光刻是生產(chǎn)半導(dǎo)體元件時(shí)的一個(gè)工業(yè)步驟，該步驟將印在光掩膜上的外形結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基質(zhì)的表面上。光刻與印刷術(shù)中的平版印刷的工藝過(guò)程類似?；|(zhì)一般是硅、砷化鎵晶體的芯片，也可以是其他半導(dǎo)體的芯片。玻璃、藍(lán)寶石或者金屬也可以作為基質(zhì)。 光刻的優(yōu)點(diǎn)在于它可以精確地控制形成的形狀的大小和樣子，此外它可以同時(shí)在整個(gè)芯片表面產(chǎn)生外形輪廓。它**主要得缺點(diǎn)在于它必須在平面上使用，在不平的表面上它的效果不很好，此外它要求極其高的清潔條件。在生產(chǎn)復(fù)雜的集成電路的過(guò)程中一塊芯片可能經(jīng)過(guò)50多次光刻。在生產(chǎn)薄膜晶體管的過(guò)程中所需要的光刻過(guò)程要少得多河北正規(guī)光刻

光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（又名光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。其主要過(guò)程為：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱正性光刻膠，后者稱負(fù)性光刻膠），使掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻膠薄膜上；***利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。 在廣義上，它包括光復(fù)印和刻蝕工藝兩個(gè)主要方面。 天津光刻性價(jià)比高

沉浸式光刻技術(shù)是在傳統(tǒng)的光刻技術(shù)中，其鏡頭與光刻膠之間的介質(zhì)是空氣，而所謂浸入式技術(shù)是將空氣介質(zhì)換成液體。實(shí)際上，浸入式技術(shù)利用光通過(guò)液體介質(zhì)后光源波長(zhǎng)縮短來(lái)提高分辨率，其縮短的倍率即為液體介質(zhì)的折射率。 浸沒(méi)式光刻技術(shù)也稱為浸入式光刻技術(shù)。一般特指193nm浸入式光刻技術(shù)。在浸入式光刻技術(shù)之前，繼436nm、365nm、248nm之后，采用的是193nm干式光刻技術(shù)，但在65 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上遇到了困難，試驗(yàn)了很多技術(shù)但都無(wú)法很好的突破這一難題。 到2002年底浸入式技術(shù)迅速成為光刻技術(shù)中的新寵，而此前業(yè)界并沒(méi)有認(rèn)為浸入式技術(shù)有如此大的功效。此技術(shù)在原來(lái)的193nm干式光刻技術(shù)平臺(tái)之上，因?yàn)榇朔N技術(shù)的原理清晰及配合現(xiàn)有的光刻技術(shù)變動(dòng)不大，獲得了人們的極大贊賞。

準(zhǔn)分子光刻技術(shù)作為當(dāng)前主流的光刻技術(shù)，主要包括：特征尺寸為0．1μm的248　nm　KrF準(zhǔn)分子激光技術(shù)；特征尺寸為90　nm的193　nm　ArF準(zhǔn)分子激光技術(shù)；特征尺寸為65　nm的193　nm　ArF浸沒(méi)式技術(shù)（Immersion，193i）。其中193　nm浸沒(méi)式光刻技術(shù)是所有光刻技術(shù)中**為長(zhǎng)壽且**富有競(jìng)爭(zhēng)力的，也是如何進(jìn)一步發(fā)揮其潛力的研究熱點(diǎn)。傳統(tǒng)光刻技術(shù)光刻膠與曝光鏡頭之間的介質(zhì)是空氣，而浸沒(méi) 式技術(shù)則是將空氣 換成液體介質(zhì)。實(shí)際上，由于液體介質(zhì)的折射率相比空氣介質(zhì)更接近曝光透鏡鏡片材料的折射率，等效地加大了透鏡口徑尺寸與數(shù)值孔徑（NA），同時(shí)可以 ***提高焦深（DOF）和曝光工藝的寬容度（EL），浸沒(méi)式光 刻 技 術(shù) 正 是 利 用 這 個(gè) 原 理 來(lái) 提 高 其 分 辨率。

光刻主要有以下幾個(gè)步驟。 首先是準(zhǔn)備基質(zhì)：在涂布光阻劑之前，硅片一般要進(jìn)行處理，需要經(jīng)過(guò)脫水烘培蒸發(fā)掉硅片表面的水分，并涂上用來(lái)增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物。 涂布光阻劑(photo resist)：將硅片放在一個(gè)平整的金屬托盤(pán)上，托盤(pán)內(nèi)有小孔與真空管相連，硅片就被吸在托盤(pán)上，這樣硅片就可以與托盤(pán)一起旋轉(zhuǎn)。 軟烘干：也稱前烘。過(guò)在較高溫度下進(jìn)行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來(lái)。 光刻：光刻過(guò)程中，光刻膠中的感光劑發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，從而使正膠的感光區(qū)、負(fù)膠的非感光區(qū)能夠溶解于顯影液中。 顯影(development) ：經(jīng)顯影，正膠的感光區(qū)、負(fù)膠的非感光區(qū)溶解于顯影液中， 硬烘干：也稱堅(jiān)膜。顯影后，硅片還要經(jīng)過(guò)一個(gè)高溫處理過(guò)程，主要作用是除去光刻膠中剩余的溶劑，增強(qiáng)光刻膠對(duì)硅片表面的附著力，同時(shí)提高光刻膠在刻蝕和離子注入過(guò)程中的抗蝕性和保護(hù)能力。 去膠：刻蝕或離子注入之后，已經(jīng)不再需要光刻膠作保護(hù)層，可以將其除去，稱為去膠，分為濕法去膠和干法去膠。 在硅芯片上涂光阻劑的甩膠機(jī)此外光阻劑還有“正”、“負(fù)”之分，正光阻劑不感光的部分在顯影后留下，而負(fù)光阻劑感光的部分在顯影后留下。顯影后光阻劑被烘干，然后芯片被放入江蘇官方光刻

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雖然浸入式光刻已受到很大的關(guān)注，但仍面臨巨大挑戰(zhàn)，浸入式光刻的挑戰(zhàn)在于控制由于浸入環(huán)境引起的缺點(diǎn)，包括氣泡和污染;抗蝕劑與流體或面漆的相容性，以及面漆的發(fā)展;抗蝕劑的折射指數(shù)大于1.8;折射指數(shù)大于1.65的流體滿足粘度、吸收和流體循環(huán)要求;折射指數(shù)大于1.65的透鏡材料滿足透鏡設(shè)計(jì)的吸收和雙折射要求。 光蝕刻系統(tǒng)制造的精細(xì)程度取決于很多因素。但是實(shí)現(xiàn)跨越性進(jìn)步的有效方法是降低使用光源的波長(zhǎng)，光刻機(jī)廠商們就是這么做的，他們將晶圓曝光工具從人眼可見(jiàn)的藍(lán)光端開(kāi)始逐漸減小波長(zhǎng)，直到光譜上的紫外線端。河北正規(guī)光刻

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