3串鋰電池保護(hù)芯片介紹,XBM3360  3串集成Sense/SOP8  保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：3串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過電流保護(hù)閾值由開關(guān)MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個(gè)開關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作，以增大過流電流，將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能在輸入端的NTC熱敏電阻，是靠充電器的輸入電流來加熱，降低電阻。上海XBM3214DBA賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保

    電池均衡IC介紹定義及作用電池均衡IC是電池管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，主要用于確保電池組中各個(gè)單體電池之間的電壓、容量等參數(shù)保持一致。在鋰電池串聯(lián)使用過程中，由于電池個(gè)體差異、使用環(huán)境不同等因素，會(huì)導(dǎo)致單體電池的電壓和容量出現(xiàn)不一致的情況，這不僅會(huì)影響電池組的整體性能，還可能縮短電池的使用壽命。電池均衡IC通過對(duì)電池進(jìn)行均衡充電或放電，使各個(gè)單體電池的狀態(tài)趨于一致，從而延長(zhǎng)電池組的使用壽命并提升其性能\電池均衡方法負(fù)載消耗型均衡在每節(jié)電池上并聯(lián)一個(gè)電阻，串聯(lián)一個(gè)開關(guān)做。當(dāng)某節(jié)電池電壓過高時(shí)，打開開關(guān)，充電電流通過電阻分流，使電壓高的電池充電電流小，電壓低的電池充電電流大，從而實(shí)現(xiàn)電池電壓的均衡。但這種方式只能適用于小容量電池1。 南京XBM4451賽芯廠家多串鋰保應(yīng)用注意事項(xiàng)布局。

XBM4X30系列產(chǎn)品、3或4串電池組的二級(jí)保護(hù)芯片主要描述內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開路漏級(jí)輸出、P溝道開路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。

2串鋰保集成MOS  船運(yùn)模式 XBM325 兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹35W以內(nèi)  2串鋰保集成MOS  內(nèi)置均衡  船運(yùn)模式：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能多節(jié)鋰電池保護(hù)電路， XBM2138 XBM32XX XBM325X XBM3360。

XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保護(hù)芯片  、6--7串鋰電池保護(hù)芯片介紹,XBM5573集成均衡/PWM/NTC/Sense保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：6-7串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過電流保護(hù)閾值由開關(guān)MOS管決定，如果覺得該閾值較小，可以將多個(gè)開關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作，以增大過流電流，將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能XF5131是賽芯退出的一款集成充電管理、鋰電池保護(hù)、低功耗二合一芯片。惠州XBM7101賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保

可用模擬和PWM信號(hào)調(diào)光的高壓線性LED驅(qū)動(dòng)集成電路。上海XBM3214DBA賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。③，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長(zhǎng)些，也無需多粗，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤略大一些，避免虛焊。②，走線經(jīng)過電阻后，先經(jīng)過電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 上海XBM3214DBA賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保