布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項目設(shè)計溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對整板DRC進行檢查、修改、確認(rèn)、記錄。（3）Stub殘端走線及過孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對在分隔帶上的阻抗線進行調(diào)整。（5）走線串?dāng)_檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對稱層需檢查殘銅率是否對稱并進行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。在PCB設(shè)計中如何繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板？湖北高速PCB設(shè)計銷售電話

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。黃石哪里的PCB設(shè)計布線時鐘驅(qū)動器的布局布線要求。

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因為數(shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開關(guān)狀態(tài)。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對DQ\DM\DQS等信號，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。

關(guān)鍵信號布線（1）射頻信號：優(yōu)先在器件面走線并進行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點接地。（2）中頻、低頻信號：優(yōu)先與器件走在同一面并進行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號不要進入中頻、低頻信號布線區(qū)域。（3）時鐘信號：時鐘走線長度＞500Mil時必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時鐘頻率≥100M時在換層處增加回流地過孔。（4）高速信號：5G以上的高速串行信號需同時在過孔處增加回流地過孔。京曉科技給您帶來PCB設(shè)計布線的技巧。

DDR2模塊相對于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時稱為DDRI），DDRII內(nèi)存可進行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn)，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn)；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點其實不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDRII可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。PCB設(shè)計工藝的規(guī)則和技巧。襄陽常規(guī)PCB設(shè)計規(guī)范

晶體電路布局布線要求有哪些？湖北高速PCB設(shè)計銷售電話

DDR的PCB布局、布線要求4、對于DDR的地址及控制信號，如果掛兩片DDR顆粒時拓?fù)浣ㄗh采用對稱的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長度上的匹配。地址、控制、時鐘線（遠端分支結(jié)構(gòu)）的等長范圍為≤200Mil。5、對于地址、控制信號的參考差分時鐘信號CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時要考慮差分線對內(nèi)的平行布線及等長(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對于控制芯片及DDR芯片，為每個IO2.5V電源管腳配備退耦電容并靠近管腳放置，在允許的情況下多扇出幾個孔，同時芯片配備大的儲能大電容；對于1.25VVTT電源，該電源的質(zhì)量要求非常高，不允許出現(xiàn)較大紋波，1.25V電源輸出要經(jīng)過充分的濾波，整個1.25V的電源通道要保持低阻抗特性，每個上拉至VTT電源的端接電阻為其配備退耦電容。湖北高速PCB設(shè)計銷售電話

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