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晶片濕法設(shè)備報(bào)價(jià)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-27

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗處理,雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除,利用背面PSG保護(hù),在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸,整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu),料臺歸正寬度可調(diào),兼容更多規(guī)格的硅片,并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口;去PSG設(shè)備布局前后通透,給設(shè)備使用者提供了便捷性;上料臺搭配了大流量全新滴液泵;電池濕法設(shè)備具備高度自動化的裝配系統(tǒng),可大幅提高生產(chǎn)效率和質(zhì)量。晶片濕法設(shè)備報(bào)價(jià)

晶片濕法設(shè)備報(bào)價(jià),濕法

光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,從而提升電池的質(zhì)量和效率。鄭州專業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝濕法制絨設(shè)備能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颉?/p>

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光伏電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備,功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢:進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。

電池濕法設(shè)備Perc工藝,濕法制絨設(shè)備功能是去除切割損傷層和表面臟污2.使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率3.增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也響應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢?采用機(jī)械臂慢提方式,設(shè)備滿足干濕分離,匹配高效電池發(fā)展趨勢。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃。電池濕法設(shè)備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu),提升硅片表面潔凈度,降低表面污染,從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)進(jìn)口PLC控制,穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。

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光伏電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備,設(shè)備產(chǎn)能大,穩(wěn)定性好;四川硅片濕法三頭

濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度。晶片濕法設(shè)備報(bào)價(jià)

在選擇電池濕法設(shè)備時(shí),需要考慮以下因素:1.生產(chǎn)規(guī)模:根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模選擇合適的設(shè)備,以滿足生產(chǎn)需求。2.設(shè)備質(zhì)量:選擇質(zhì)量可靠、穩(wěn)定的設(shè)備,以確保生產(chǎn)過程中的安全和穩(wěn)定性。3.設(shè)備價(jià)格:根據(jù)預(yù)算選擇合適的設(shè)備,以確保經(jīng)濟(jì)效益。4.設(shè)備維護(hù)和保養(yǎng):選擇易于維護(hù)和保養(yǎng)的設(shè)備,以確保設(shè)備長期穩(wěn)定運(yùn)行。5.生產(chǎn)工藝:根據(jù)生產(chǎn)工藝選擇合適的設(shè)備,以確保生產(chǎn)過程中的效率和質(zhì)量。6.環(huán)保要求:選擇符合環(huán)保要求的設(shè)備,以確保生產(chǎn)過程中的環(huán)保性。7.廠家信譽(yù)度:選擇信譽(yù)度高、服務(wù)好的廠家,以確保售后服務(wù)質(zhì)量。8.技術(shù)支持:選擇提供技術(shù)支持的廠家,以確保設(shè)備的正常運(yùn)行和維護(hù)。晶片濕法設(shè)備報(bào)價(jià)

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