芯片測(cè)試的過(guò)程是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測(cè)試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對(duì)性的專門測(cè)試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設(shè)計(jì)專門使用芯片。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。而未通過(guò)測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級(jí)品或廢品。芯片測(cè)試機(jī)能夠快速識(shí)別芯片的問(wèn)題，并提供快速修復(fù)方案。上海MINILED芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)
常見的測(cè)試手段，CP（Chip Probing）測(cè)試和FT（Final Test）測(cè)試：CP測(cè)試。芯片測(cè)試分兩個(gè)階段，一個(gè)是CP（Chip Probing）測(cè)試，也就是晶圓（Wafer）測(cè)試。另外一個(gè)是FT（Final Test）測(cè)試，也就是把芯片封裝好再進(jìn)行的測(cè)試。CP（Chip Probing）指的是晶圓測(cè)試。CP測(cè)試在整個(gè)芯片制作流程中處于晶圓制造和封裝之間。晶圓（Wafer）制作完成之后，成千上萬(wàn)的裸DIE（未封裝的芯片）規(guī)則的分布滿整個(gè)Wafer。由于尚未進(jìn)行劃片封裝，芯片的管腳全部裸露在外，這些極微小的管腳需要通過(guò)更細(xì)的探針臺(tái)來(lái)與測(cè)試機(jī)臺(tái)連接。湖北MINI芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位芯片測(cè)試機(jī)可以提供定制化的測(cè)試方案，以滿足工程師的需求。
對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)，有兩種類型的測(cè)試，抽樣測(cè)試和生產(chǎn)全測(cè)。抽樣測(cè)試，比如設(shè)計(jì)過(guò)程中的驗(yàn)證測(cè)試，芯片可靠性測(cè)試，芯片特性測(cè)試等等，這些都是抽測(cè)，主要目的是為了驗(yàn)證芯片是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)，比如驗(yàn)證測(cè)試就是從功能方面來(lái)驗(yàn)證是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)，可靠性測(cè)試是確認(rèn)較終芯片的壽命以及是否對(duì)環(huán)境有一定的魯棒性，而特性測(cè)試測(cè)試驗(yàn)證設(shè)計(jì)的冗余度。這里我們主要想跟大家分享一下生產(chǎn)全測(cè)的測(cè)試，這種是需要100%全測(cè)的，這種測(cè)試就是把缺陷挑出來(lái)，分離壞品和好品的過(guò)程。這種測(cè)試在芯片的價(jià)值鏈中按照不同階段又分成晶圓測(cè)試和較終測(cè)試（FT，也叫封裝測(cè)試或者成品測(cè)試），就是上面圖（1）中的紅色部分。
芯片測(cè)試的流程，芯片測(cè)試的主要流程包括測(cè)試方案設(shè)計(jì)、測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建、芯片樣品測(cè)試和測(cè)試結(jié)果分析等步驟。測(cè)試方案設(shè)計(jì)階段需要根據(jù)芯片的具體需求和測(cè)試目的，確定測(cè)試平臺(tái)、測(cè)試方法和數(shù)據(jù)采集方式等；測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建階段則需要選用合適的測(cè)試設(shè)備、測(cè)試軟件和試驗(yàn)工具，搭建出符合測(cè)試要求的完整測(cè)試系統(tǒng)；芯片樣品測(cè)試階段則通過(guò)測(cè)試平臺(tái)對(duì)芯片進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試，記錄測(cè)試數(shù)據(jù)和結(jié)果；然后在測(cè)試結(jié)果分析階段對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行處理、統(tǒng)計(jì)推斷和評(píng)估分析，得到較終的測(cè)試結(jié)論并給出相應(yīng)建議。芯片測(cè)試機(jī)為從事集成電路設(shè)計(jì)的工程師提供了便捷的測(cè)試手段。
本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法。該測(cè)試方法包括以下步驟：將多個(gè)待測(cè)試芯片放置于多個(gè)tray盤中，每一個(gè)tray盤中放置多個(gè)待測(cè)試芯片，將多個(gè)tray盤放置于自動(dòng)上料裝置，并在自動(dòng)下料裝置及不良品放置臺(tái)上分別放置一個(gè)空tray盤；移載裝置從自動(dòng)上料裝置的tray盤中取出待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置進(jìn)行測(cè)試；芯片測(cè)試完成后，移載裝置將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置的空tray盤中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)的空tray盤中；當(dāng)自動(dòng)上料裝置的一個(gè)tray盤中的待測(cè)試芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置的空tray盤中放滿測(cè)試合格的芯片后，移載裝置將自動(dòng)上料裝置的空tray盤移載至自動(dòng)下料裝置。芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)到芯片中的誤差。廣州MINI芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格
芯片測(cè)試機(jī)可以用于進(jìn)行芯片的時(shí)序分析。上海MINILED芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)
設(shè)計(jì)公司主要目標(biāo)是根據(jù)市場(chǎng)需求來(lái)進(jìn)行芯片研發(fā)，在整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要一直考慮測(cè)試相關(guān)的問(wèn)題，主要有下面幾個(gè)原因：1） 隨著芯片的復(fù)雜度原來(lái)越高，芯片內(nèi)部的模塊越來(lái)越多，制造工藝也是越來(lái)越先進(jìn)，對(duì)應(yīng)的失效模式越來(lái)越多，而如何能完整有效地測(cè)試整個(gè)芯片，在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要被考慮的比重越來(lái)越多。2） 設(shè)計(jì)、制造、甚至測(cè)試本身，都會(huì)帶來(lái)一定的失效，如何保證設(shè)計(jì)處理的芯片達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)，如何保證制造出來(lái)的芯片達(dá)到要求的良率，如何確保測(cè)試本身的質(zhì)量和有效，從而提供給客戶符合產(chǎn)品規(guī)范的、質(zhì)量合格的產(chǎn)品，這些都要求必須在設(shè)計(jì)開始的頭一時(shí)間就要考慮測(cè)試方案。3） 成本的考量。越早發(fā)現(xiàn)失效，越能減少無(wú)謂的浪費(fèi)；設(shè)計(jì)和制造的冗余度越高，越能提供較終產(chǎn)品的良率；同時(shí)，如果能得到更多的有意義的測(cè)試數(shù)據(jù)，也能反過(guò)來(lái)提供給設(shè)計(jì)和制造端有用的信息，從而使得后者有效地分析失效模式，改善設(shè)計(jì)和制造良率。上海MINILED芯片測(cè)試機(jī)市價(jià)