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安徽德國(guó)POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-02

德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列以其緊湊的設(shè)計(jì),在有限的空間內(nèi)發(fā)揮著巨大作用。對(duì)于研究實(shí)驗(yàn)室,尤其是空間資源緊張的高校和初創(chuàng)科研機(jī)構(gòu)來(lái)說(shuō),設(shè)備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機(jī)占用空間小的特點(diǎn),使其能夠輕松融入各類實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。? 盡管體積小巧,但它的性能卻毫不遜色。無(wú)掩模激光光刻技術(shù)保障了高精度的圖案制作,低成本的優(yōu)勢(shì)降低了科研投入門檻。在小型實(shí)驗(yàn)室中,科研人員使用 Polos 光刻機(jī),在微流體、電子學(xué)等領(lǐng)域開(kāi)展研究,成功取得多項(xiàng)成果。從微納結(jié)構(gòu)制造到新型器件研發(fā),Polos 光刻機(jī)證明了小空間也能蘊(yùn)藏大能量,為科研創(chuàng)新提供有力支持。德國(guó)技術(shù)基因:融合精密光學(xué)與自動(dòng)化控制,確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長(zhǎng)壽命。安徽德國(guó)POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

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SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本,無(wú)需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描,單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm,支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。河北德國(guó)POLOS光刻機(jī)可以自動(dòng)聚焦波長(zhǎng)無(wú)掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì):摒棄傳統(tǒng)掩模,圖案設(shè)計(jì)實(shí)時(shí)調(diào)整,研發(fā)成本直降 70%。

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某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)氮化鎵(GaN)基高電子遷移率晶體管(HEMT)。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長(zhǎng)度的precise曝光,較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過(guò)自定義多晶硅柵極圖案,器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s),擊穿電壓提升至 1200V,遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺(tái)面刻蝕,刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%,助力我國(guó)新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國(guó)產(chǎn)化突破。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

Polos光刻機(jī)在微機(jī)械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開(kāi)環(huán)諧振器和2 μm叉指電極,適用于傳感器與執(zhí)行器開(kāi)發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)(如Nanoscribe系統(tǒng)),用戶還能擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印,為微型機(jī)器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)??焖僮詣?dòng)對(duì)焦:閉環(huán)對(duì)焦系統(tǒng)1秒完成,多層半自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)提升實(shí)驗(yàn)效率。

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某能源研究團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極,器件的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá) 35%,在 10Hz 振動(dòng)下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過(guò)自定義電極間距和厚度,該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動(dòng),在智能穿戴設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了運(yùn)動(dòng)能量的實(shí)時(shí)采集與存儲(chǔ)。其輕量化設(shè)計(jì)(體積 < 1mm3)還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn),使傳感器續(xù)航時(shí)間從 3 個(gè)月延長(zhǎng)至 2 年。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。全球產(chǎn)業(yè)鏈整合:德國(guó)精密制造背書,與Lab14集團(tuán)共推光通信芯片封裝技術(shù)。安徽德國(guó)POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

柔性電子制造:可制備叉指電容器與高頻電路,推動(dòng)5G通信與物聯(lián)網(wǎng)硬件發(fā)展。安徽德國(guó)POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

在微流體研究領(lǐng)域,德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列憑借獨(dú)特優(yōu)勢(shì)脫穎而出。其無(wú)掩模激光光刻技術(shù),打破傳統(tǒng)光刻的局限,無(wú)需掩模就能實(shí)現(xiàn)高精度圖案制作。這使得科研人員在構(gòu)建微通道網(wǎng)絡(luò)時(shí),可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自由設(shè)計(jì),快速完成從圖紙到實(shí)體的轉(zhuǎn)化。?以藥物傳輸研究為例,利用 Polos 光刻機(jī),能制造出尺寸precise、結(jié)構(gòu)復(fù)雜的微通道,模擬人體環(huán)境,讓藥物在微小空間內(nèi)可控流動(dòng),much提升藥物傳輸效率研究的準(zhǔn)確性。同時(shí),在細(xì)胞培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)中,該光刻機(jī)制作的微流體芯片,為細(xì)胞提供穩(wěn)定且適宜的生長(zhǎng)環(huán)境,助力細(xì)胞生物學(xué)研究取得新突破。小空間大作為的 Polos 光刻機(jī),正推動(dòng)微流體研究不斷向前。安徽德國(guó)POLOS光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

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