對于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對于高速的數(shù)字器件來說，產(chǎn)生高頻交流信號時的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個主要原因。我們知道，數(shù)字信號在開關(guān)輸出時產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時間來決定，信號上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會產(chǎn)生嚴重的電磁輻射，這個電磁能量的外泄就會造成電磁干擾問題。說到EMC 的整改問題，相信接觸過的工程師都會有很刻記憶。武漢可視化EMI分析整改隔離

在開關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會用一點點電路，加一點成本，重量，減一點點效率即可達到，理想的是一個方框或旁路掉干擾噪聲即可，這只對系統(tǒng)地和機框地距離很近時比較有效。對于AC線路，用一個有非常小的雜散電容的耦合電感，兩個安全的經(jīng)認證的電容（X電容）放在輸入線路間即可，并在每個線路到地放一個小的Y電容，則可以有效地壓制開關(guān)噪聲，令其達到可以接受的水平。這可以用插入一個對噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道，并將其通過低阻抗通道旁路到地。再一個方法就是在輸入輸出之間放一個濾波器。成都GJB151BEMI分析整改儀器插在線路與機架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。

電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象?；蛘f電子設(shè)備都會產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾，就像傳染病般地透過電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動系統(tǒng)的一個主要問題。在許多國家，尤其在歐洲，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴格的限制。

電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會降低某個裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象。或說電子設(shè)備都會產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾，就像傳染病般地透過電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動系統(tǒng)的一個主要問題。在許多國家，尤其在歐洲，對任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴格的限制。特點：l封裝小，能有效節(jié)省電路板空間；l能有效壓制共模噪聲；l差模截止頻率＞3.5GHz；l對高速差動傳輸線信號幾乎沒有影響；l滿足HDMI的TRD標(biāo)準；端口類型；模擬信號輸出端口（外部連接線，音頻等）；數(shù)字信號輸出端口（內(nèi)部連接口/連接線，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信號類型一般為差分形式。EMI是指電子產(chǎn)品工作會對周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。

若是用軍標(biāo)測試，相應(yīng)的會嚴格一些，所以EUT測試超標(biāo)很正常。對電源適配器的EMI和EMC主要影響的幾個因素在于電源適配器的開關(guān)電路,電路板設(shè)計和接地電路以及開關(guān)電路等各個功能電路等方面.消除就是用將干擾源通過熱能的方式損耗掉，這種是制本的方式。切除干擾傳導(dǎo)的途徑就是將干擾向外傳遞的路徑切斷，使其無法向外干擾，也就是我們常做的濾波，屏蔽等方法。c.疏導(dǎo)干擾源這種就是將干擾源引到不是敏感的元器件上如旁路，去藉，接地等方式。不同的電源有不同的要求。真正的實際應(yīng)用中還有很多限制的。山東EMI分析整改接地

EMI 分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對于 EMI 解決方案，相關(guān)理論書籍也很多。武漢可視化EMI分析整改隔離

從我做EMC的整改經(jīng)驗來看我不能認同這些朋友的意見。對于EMI實際測試，整改，有經(jīng)驗都可以拿來大家分享，先不管理論對不對，實際結(jié)果是怎樣就怎樣，繼續(xù)分享我的經(jīng)驗如下：+12V田字體輸出線材上繞CoRe（常用規(guī)格為KN-RN250080），對輻射60MHz-70MHz，有改善.在次級整流管上串磁珠（常用規(guī)格為MD-353015，MD-353012），對輻射45MHz75MHz，120MHz-200MHz均有改善.一次側(cè)地對二次側(cè)地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），此電容好是放在跨主變壓器兩地之間，對輻射30MHz-60MHz，有改善。武漢可視化EMI分析整改隔離