在科研領域，設備的先進程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機 POLOS μ 帶來了革新之光。它們運用無掩模激光光刻技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長的掩模，極大降低了成本。這些光刻機可輕松輸入任意圖案進行曝光，在微流體、電子學和納 / 微機械系統(tǒng)等領域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復雜的微通道網(wǎng)絡，助力藥物傳輸、細胞培養(yǎng)等研究。在電子學方面，可實現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小，對于空間有限的研究實驗室來說堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團隊取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級重復精度0.1 μm。河北POLOSBEAM光刻機

SPS POLOS μ以桌面化設計降低設備投入成本，無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。湖北德國BEAM光刻機光源波長405微米未來技術(shù)儲備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個數(shù)量級。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應用于智能攝像頭和無人機避障系統(tǒng)，相關芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。POLOS μ 光刻機：桌面級設計，2-23μm 可調(diào)分辨率，兼容 4 英寸晶圓，微機電系統(tǒng)加工誤差 < 5μm。

針對植入式醫(yī)療設備的長期安全性問題，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術(shù)避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器，在體內(nèi)降解周期可控制在 3-12 個月，信號傳輸穩(wěn)定性較同類產(chǎn)品提升 50%，相關技術(shù)已進入臨床前生物相容性評價階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。材料科學：超疏水表面納米圖案化，接觸角 165°，防腐蝕性能增強 10 倍。吉林德國POLOS桌面無掩模光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

德國 SPS Polos：深耕微納加工 35 年，專注半導體與生命科學領域，全球布局 6 大技術(shù)中心，服務 500 + 科研機構(gòu)。河北POLOSBEAM光刻機

在微流控芯片集成領域，某微機電系統(tǒng)實驗室利用 Polos 光刻機的多材料同步曝光技術(shù)，在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動的氣動泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm，流量調(diào)節(jié)精度達 ±1%，響應時間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案，可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細胞代謝分析，實現(xiàn)了單個tumor細胞葡萄糖攝取率的實時監(jiān)測，檢測靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍，相關設備已進入臨床前驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。河北POLOSBEAM光刻機