XBM2138QFA  移動(dòng)電源應(yīng)用 兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹35W以內(nèi)XBM2138QFA2串鋰保集成MOS內(nèi)置均衡：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能太陽能充電管理方案芯片。韶關(guān)XBM7101賽芯方案公司

鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì)，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的，VT腳通?？山有酒珿ND（B-），或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè)，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級ESD，增強(qiáng)對尖峰電壓等外部信號的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用，減小內(nèi)阻，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時(shí)，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò)，電阻可共用，但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。無錫DS3056賽芯廠家DS2730B 65W-100W 多口充協(xié)議.

    DS3056B集成了過壓/欠壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)、電池過充保護(hù)的功能。過壓/欠壓保護(hù)：電池充電過程中，DS3056B實(shí)時(shí)監(jiān)測輸入電壓，并和預(yù)設(shè)的閾值電壓比較。如果電壓高于過壓閾值或低于欠壓閾值，且維持時(shí)間達(dá)到一定長度時(shí)，芯片關(guān)閉充電通路。過流保護(hù)：充電過程中，利用內(nèi)部的高精度ADC，實(shí)時(shí)監(jiān)測流經(jīng)采樣電阻的電流。當(dāng)電流大于預(yù)設(shè)的過流閾值時(shí)，觸發(fā)過流保護(hù)，芯片自動(dòng)關(guān)閉充電通路。過溫保護(hù)：電池充放電過程中，利用連接在TS管腳上的NTC，實(shí)時(shí)監(jiān)測電池溫度。當(dāng)溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門限時(shí)，首先降低功率。如果降低功率仍然無法過溫，則自動(dòng)關(guān)閉充電通路。電池過充保護(hù)：充電過程中，實(shí)時(shí)監(jiān)測電池電壓。當(dāng)電池電壓達(dá)到充電截止電壓時(shí)，自動(dòng)關(guān)閉充電通路。

    多節(jié)鋰電保護(hù)產(chǎn)品二級保護(hù)二級保護(hù)是指使用PTC、MHP、等被動(dòng)組件來保護(hù)電池。鋰電池保護(hù)板分為一級保護(hù)和二級保護(hù)。一級保護(hù)通常指的是主動(dòng)組件保護(hù)，包括保護(hù)IC和MOSFET，它能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測電池的電壓和充放電電流，并在必要時(shí)MOSFET的導(dǎo)通或關(guān)斷，以防止電池過充、過放、過載及短路。而二級保護(hù)則是指使用PTC、MHP、絲等被動(dòng)組件來進(jìn)一步增強(qiáng)電池的安全性。這些組件通常是溫度敏感的，能夠在電池溫度異常升高時(shí)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻止電流流動(dòng)，從而避免可能的危險(xiǎn)情況當(dāng)電池溫度異常升高時(shí)，PTC或MHP會(huì)呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，阻礙電池的充放電，從而防止鋰電池的起火。這種保護(hù)方式被稱為二級保護(hù)，它是一種被動(dòng)組件保護(hù)，通常作為一級保護(hù)電路（IC/Mosfet）的補(bǔ)充。 2~3串鋰電保護(hù) 多節(jié)鋰電保護(hù)芯片(三元/磷酸鐵鋰)XBM2138/XBM32XX 推挽。

 XBM4530系列產(chǎn)品內(nèi)二級保護(hù)芯片、置高精度的電壓檢測電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級保護(hù)芯片，通過檢測電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測功能：過充電檢測電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過放電檢測電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。XC3098(磷酸鐵鋰充電芯片）.北京DS2730賽芯代理

XF5131是賽芯退出的一款集成充電管理、鋰電池保護(hù)、低功耗二合一芯片。韶關(guān)XBM7101賽芯方案公司

XBM2138QFA    2串鋰電池保護(hù)芯片介紹  35W以內(nèi)      XBM2138QFA     內(nèi)置MOS  2串鋰保   內(nèi)置均衡   ：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié) ，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能韶關(guān)XBM7101賽芯方案公司