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武漢射頻EMI分析整改元器件

來源: 發(fā)布時間:2021-10-31

對于電磁干擾的分析,可以從電磁能量外泄方面來考慮,如果器件向外泄露的能量越少,我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對于高速的數(shù)字器件來說,產(chǎn)生高頻交流信號時的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個主要原因。我們知道,數(shù)字信號在開關(guān)輸出時產(chǎn)生的頻譜不是單一的,而是融合了很多高次諧波分量,這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時間來決定,信號上升和下降速率越快,即開關(guān)頻率越高,則產(chǎn)生的能量越多。所以,如果器件在很短的時間內(nèi)完成很大的電壓瞬變,將會產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射,這個電磁能量的外泄就會造成電磁干擾問題。EMI 整改:對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量。武漢射頻EMI分析整改元器件

信號端口濾波需要考慮的問題點:l端口傳輸信號不能由于任何原因信號不完整的問題;l普通磁珠,差分濾波器會對差分信號產(chǎn)生衰減,阻抗過大甚至引起差分信號時序錯亂,左右信號不對稱。(共模濾波器可以使差分信號順利通過,而對共模的干擾信號呈較高阻抗);這是我從LVDS信號線上抓的一個頻譜,區(qū)域的尖峰,在頻譜上一直很穩(wěn)定,一般這種信號是時鐘串?dāng)_到信號線上的信號,必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動但是頻域不會變化,這是有用的信號,不能有所破壞。武漢射頻EMI分析整改元器件在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠,這樣電路動態(tài)功率將從近端的電容獲取。

EMI(ElectromagneticInterference)直譯是“電磁干擾”。EMI是指電子產(chǎn)品工作會對周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾,與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。電磁發(fā)射(EMI)的檢驗項目有:連續(xù)干擾電壓(150kHz~30MHz);干擾功率(30MHz~300MHz)諧波電流(2~40次諧波)。EMC(ElectroMagneticCompatibility)直譯是“電磁兼容性”。是指設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中符合要求運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁干擾的能力。到目前為止,經(jīng)過整改的產(chǎn)品涉及的行業(yè)有IT信息類產(chǎn)品、AV音視頻類產(chǎn)品、通訊設(shè)備、汽車電子、家電電器、工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備等。整改過的EMC項目有:CE.RE、RS、CS、ESD、EFT、SURGE等多個項目的EMC問題整改,受到客戶的一致好評。

不同的電源有不同的要求。真正的實際應(yīng)用中還有很多限制的,確實如此,板框?qū)е虏季值南拗疲臻g的限制,EMI線路放不下,比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大,加太大了,燈會閃爍。有時電源不能加Y電容等。EMI整改:1、對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;2、對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來壓制;3、也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。5M以上,以共摸干擾為主,采用壓制共摸的方法(整改建議)對于外殼接地的,在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。開關(guān)晶體管,MOSFET,二極管,變壓器及電感謝是主要的RFI的源泉。

在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號介面等位置增加旁路電容,有助于濾除積體電路的開關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理,電容要靠近接腳擺放。訊號線下方的地要完整,要有完整的參考面。訊號電流經(jīng)過一個低阻抗的路徑返還其驅(qū)動源,能夠有效減小輻射,而且由于地層的遮罩作用,使得電路對外輻射的靈敏度也會降低。如果兩個電路的參考電平不一致,就會產(chǎn)生功能問題,如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂,這個接地雜訊電壓就會導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。信號接收端比較兩個電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。廣州芯片EMI分析整改元器件

接地雜訊電壓就會導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。武漢射頻EMI分析整改元器件

產(chǎn)品EMI問題定位與整改:產(chǎn)品由于測試不能滿足電磁兼容項目標(biāo)準(zhǔn)要求導(dǎo)致不能順利通過認(rèn)證,從而影響產(chǎn)品的上市與銷售。在諸多的電磁兼容測試項目中,不容易解決的是產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射(CE)以及輻射發(fā)射(RE)問題。由于對電磁兼容測試項目原理不清楚,對EMI問題的定位思路、解決對策、以及診斷工具沒有掌握,導(dǎo)致企業(yè)往往花費大量的精力以及昂貴的測試費用,還是不能解決產(chǎn)品的問題。為幫助企業(yè)以及研發(fā)人員解決在實際產(chǎn)品測試與認(rèn)證過程中遇到問題與困惑,培訓(xùn)通過對產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射(CE)以及輻射發(fā)射(RE)的測試原理分析,定位思路分析,各種解決對策講解,同時結(jié)合各類產(chǎn)品實際問題解決案例講解,使得參與培訓(xùn)的工程師可以在較短時間內(nèi)掌握產(chǎn)品傳導(dǎo)發(fā)射以及輻射發(fā)射等EMI問題的解決思路與對策,快速解決產(chǎn)品的問題,同時借助一定輔助EMI診斷工具,降低產(chǎn)品在測試過程中的實驗室定位費用,對企業(yè)縮短產(chǎn)品研發(fā)周期、降低產(chǎn)品研發(fā)與物料成本具有重要意義!武漢射頻EMI分析整改元器件

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