓制共模噪聲；l差模截止頻率＞3.5GHz；l對高速差動傳輸線信號幾乎沒有影響；l滿足HDMI的TRD標(biāo)準(zhǔn)；端口類型；模擬信號輸出端口（外部連接線，音頻等）；數(shù)字信號輸出端口（內(nèi)部連接口/連接線，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信號類型一般為差分形式。成都新能源汽車EMI分析整改元器件在開關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會用一點點電路。
20-30MHZ，（整改建議）1、對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。
電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f電子設(shè)備都會產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾，就像傳染病般地透過電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動系統(tǒng)的一個主要問題。在許多國家，尤其在歐洲，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。特點：l封裝小，能有效節(jié)省電路板空間；l能有效壓制共模噪聲；l差模截止頻率＞3.5GHz；l對高速差動傳輸線信號幾乎沒有影響；l滿足HDMI的TRD標(biāo)準(zhǔn)；端口類型；模擬信號輸出端口（外部連接線，音頻等）；數(shù)字信號輸出端口（內(nèi)部連接口/連接線，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信號類型一般為差分形式。遮罩是好的解決EMI問題的有效方法。
在開關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會用一點點電路，加一點成本，重量，減一點點效率即可達到，理想的是一個方框或旁路掉干擾噪聲即可，這只對系統(tǒng)地和機框地距離很近時比較有效。對于AC線路，用一個有非常小的雜散電容的耦合電感，兩個安全的經(jīng)認(rèn)證的電容（X電容）放在輸入線路間即可，并在每個線路到地放一個小的Y電容，則可以有效地壓制開關(guān)噪聲，令其達到可以接受的水平。這可以用插入一個對噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道，并將其通過低阻抗通道旁路到地。再一個方法就是在輸入輸出之間放一個濾波器。電磁干擾也是變頻器驅(qū)動系統(tǒng)的一個主要問題。武漢GJB151BEMI分析整改隔離
EMI 分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對于 EMI 解決方案，相關(guān)理論書籍也很多。江蘇多媒體EMI分析整改實驗
整改方案：從傳導(dǎo)的曲線上1MHz前超標(biāo)的情況可以看出差模電容X太小了，所以修改了X電容變成0。22uF。而1-5MHz之間也超標(biāo)，所以增加共模電感到50mH，這項頻率超標(biāo)一般主要是有變壓器的漏感造成的。在變壓器的外面增加了一個屏蔽銅箔，并接入熱地。（同時做了別外一個變壓器，去除原變壓器內(nèi)部的屏蔽層，改變了變壓器的繞線方式，在變壓器的外面做了屏蔽并接入熱地用備用）同時將MOS管和雙向二極管的散熱片也接入熱地。同時將MOS管的D、S兩腳間增加了一個101/1KV的電容，做完以上的整改方案后做了一次測試。江蘇多媒體EMI分析整改實驗