對高頻信號回流的理解不能有一個思維定勢，認為回流必須完全存在于信號走線正下方的參考平面上。事實上，信號回流的途徑是多方面的：參考平面，相鄰的走線，介質(zhì)，甚至空氣都可能成為它選擇的通道，究竟哪個占主要地位歸根結(jié)底看它們和信號走線的耦合程度，耦合強的將為信號提供主要的回流途徑。比如在多層PCB設(shè)計中，參考平面離信號層很近，耦合了絕大部分的電磁場，99%以上的信號能量將集中在近的參考平面回流，由于信號和地回流之間的環(huán)路面積很小，所以產(chǎn)生的EMI也很低。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。山東充電樁EMI分析整改元器件

整改一個二十幾瓦的電源。這個產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒有接入熱地的。（也就是電源初級邊的電解電容的負極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。我就結(jié)合測試的曲線說一下我的整改經(jīng)過吧。先上一個測試不通過的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個電源是一個25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說明一下，此電路用了一個0。1uF的X電容和一個30mH的共模電感。次級輸出加了一個50uH的工字電感。福建儀器儀表EMI分析整改走線布線電磁干擾也是變頻器驅(qū)動系統(tǒng)的一個主要問題。

EMI整改和調(diào)試是工程師在設(shè)計中不可回避的問題：一次性很難通過昂貴的EMI一致性測試；難以捕獲偶發(fā)的EMI突發(fā)信號；需要擁有較長儀器采集時間的實時頻譜分析儀才可能捕獲EMI突發(fā)信號；大多數(shù)頻譜分析儀不是實時頻譜分析儀；EMI調(diào)試中很難找到噪聲來源；截短PCB線路，然后重連，才有可能找到噪聲來源；很難找到導(dǎo)致EMI的模擬信號和/或數(shù)字信號。遇到傳導(dǎo)測試超標(biāo)問題，第一步要做的，通常是定位噪聲分量主要是差模還是共模，通常的測試設(shè)備可以用來區(qū)分差共模分量，但個人覺得太麻煩，并且測試出來的是相對值，并不一定可以具備指導(dǎo)意義。簡單的辦法是，在輸入端口并聯(lián)一個X電容，幾十nF到幾百nF，如果所關(guān)心的頻段測試通過了，就說明噪聲的干擾主要是差模干擾，或者更準確地說，通過壓低差模分量，就一定能夠搞定問題。

說到EMC的整改問題，相信各位接觸過的工程師都會有很刻記憶。本人瀏覽了一些朋友對EMC的認識，有的朋友認為不是自己設(shè)計的電路或自己布的PCB，那別人就對這個電源過EMC沒有更好的方法，還有的一些朋友對電源的IC的功能情有獨鐘，他們可以分析出很多的情況。認為是這個IC的功能影響到了產(chǎn)品的EMC的指標(biāo)。從我做EMC的整改經(jīng)驗來看我不能認同這些朋友的意見。我從事整改好幾年經(jīng)我手整改過的產(chǎn)品有電源，有陸軍標(biāo)的逆變電源，有工業(yè)電源，也有大功率的LED電源，還有音視頻產(chǎn)品，我對這些產(chǎn)品的工和原理只是知道個大概，無論如何也比不上各位工程師，但我一樣可以半這些產(chǎn)品整改符合EMC的要求同時也讓各業(yè)企懣意。訊號線下方的地要完整，要有完整的參考面。

訊號線和接地平面之間存在訊號，輻射可以由訊號走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準，而在時脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時脈轉(zhuǎn)換過程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。EMI是如何發(fā)生的？從技朮上EMI通常由變化的電磁場及把它們導(dǎo)通傳輸。安徽儀器儀表EMI分析整改設(shè)備

EMI 整改：對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來壓制。山東充電樁EMI分析整改元器件

對于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對于高速的數(shù)字器件來說，產(chǎn)生高頻交流信號時的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個主要原因。我們知道，數(shù)字信號在開關(guān)輸出時產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時間來決定，信號上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會產(chǎn)生嚴重的電磁輻射，這個電磁能量的外泄就會造成電磁干擾問題。山東充電樁EMI分析整改元器件