電池濕法設備Perc工藝，濕濕法刻蝕設備功能是去除背面PSG和拋光處理。設備優(yōu)勢l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，堿拋設備：鏈式去PSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法設備的生產(chǎn)流程環(huán)保節(jié)能，減少對環(huán)境的影響，實現(xiàn)綠色制造和可持續(xù)發(fā)展。四川半導體濕法工藝

光伏電池濕法XBC工藝制絨清洗設備，功能是硅片正面絨面產(chǎn)生，背面區(qū)域打開。優(yōu)勢進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。光伏電池濕法制絨設備，與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。四川半導體濕法工藝濕法刻蝕設備（Perc 工藝）工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能有效將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻。

在選擇電池濕法設備時，需要考慮以下因素：1.生產(chǎn)規(guī)模：根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模選擇合適的設備，以滿足生產(chǎn)需求。2.設備質(zhì)量：選擇質(zhì)量可靠、穩(wěn)定的設備，以確保生產(chǎn)過程中的安全和穩(wěn)定性。3.設備價格：根據(jù)預算選擇合適的設備，以確保經(jīng)濟效益。4.設備維護和保養(yǎng)：選擇易于維護和保養(yǎng)的設備，以確保設備長期穩(wěn)定運行。5.生產(chǎn)工藝：根據(jù)生產(chǎn)工藝選擇合適的設備，以確保生產(chǎn)過程中的效率和質(zhì)量。6.環(huán)保要求：選擇符合環(huán)保要求的設備，以確保生產(chǎn)過程中的環(huán)保性。7.廠家信譽度：選擇信譽度高、服務好的廠家，以確保售后服務質(zhì)量。8.技術支持：選擇提供技術支持的廠家，以確保設備的正常運行和維護。

濕法設備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進而PN結(jié)面積也相應增加。設備優(yōu)勢是進口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進半導體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu)，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。濕法制絨設備（Topcon工藝）采用進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。

電池濕法設備Topcon工藝，拋清洗設備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運動控制系統(tǒng)，保證輸送機構(gòu)運動平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風機+高效過濾器的方式，l鏈式去BSG+槽式堿拋設備，設備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進口PLC控制，穩(wěn)步提升設備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分攪拌均勻，槽內(nèi)控溫精度誤差＜±1℃。濕法刻蝕設備（Perc 工藝）拋光槽：上表面采用水膜保護及輥輪帶液方式，完整的保護正面的同時。無錫新型濕法工廠

濕法制絨設備（Topcon工藝）可配套無金屬化制程設備，提高設備潔凈度。四川半導體濕法工藝

太陽能光伏濕法設備包括濕法制絨設備（Perc 工藝）、制絨設備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設備（Topcon工藝）、濕法制絨設備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設備（XBC工藝）、制絨清洗設備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。四川半導體濕法工藝