降低低頻和高頻范圍內電磁干擾的常規(guī)方法-穩(wěn)壓IC技術專題
當系統共享公共物理觸點時，開關電源中不連續(xù)電流產生的輸入電壓紋波可傳導至其他系統。如果沒有適當的緩解措施，過大的輸入或輸出電壓紋波可能會危及電源、負載或相鄰系統的運行。
傳統上，您可以通過使用基于無源電感電容器（LC）的EMI濾波器來**小化輸入紋波，如圖4所示。LC濾波器提供滿足EMI規(guī)范所需的衰減。
取舍是根據所需衰減對系統的尺寸和成本進行懲罰，這將降低總體功率密度。而且用于輸入EMI濾波器設計的大型電感器由于其較低的自諧振頻率而在大于30 MHz的頻率下失去衰減，因此需要鐵氧體磁珠等附加組件來處理高頻衰減。
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增強型熱棒? QFN公司
增強型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能，并具有更低開關節(jié)點電容的額外優(yōu)勢，從而大降低了振鈴。在具有增強型熱棒QFN的設備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉換器采用增強型熱棒QFN，下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強型HotRod QFN不僅提高了效率，還包括封裝中心有一個大型模具連接墊（DAP）的封裝外形。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過PCB更好地散熱，并將結溫升高降低15%以上。此外，VIN、GND和開關節(jié)點引腳上較低的RLC寄生也會提高效率并降低EMI。正如預期的那樣，這會產生更好的EMI，尤其是在交換機節(jié)點振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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什么是穩(wěn)壓IC的EMI？
在需要電磁兼容性（EMC）的系統中，用作電磁源的組件設計用于減少其干擾，易受干擾的組件設計用于降低其敏感性。當終端設備制造商集成來自不同供應商的組件時，確保干擾源和敏感電路能夠和平共存的***方法是制定一套通用規(guī)則，其中干擾限制在一定水平，敏感電路能夠處理該水平的干擾。
這些規(guī)則是在行業(yè)標準規(guī)范中制定的，如國際擾動無線電委員會（CISPR）25用于汽車行業(yè)，CISPR32用于多媒體設備。CISPR標準對于EMI設計至關重要，因為它們將規(guī)定任何EMI緩解技術的目標性能。本文的重點是減少干擾，因為開關電源通常是電磁干擾源。有關EMI標準的***列表，請參閱白皮書“電源傳導EMI規(guī)范概述”和“電源輻射EMI規(guī)范概述”
集成輸入旁路電容器
如前所述，由于開關節(jié)點振鈴的增加，大輸入功率環(huán)路在高頻段會導致更高的發(fā)射。
在設備封裝內集成高頻輸入去耦電容器有助于將輸入回路寄生降至比較低，從而減少EMI。
該技術用于LMQ62440-Q1降壓轉換器，如下圖20所示。除了減少輸入功率回路電感外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使解決方案更不受終端系統電路板布局變化的影響。
下頁的圖21比較了LMQ62440-Q1的輻射EMI（相同板上的相同條件），包括集成和不集成旁路電容器。結果表明，在**嚴格的電視頻段（200至230 MHz）內，發(fā)射降低了9 dB，這有助于系統保持在行業(yè)標準設定的EMI限值下，而無需在電路板上安裝其他組件。
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真回轉率控制
盡管有上述技術，在一些設計中，高頻EMI（60至250 MHz）可能仍不在規(guī)定的標準限值范圍內。為了通過行業(yè)標準，減輕和提高裕度的一種方法是使用與開關轉換器的啟動電容串聯的電阻器。使用電阻器可以降低開關邊緣轉換率，從而降低EMI，但會帶來效率降低的預期損失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等開關轉換器的設計使得可以使用電阻器來選擇高側FET驅動器在開啟期間的強度。如下頁圖22所示，通過RBOOT引腳（teal虛線環(huán)）的電流被倍增，并從CBOOT（紅色虛線）穿過，以打開高壓側功率MOSFET。通過這樣做，電阻器可以控制轉換速率，但不會遭受串聯啟動電阻器運行大部分電流時發(fā)生的效率損失。當RBOOT對CBOOT短路時，上升時間很快；開關節(jié)點諧波在高于150 MHz之前不會衰減。如果CBOOT和RBOOT通過700Ω保持連接，則在將13.5 V轉換為5 V時，回轉時間將增加到10 ns。此緩慢上升時間可使開關節(jié)點諧波中的能量在大多數情況下在50 MHz附近衰減。
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