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來源: 發(fā)布時間:2025-04-16

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個同型號的鋰電保護可以直接并聯(lián),實現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力,降低內(nèi)阻,提高效率,但布板清注意:①兩個芯片盡量對稱,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地,減小布線內(nèi)阻和加強散熱。③,每片鋰電保護IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻,并且布的離VDD近些,盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些,也無需多粗,但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小,PCB板上,封裝焊盤略大一些,避免虛焊。②,走線經(jīng)過電阻后,先經(jīng)過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND,使整個電容環(huán)路**小。④芯片的GND(B-)到VM建議預留一個C2()電容位置,C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD,建議連接芯片的GND(B-)或者懸空。 6-7串鋰電池保護NTC/PWM/SSOP16 多節(jié)鋰電池保護——二級保護 XBM5772 。Series。蘇州6096J9o賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

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    在當今快節(jié)奏的生活中,移動電源成為了我們不可或缺的電子設備。芯納推出的移動電源SOC更是為我們帶來了全新的體驗。移動電源SOC(SystemonChip,系統(tǒng)級芯片)是一種高度集成的芯片,用于移動電源中。它集成了多種功能模塊,包括同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊、電量計算模塊、顯示模塊、協(xié)議模塊等。高集成度:將多個功能模塊集成在一個芯片上,減少了外部元器件的使用,簡化了移動電源的設計。多協(xié)議雙向快充:支持多種充電協(xié)議,能夠?qū)崿F(xiàn)充電和雙向充電功能,提高充電效率。電池管理:負責電池的充放電管理,包括過充、過放保護,延長電池壽命。電量計算和顯示:準確計算電池電量,并通過顯示模塊向用戶展示電量信息。保護功能:提供輸入/輸出的過壓/欠壓保護、NTC過溫保護、放電過流保護、輸出短路保護等,確保移動電源和連接設備的安全。芯納科技專注代理電源芯片和電子元器件12年。提供的產(chǎn)品和方案包括:移動電源SOC、多口快充SOC、快充充電管理SOC、電源管理芯片、鋰電池充電管理、鋰電保護、DC轉(zhuǎn)換器、MOS等。致力于為合作伙伴帶來增值,為客戶的成長與發(fā)展竭誠服務,當好供求間之橋梁,謀求產(chǎn)業(yè)鏈的共同發(fā)展! 江門2m1EAB賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保鋰保PCB應用注意事項-布局。

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3串鋰電池保護芯片介紹,XBM3360  3串集成Sense/SOP8  保護芯片功能基本保護功能:對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護,同時具備電池反接保護功能,這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護閾值調(diào)節(jié):3串鋰電池的保護芯片電路的過電流保護閾值由開關(guān)MOS管決定,如果覺得該閾值較小,可以將多個開關(guān)MOS管進行并聯(lián)操作,以增大過流電流,將兩節(jié)鋰電池保護芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起,可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路,鋰電池就可以實現(xiàn)邊充邊放的功能

 XBM4530系列產(chǎn)品內(nèi)二級保護芯片、置高精度的電壓檢測電路和延遲電路,是一款用于可充電電池組的二級保護芯片,通過檢測電池包中每一節(jié)電芯的電壓,為電池包提供過充電保護和過放保護1。功能特點高精度電池電壓檢測功能:過充電檢測電壓-(步進50mV),精度±25mV;過充電電壓0-(步進50mV),精度±50mV;過放電檢測電壓-(步進100mV),精度±80mV;過放電電壓0V-(步進100mV),精度±100mV1。保護延時內(nèi)置可選:可根據(jù)不同應用場景選擇合適的保護延時1。內(nèi)置斷線保護功能(可選):增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選:有CMOS輸出、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1。輸出邏輯可選:動態(tài)輸出H、動態(tài)輸出。芯納科技成立于2011年。專注代理電源芯片和電子元器件的銷售服務。

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XBM2138內(nèi)置MOS內(nèi)置均衡器高精度電壓檢測電路和延時電路,用于2節(jié)串聯(lián)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護。適合對2節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進行保護。各延遲時間由內(nèi)部電路設置(不需外接電容),連接充電器的端子采用高耐壓設計(CS端子和OC端子,***額定值是33V),還具備向0V電池充電功能,可選擇允許或禁止。內(nèi)置MOS在高負載時可能發(fā)熱,需優(yōu)化PCB散熱(如增加銅箔面積) 內(nèi)置MOS,集成均衡功能高精度智能型磷酸鐵鋰離子電池充電管理芯片,具有功能全、集成度高,外部電路簡單,調(diào)節(jié)方便。蘇州XBM3360賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

3串 4串鋰電池保護 /NTC/MSOP10多節(jié)鋰電池保護——二級保護 XBM4X30。蘇州6096J9o賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

鋰電保護應用原理圖①按鋰電池保護芯片的典型原理圖設計,鋰電保護的GND接電池的B-,不能接外部大地,芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片,一般EPAD接芯片的GND(B-),請嚴格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做。③鋰電池保護芯片帶VT腳的,VT腳通??山有酒珿ND(B-),或者懸空。④典型應用圖中的100Ω/1KΩ電阻與,濾除電池電壓的劇烈波動和外部強烈電壓干擾,使得VDD電壓盡量穩(wěn)定,該電阻和電容缺一不可,缺少任何一個都會有少燒芯片的可能,增加生產(chǎn)的不良率(XB5432不加電容)。不同IC的電阻取值有差異,請根據(jù)***版的Datesheet的典型應用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達應用、LED照明應用、射頻干擾應用、負載電流劇烈變化的應用如音頻功放等,可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡的R和C的值,如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等,比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個,可以增強鋰電保護電路的系統(tǒng)級ESD,增強對尖峰電壓等外部信號的抗干擾能力。⑦鋰電保護芯片可并聯(lián)使用,減小內(nèi)阻,增強持續(xù)電流,多芯片并聯(lián)使用時,芯片VDD的RC網(wǎng)絡,電阻可共用,但電容須要一個保護芯片配一個電容。蘇州6096J9o賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

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