在開(kāi)關(guān)電源中壓制噪聲是非常有商業(yè)技巧的，理想的EMI及RFI會(huì)用一點(diǎn)點(diǎn)電路，加一點(diǎn)成本，重量，減一點(diǎn)點(diǎn)效率即可達(dá)到，理想的是一個(gè)方框或旁路掉干擾噪聲即可，這只對(duì)系統(tǒng)地和機(jī)框地距離很近時(shí)比較有效。對(duì)于AC線路，用一個(gè)有非常小的雜散電容的耦合電感，兩個(gè)安全的經(jīng)認(rèn)證的電容（X電容）放在輸入線路間即可，并在每個(gè)線路到地放一個(gè)小的Y電容，則可以有效地壓制開(kāi)關(guān)噪聲，令其達(dá)到可以接受的水平。這可以用插入一個(gè)對(duì)噪聲為高阻抗的元件放入壓制電路通道，并將其通過(guò)低阻抗通道旁路到地。再一個(gè)方法就是在輸入輸出之間放一個(gè)濾波器。有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場(chǎng)時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線。多媒體EMI分析整改設(shè)備

EMI分為傳導(dǎo)與輻射兩部分，對(duì)于EMI解決方案，相關(guān)理論書(shū)籍也很多，作為一位電源產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工程師，即使你看了很多EMI處理方面的書(shū)籍，但碰到處理EMI問(wèn)題，還是無(wú)從下手，或是不能對(duì)癥下藥，在這兒我們不妨先拋開(kāi)讓人難以理解的理論，針對(duì)我們?cè)谔幚韺?shí)際EMI問(wèn)題的一些經(jīng)驗(yàn)對(duì)策總結(jié)，也歡迎有同樣經(jīng)驗(yàn)的工程師也來(lái)發(fā)表自己的看法，1MHZ以內(nèi)，以差模干擾為主。（整改建議）1、增大X電容量；2、添加差模電感；率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1MHZ-5MHZ，差模共?；旌希捎幂斎攵瞬⒙?lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，（整改建議）。西安集成電路EMI分析整改元器件EMI是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問(wèn)題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。

電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象。或說(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁雜訊干擾，就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。在許多國(guó)家，尤其在歐洲，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。電子產(chǎn)品要通過(guò)電源線傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)和電源線抗擾度試驗(yàn)，必須在電源線上使用干擾濾波器，靜電放電對(duì)設(shè)備電路的影響很大程度上是由于靜電放電電流周圍的高頻電磁場(chǎng)，這些電磁場(chǎng)由于頻率很高，因此很容易被導(dǎo)線所接收，對(duì)電路形成干擾凈，某設(shè)備在做靜電放電試驗(yàn)時(shí)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)在活動(dòng)面板上進(jìn)行放電時(shí)，電路出現(xiàn)故障。經(jīng)檢查，發(fā)現(xiàn)面板后面是一束電纜，面板上的靜電放電電流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)在電纜束上感應(yīng)出了噪聲電流，形成干擾。在電纜的端口處安裝濾波器后，問(wèn)題解決。

在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開(kāi)關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。訊號(hào)線下方的地要完整，要有完整的參考面。訊號(hào)電流經(jīng)過(guò)一個(gè)低阻抗的路徑返還其驅(qū)動(dòng)源，能夠有效減小輻射，而且由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。如果兩個(gè)電路的參考電平不一致，就會(huì)產(chǎn)生功能問(wèn)題，如雜訊容限和邏輯開(kāi)關(guān)門(mén)限電平紊亂，這個(gè)接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。把磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動(dòng)的電流。

分析信號(hào)回流對(duì)EMI的影響，可以看到：信號(hào)和回流外部區(qū)域，由于磁場(chǎng)的極性相反，可以相互抵消，而中間部分是加強(qiáng)的，這也是對(duì)外輻射的主要來(lái)源。很明顯，我們只要縮短信號(hào)和回流之間的距離，就可以更好的抵消的電磁場(chǎng)，同時(shí)也能降低中間加強(qiáng)部分的面積，很大壓制EMI。但如果由于相鄰的參考平面上存在縫隙等非理想因素，這就導(dǎo)致了回流的面積增大，低電感的耦合作用減弱，將會(huì)有更多的回流通過(guò)其它途徑或者直接釋放到空中，這就會(huì)導(dǎo)致EMI的很大增加。由于地層的遮罩作用，使得電路對(duì)外輻射的靈敏度也會(huì)降低。西安集成電路EMI分析整改元器件

電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI。多媒體EMI分析整改設(shè)備

訊號(hào)線和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。多媒體EMI分析整改設(shè)備

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