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來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-05

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XBM2138內(nèi)置MOS內(nèi)置均衡器高精度電壓檢測電路和延時(shí)電路,用于2節(jié)串聯(lián)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護(hù)。適合對(duì)2節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)。各延遲時(shí)間由內(nèi)部電路設(shè)置(不需外接電容),連接充電器的端子采用高耐壓設(shè)計(jì)(CS端子和OC端子,***額定值是33V),還具備向0V電池充電功能,可選擇允許或禁止。內(nèi)置MOS在高負(fù)載時(shí)可能發(fā)熱,需優(yōu)化PCB散熱(如增加銅箔面積) 內(nèi)置MOS,集成均衡功能東莞6096J9o賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保太陽能充電管理方案芯片。

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    電池均衡IC介紹定義及作用電池均衡IC是電池管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,主要用于確保電池組中各個(gè)單體電池之間的電壓、容量等參數(shù)保持一致。在鋰電池串聯(lián)使用過程中,由于電池個(gè)體差異、使用環(huán)境不同等因素,會(huì)導(dǎo)致單體電池的電壓和容量出現(xiàn)不一致的情況,這不僅會(huì)影響電池組的整體性能,還可能縮短電池的使用壽命。電池均衡IC通過對(duì)電池進(jìn)行均衡充電或放電,使各個(gè)單體電池的狀態(tài)趨于一致,從而延長電池組的使用壽命并提升其性能\電池均衡方法負(fù)載消耗型均衡在每節(jié)電池上并聯(lián)一個(gè)電阻,串聯(lián)一個(gè)開關(guān)做。當(dāng)某節(jié)電池電壓過高時(shí),打開開關(guān),充電電流通過電阻分流,使電壓高的電池充電電流小,電壓低的電池充電電流大,從而實(shí)現(xiàn)電池電壓的均衡。但這種方式只能適用于小容量電池1。 帶負(fù)載防電芯反接0V可充支持帶負(fù)載電芯反接。

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2串鋰保集成MOS  船運(yùn)模式 XBM325 兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹35W以內(nèi)  2串鋰保集成MOS  內(nèi)置均衡  船運(yùn)模式:對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能,這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié):保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能:對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能,這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié),可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路,鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能高壓降壓電源芯片用于便攜式設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、車載設(shè)備的電源變換。深圳6096J9j賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

節(jié)鋰電保護(hù)芯片(三元/磷酸鐵鋰)XBM5244 均衡,推挽,充電過流檢測.3-4串XBM4X30 開漏。無錫XBM4551賽芯廠家

鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì),鋰電保護(hù)的GND接電池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),請(qǐng)嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的,VT腳通??山有酒珿ND(B-),或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與,濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾,使得VDD電壓盡量穩(wěn)定,該電阻和電容缺一不可,缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能,增加生產(chǎn)的不良率(XB5432不加電容)。不同IC的電阻取值有差異,請(qǐng)根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等,可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè),可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級(jí)ESD,增強(qiáng)對(duì)尖峰電壓等外部信號(hào)的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用,減小內(nèi)阻,增強(qiáng)持續(xù)電流,多芯片并聯(lián)使用時(shí),芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò),電阻可共用,但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。無錫XBM4551賽芯廠家

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