電解拋光腐蝕后面板上面前面一個為電源總開關(guān)；下排左起前面一個為電源輸入插座；下排左起第二個：插座的開/關(guān)與工作電流輸出同步；下排左起第三、四個和電源的總電源同步。注意事項(xiàng)：開機(jī)前將電壓、電流調(diào)節(jié)電位器逆時針調(diào)到底；空栽或輕負(fù)載時輸出電壓由高處至低端時，動作不宜過快以免失控；面板輸出接線柱不可當(dāng)輸入接線柱使用；對穩(wěn)壓電源進(jìn)行維修時，必須將輸入電壓斷開；輸入電源線的保護(hù)接地端，必須可靠接地，以確保使用安全。電解拋光腐蝕，實(shí)時測量。上海低倍組織熱酸蝕腐蝕性價比高

晶間腐蝕涌入，主要由于晶粒表面和內(nèi)部間化學(xué)成分的差異以及晶界雜質(zhì)或內(nèi)應(yīng)力的存在。晶間腐蝕破壞晶粒間的結(jié)合，降低金屬的機(jī)械強(qiáng)度。而且腐蝕發(fā)生后金屬和合金的表面仍保持一定的金屬光澤，看不出被破壞的跡象，但晶粒間結(jié)合力明顯減弱，力學(xué)性能惡化, 不能經(jīng)受敲擊，所以是一種很危險的腐蝕。通常出現(xiàn)于黃銅、硬鋁合金和一些不銹鋼、鎳基合金中。不銹鋼焊縫的晶間腐蝕是化學(xué)工業(yè)的一個重大問題。不銹鋼在腐蝕介質(zhì)作用下，在晶粒之間產(chǎn)生的一種腐蝕現(xiàn)象稱為晶間腐蝕。海南金屬拋光腐蝕公司晶間腐蝕，腐蝕發(fā)生后，金屬和合金的表面雖然仍保持一定的金屬光澤，看不出被破壞的跡象。

電解拋光腐蝕參考資料

晶間腐蝕，GB/T3246.1-2002 鋁及鋁合金加工制品顯微組織檢驗(yàn)方法，GB/T3246.2-2002 鋁及鋁合金加工制品低倍組織檢驗(yàn)方法，GB/T7998-87 鋁合金晶間腐蝕測定法， GB/T7998-2005 鋁合金晶間腐蝕測定法生產(chǎn)中主要是過燒檢驗(yàn)，特征為：復(fù)熔球、晶界三角、晶界加寬。晶粒度也是很重要的檢驗(yàn)項(xiàng)目，經(jīng)覆膜處理后在偏光下觀察。請查閱GB/T3246-2000 由國家標(biāo)準(zhǔn)的?？梢杂肗aOH溶液80~100g/L,室溫下浸蝕3~30分鐘?？梢钥吹浇M織缺陷。軟合金制品及鑄軋板帶浸蝕檢測晶粒度：42%的HF5ml37%的HC175ml65%~68%的HNO3 25ml適當(dāng)時間立即用水清洗。反復(fù)多次至晶粒清楚為止。低倍加熱腐蝕樣品托盤可完全取出，清洗容易。

晶間腐蝕常用的試驗(yàn)方法：硫酸-硫酸銅-銅屑法。適用于檢驗(yàn)幾乎所有類型的不銹鋼和某些鎳基合金因碳、氮化物析出引起的晶間腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于活化-鈍化區(qū)。試驗(yàn)結(jié)果采用彎曲試樣放大鏡下觀察裂紋或金相法評定。此法腐蝕輕微，試驗(yàn)條件穩(wěn)定，但判定裂紋需有-定經(jīng)驗(yàn)；硝酸法。適用于檢驗(yàn)不銹鋼、鎳基合金等因碳化物、o相析出或溶質(zhì)偏析引起的晶間腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于鈍化-過鈍化區(qū)。試驗(yàn)結(jié)果采用腐蝕率評定。此法試驗(yàn)周期長；硝酸-氫氟酸法。適用于檢驗(yàn)含鉬奧氏體不銹鋼因碳化物析出引起的晶問腐蝕。奧氏體不銹鋼在此溶液中的腐蝕電位處于活化-鈍化區(qū)。此法試驗(yàn)周期短，但腐蝕嚴(yán)重。試驗(yàn)結(jié)果須采用同種材料敏化和固溶試樣的腐蝕率比值評定。低倍加熱腐蝕溫度控制精度：誤差±1℃。上海低倍組織熱酸蝕腐蝕性價比高

電解拋光腐蝕，電信號低紋波，穩(wěn)定性高。上海低倍組織熱酸蝕腐蝕性價比高

低倍組織熱腐蝕，項(xiàng)目介紹：低倍組織檢驗(yàn)是用肉眼或放大適當(dāng)?shù)谋稊?shù)來觀察試樣浸蝕面的宏觀組織缺陷及斷口形貌的一種檢測方法。低倍檢驗(yàn)常用的方法有酸蝕、斷口形貌、硫印、塔形發(fā)紋等，其中酸蝕又包括熱酸腐蝕法、冷酸腐蝕法及電解腐蝕法，如需仲裁是推薦使用熱酸腐蝕法。低倍檢驗(yàn)所需設(shè)備簡單，操作簡便迅速結(jié)果直觀，易于掌握。它是鑒定制品品質(zhì)的一種重要方法，也是研究工藝制造以及對制品進(jìn)行品質(zhì)分析時普遍采用的一種手段。低倍檢驗(yàn)時試樣的粗糙度要保證，不得有油污和加工傷痕；酸洗時的溫度和時間要適宜；清洗時試樣表面的腐蝕產(chǎn)物要刷干凈，并及時吹干；酸洗后需立即評定。上海低倍組織熱酸蝕腐蝕性價比高