某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術(shù)在二氧化硅基底上實現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達(dá) 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現(xiàn)了計算與存儲的原位融合，能效比達(dá) 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮?諾依曼架構(gòu)提升 1000 倍。該技術(shù)被用于邊緣計算設(shè)備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關(guān)芯片已進(jìn)入小批量試產(chǎn)階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級重復(fù)精度0.1 μm。遼寧BEAM-XL光刻機(jī)分辨率1.5微米

一家專注于再生醫(yī)學(xué)的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國 Polos 光刻機(jī)取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結(jié)構(gòu)，以促進(jìn)細(xì)胞的生長和組織的修復(fù)。Polos 光刻機(jī)能夠根據(jù)預(yù)先設(shè)計的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復(fù)雜的孔隙結(jié)構(gòu)和表面圖案。通過該光刻機(jī)制造的支架，在動物實驗中表現(xiàn)出優(yōu)異的細(xì)胞黏附和組織生長引導(dǎo)能力。與傳統(tǒng)制造方法相比，使用 Polos 光刻機(jī)生產(chǎn)的支架，細(xì)胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學(xué)的臨床應(yīng)用提供了有力支持。上海德國BEAM光刻機(jī)未來技術(shù)儲備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。

某材料實驗室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達(dá) 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計算能效比達(dá) 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個數(shù)量級?；谠摷夹g(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無人機(jī)避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。微流體領(lǐng)域：支持 1-100μm 微通道定制，助力organ芯片血管網(wǎng)絡(luò)precise建模。

德國Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準(zhǔn)功能，大幅提升實驗室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設(shè)計、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。環(huán)保低能耗設(shè)計：固態(tài)光源能耗較傳統(tǒng)設(shè)備降低30%，符合綠色實驗室標(biāo)準(zhǔn)。湖北德國POLOS光刻機(jī)可以自動聚焦波長

Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。遼寧BEAM-XL光刻機(jī)分辨率1.5微米

形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結(jié)構(gòu)加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機(jī)的亞微米級定位精度，幫助科研團(tuán)隊在鎳鈦合金薄膜上刻制出復(fù)雜驅(qū)動電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場中可實現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達(dá) 50mN，較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%。該技術(shù)被應(yīng)用于微納操作機(jī)器人，在單細(xì)胞膜片鉗實驗中成功率從 40% 提升至 75%，為細(xì)胞級precise操作提供了關(guān)鍵工具。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。遼寧BEAM-XL光刻機(jī)分辨率1.5微米