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廣州全自動(dòng)濕法三頭

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-28

電池濕法設(shè)備Perc工藝,濕法制絨設(shè)備功能是去除切割損傷層和表面臟污2.使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽光的吸收,降低反射率3.增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也響應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢?采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法設(shè)備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu),提升硅片表面潔凈度,降低表面污染,從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離。廣州全自動(dòng)濕法三頭

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光伏電池濕法制絨設(shè)備,與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等深圳高效濕法設(shè)備Perc工藝光伏電池濕法制絨設(shè)備能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃。

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釜川高效六籃濕法制絨清洗設(shè)備在安全性方面,設(shè)備主要結(jié)構(gòu)采用阻燃或不燃材料,確保安全可靠。進(jìn)風(fēng)離子風(fēng)扇和去靜電環(huán)提供雙重保護(hù),加熱部件則采用多重相異方式保護(hù),從而明顯降低了安全風(fēng)險(xiǎn)。大功率工業(yè)熱水機(jī)可以加快配槽速度,通過優(yōu)化程序?qū)崿F(xiàn)能耗平衡。階梯節(jié)水和新型工藝槽換熱進(jìn)水加溫結(jié)構(gòu),有效降低了能耗,從而降低了電池生產(chǎn)成本。釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。

濕法是一種化學(xué)反應(yīng)過程,其中反應(yīng)介質(zhì)通常是液態(tài)。這些液體可以是水、有機(jī)溶劑或酸性/堿性溶液。濕法反應(yīng)通常用于制備化學(xué)品、金屬提取和其他化學(xué)反應(yīng)。在濕法反應(yīng)中,反應(yīng)介質(zhì)的選擇取決于反應(yīng)的性質(zhì)和所需的產(chǎn)物。例如,水是一種常見的反應(yīng)介質(zhì),因?yàn)樗且环N普遍的溶劑,可以溶解許多化學(xué)物質(zhì)。水還可以用作酸堿反應(yīng)的介質(zhì),因?yàn)樗梢宰鳛橘|(zhì)子或氫離子的來源。有機(jī)溶劑也是常見的反應(yīng)介質(zhì),因?yàn)樗鼈兛梢匀芙庠S多有機(jī)化合物。有機(jī)溶劑還可以用于制備有機(jī)化合物,例如醇、酮和醛等。酸性/堿性溶液也是常見的反應(yīng)介質(zhì),因?yàn)樗鼈兛梢杂糜谒釅A反應(yīng)和中和反應(yīng)。例如,硫酸可以用作酸性介質(zhì),用于制備硫酸鹽和其他化學(xué)品。氫氧化鈉可以用作堿性介質(zhì),用于制備氫氧化物和其他化學(xué)品??傊?,反應(yīng)介質(zhì)的選擇取決于反應(yīng)的性質(zhì)和所需的產(chǎn)物。在濕法反應(yīng)中,反應(yīng)介質(zhì)通常是液態(tài),可以是水、有機(jī)溶劑或酸性/堿性溶液。濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí)。

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濕法設(shè)備Topcon工藝,拋清洗設(shè)備,功能是去除背面BSG和拋光處理。閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。拋光槽:上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式,完整的保護(hù)正面的同時(shí),對(duì)背面作拋光處理。烘干槽:采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式,l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好。進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)采用閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng),保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。南京光伏濕法設(shè)備XBC工藝

電池濕法設(shè)備在制造過程中注重工藝流程的優(yōu)化和改進(jìn),不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和性能。廣州全自動(dòng)濕法三頭

電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備,功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢:進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對(duì)太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。廣州全自動(dòng)濕法三頭

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