功率MOSFET概述：
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個(gè)低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺(tái)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的組合。
NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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集成輸入旁路電容器
如前所述，由于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴的增加，大輸入功率環(huán)路在高頻段會(huì)導(dǎo)致更高的發(fā)射。
在設(shè)備封裝內(nèi)集成高頻輸入去耦電容器有助于將輸入回路寄生降至比較低，從而減少EMI。
該技術(shù)用于LMQ62440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器，如下圖20所示。除了減少輸入功率回路電感外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使解決方案更不受終端系統(tǒng)電路板布局變化的影響。
下頁(yè)的圖21比較了LMQ62440-Q1的輻射EMI（相同板上的相同條件），包括集成和不集成旁路電容器。結(jié)果表明，在**嚴(yán)格的電視頻段（200至230 MHz）內(nèi)，發(fā)射降低了9 dB，這有助于系統(tǒng)保持在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的EMI限值下，而無(wú)需在電路板上安裝其他組件。
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5.線性調(diào)節(jié)器（LDO）-穩(wěn)壓IC概述和選擇指南-
穩(wěn)壓IC概述穩(wěn)壓IC低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）是一種簡(jiǎn)單、有效的調(diào)節(jié)由較高輸入電壓供電的輸出電壓的方法。德州儀器（TI）擁有***的LDO產(chǎn)品組合，其特點(diǎn)是小尺寸封裝、低靜態(tài)電流（低IQ）以擴(kuò)展電池壽命長(zhǎng)，低噪聲LDO具有高電源抑制比（PSRR），低固有噪聲，高輸出電流和快速瞬態(tài)響應(yīng)速度快，高壓LDO適用于惡劣的汽車(chē)環(huán)境。
穩(wěn)壓IC減少解決方案大小：
使用小尺寸、高性能LDO，當(dāng)今電子設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和密度相當(dāng)于有限的PCB空間。為了應(yīng)對(duì)電子設(shè)備越來(lái)越小的趨勢(shì)，穩(wěn)壓IC-LDO必須提供相同的性能，同時(shí)消耗盡可能少的空間。TI提供了許多LDO，可滿足高性能需求和微小的解決方案規(guī)模。
為減少電源中的電磁干擾而進(jìn)行的省時(shí)、經(jīng)濟(jì)高效的創(chuàng)新-IT穩(wěn)壓IC關(guān)鍵技術(shù)
隨著電子系統(tǒng)變得越來(lái)越密集和互連，減少電磁干擾（EMI）的影響成為越來(lái)越重要的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。
1、什么是EMI？
電磁干擾（EMI）是一種電磁能量，是開(kāi)關(guān)電流和電壓產(chǎn)生的不良副產(chǎn)品，它來(lái)自各種物理現(xiàn)象，并在嚴(yán)格的電磁干擾測(cè)試中表現(xiàn)出來(lái)。
2、減少電磁干擾的常規(guī)方法
減少電磁干擾是一項(xiàng)充滿權(quán)衡的努力。減少電磁干擾的傳統(tǒng)方法包括使用大型、昂貴的濾波器或降低開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換率，這是一種直接影響效率的技術(shù)。
3、減少電磁干擾的創(chuàng)新
為了實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的所有優(yōu)點(diǎn)，降低EMI技術(shù)必須解決傳統(tǒng)的權(quán)衡問(wèn)題。這需要針對(duì)低頻和高頻EMI的創(chuàng)造性解決方案，以及精確的建模技術(shù)。
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什么是穩(wěn)壓IC的EMI？
在需要電磁兼容性（EMC）的系統(tǒng)中，用作電磁源的組件設(shè)計(jì)用于減少其干擾，易受干擾的組件設(shè)計(jì)用于降低其敏感性。當(dāng)終端設(shè)備制造商集成來(lái)自不同供應(yīng)商的組件時(shí)，確保干擾源和敏感電路能夠和平共存的***方法是制定一套通用規(guī)則，其中干擾限制在一定水平，敏感電路能夠處理該水平的干擾。
這些規(guī)則是在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中制定的，如國(guó)際擾動(dòng)無(wú)線電委員會(huì)（CISPR）25用于汽車(chē)行業(yè)，CISPR32用于多媒體設(shè)備。CISPR標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于EMI設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈儗⒁?guī)定任何EMI緩解技術(shù)的目標(biāo)性能。本文的重點(diǎn)是減少干擾，因?yàn)殚_(kāi)關(guān)電源通常是電磁干擾源。有關(guān)EMI標(biāo)準(zhǔn)的***列表，請(qǐng)參閱白皮書(shū)“電源傳導(dǎo)EMI規(guī)范概述”和“電源輻射EMI規(guī)范概述”
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穩(wěn)壓IC專(zhuān)題
由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會(huì)導(dǎo)致高頻開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，從而進(jìn)一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。
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下頁(yè)的圖7顯示了切換節(jié)點(diǎn)上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過(guò)在開(kāi)關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動(dòng)路徑中添加有意的電阻來(lái)降低它們的速度。這會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速度變慢，導(dǎo)致更快的發(fā)射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而，這種開(kāi)關(guān)邊緣的減速會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。
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