植入式神經(jīng)電極需要兼具生物相容性與導(dǎo)電性能，表面微圖案可remarkable影響細胞 - 電極界面。Polos 光刻機在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔，某神經(jīng)工程團隊發(fā)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)使神經(jīng)元突觸密度提升 20%，信號采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據(jù)不同腦區(qū)結(jié)構(gòu)定制電極陣列，在大鼠海馬區(qū)電生理實驗中，單神經(jīng)元信號識別率從 60% 提升至 85%，為腦機接口技術(shù)的臨床轉(zhuǎn)化奠定了硬件基礎(chǔ)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。德國技術(shù)基因：融合精密光學(xué)與自動化控制，確保設(shè)備高穩(wěn)定性與長壽命。重慶BEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備，將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%，開關(guān)損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶BEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米技術(shù)Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術(shù)普及。

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術(shù)，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實驗室快速原型開發(fā)。閉環(huán)自動對焦系統(tǒng)（1秒完成）和半自動多層對準功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

在微流控芯片集成領(lǐng)域，某微機電系統(tǒng)實驗室利用 Polos 光刻機的多材料同步曝光技術(shù)，在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動的氣動泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm，流量調(diào)節(jié)精度達 ±1%，響應(yīng)時間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案，可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細胞代謝分析，實現(xiàn)了單個tumor細胞葡萄糖攝取率的實時監(jiān)測，檢測靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備已進入臨床前驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實時調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟性突出。

某智能機器人實驗室采用 Polos 光刻機制造了磁控微納機器人。其激光直寫技術(shù)在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結(jié)構(gòu)，機器人在旋轉(zhuǎn)磁場下的推進速度達 50μm/s，轉(zhuǎn)向精度小于 5°。通過自定義三維運動軌跡，該機器人在微流控芯片中成功實現(xiàn)了單個紅細胞的捕獲與轉(zhuǎn)運，操作成功率從傳統(tǒng)方法的 40% 提升至 85%。其輕量化設(shè)計（質(zhì)量 < 1μg）還支持在活細胞表面進行納米級手術(shù)，相關(guān)成果入選《Science Robotics》年度創(chuàng)新技術(shù)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。微型傳感器量產(chǎn)：80 μm開環(huán)諧振器加工能力，推動工業(yè)級MEMS傳感器升級。河北德國POLOS光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬，微流控芯片集成電極與通道一步成型。重慶BEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶BEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米