TI穩(wěn)壓IC的EMI不再是事后諸葛亮，因為它有可能在設(shè)計階段后期造成重大挫折，這將耗費時間和金錢。
開關(guān)電源（SMPS）是現(xiàn)代技術(shù)中**普遍的電路之一，在大多數(shù)應(yīng)用中，它比線性穩(wěn)壓器的效率有了極大的提高。
但這種效率是有代價的，因為開關(guān)電源中的功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的開關(guān)使其
是電磁干擾的主要來源，而電磁干擾反過來又會影響可靠性。EMI主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關(guān)節(jié)點上的快速轉(zhuǎn)換率、，
以及功率環(huán)路中寄生電感引起的沿開關(guān)邊緣的附加振鈴。
下頁的圖1說明了這些元素中的每一個如何使用buck轉(zhuǎn)換器拓撲在不同的頻帶中表現(xiàn)出來。
例如。隨著壓力的增加，增加開關(guān)頻率以減小尺寸和成本，并增加轉(zhuǎn)換率以提高
效率、電磁干擾問題加劇。因此，有必要結(jié)合具有成本效益且易于集成的EMI緩解技術(shù)不要影響電源設(shè)計。
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低噪音和精度-TI穩(wěn)壓IC發(fā)展趨勢
增強電源和信號完整性，以提高系統(tǒng)級保護和準(zhǔn)確性。
為了比較大限度地提高系統(tǒng)性能和可靠性，監(jiān)控、調(diào)節(jié)和處理電源鏈中信號的能力至關(guān)重要。高精度系統(tǒng)需要精確的低噪聲基準(zhǔn)，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進的電路和測試技術(shù)，以提高精度并將失真降至比較低。
減少和緩解IC錯誤源
?利用TI高度優(yōu)化的低噪聲互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝，減少工藝的非理想性。
?利用先進的電路和測試技術(shù)減少工藝非理想性的影響。
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穩(wěn)壓IC-電源發(fā)展趨勢
功率密度功率更大，布板空間更小。
TI的高功率密度器件產(chǎn)品系列的設(shè)計亮點在于采用了SWIFT?降壓穩(wěn)壓器系列，在緊湊的熱增強型封裝中提供高性能功能集和高輸出電流功能。高密度開關(guān)穩(wěn)壓器是為FPGA和處理器等高電流數(shù)字負載供電的理想選擇。使用我們的處理器連接工具，查找可優(yōu)化FPGA或處理器的合適產(chǎn)品。低EMI降低開關(guān)穩(wěn)壓器的EMI可能是許多電源設(shè)計人員面臨的一項主要挑戰(zhàn)。采用內(nèi)置EMI消減技術(shù)的器件不僅能縮短設(shè)計時間，還有助于符合CISPR255類等嚴苛標(biāo)準(zhǔn)。
包裹散熱-穩(wěn)壓IC知識
?熱棒? 包裝材料
?增強型熱棒QFN，支持熱墊
HotRodTM封裝消除了鍵合線，同時保持了優(yōu)異的熱性能。
支持小型無源器件的拓撲和電路
?多電平變流器拓撲
?高級功率級門驅(qū)動器
多級拓撲結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)更小的磁性。
集成比較大限度地減少寄生并減少系統(tǒng)占用F
?MicroSiP 3D模塊集成
?具有低回路電感的GaN和驅(qū)動器多芯片模塊（MCM）
GaN+柵驅(qū)動器MCM可減少寄生，提高功率密度。
支持3D集成的MicroSiP軟件包。
Tech-Trekt提供全系列TI穩(wěn)壓IC。
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隔離
以比較高的工作電壓和可靠性提高安全性-穩(wěn)壓IC技術(shù)趨勢
隔離是指在存在危險高壓時的可靠保護。電流隔離將兩個區(qū)域電隔離，允許功率或信號通過屏障傳輸，而不影響人身安全
安全性，同時防止接地電位差，提高抗噪性。TI的隔離技術(shù)組合，包括電容性SiO2絕緣屏障和集成變壓器，有助于超越Verband der Automobilindustrie（VDA）、加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會（CSA）和美國保險商實驗室（UL）的標(biāo)準(zhǔn)，而不會影響性能。要了解有關(guān)隔離的更多信息，請參閱我們的所有隔離解決方案。
傳輸信號
?采用高質(zhì)量隔離技術(shù)、低延遲數(shù)據(jù)傳輸和出色的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI），提高系統(tǒng)魯棒性和可靠性。
傳輸功率
?通過在單個封裝中集成傳輸電源所需的高壓隔離組件，減少熱負荷并簡化EMI合規(guī)性。
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集成輸入旁路電容器
如前所述，由于開關(guān)節(jié)點振鈴的增加，大輸入功率環(huán)路在高頻段會導(dǎo)致更高的發(fā)射。
在設(shè)備封裝內(nèi)集成高頻輸入去耦電容器有助于將輸入回路寄生降至比較低，從而減少EMI。
該技術(shù)用于LMQ62440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器，如下圖20所示。除了減少輸入功率回路電感外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使解決方案更不受終端系統(tǒng)電路板布局變化的影響。
下頁的圖21比較了LMQ62440-Q1的輻射EMI（相同板上的相同條件），包括集成和不集成旁路電容器。結(jié)果表明，在**嚴格的電視頻段（200至230 MHz）內(nèi)，發(fā)射降低了9 dB，這有助于系統(tǒng)保持在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定的EMI限值下，而無需在電路板上安裝其他組件。
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