Nanoscribe雙光子灰度光刻（2GL®）是一種用于生成2.5D拓撲的新型增材制造技術(shù)。通過這種技術(shù)，在掃描一層的情況下，可以打印離散和準確的步驟以及基本連續(xù)的拓撲，從而縮短了打印時間。2GL是無掩膜灰度光刻技術(shù)家族的新成員，其使用功率調(diào)節(jié)激光來塑造微納米結(jié)構(gòu)功能器件的高度輪廓。雙光子灰度光刻（2GL®）是一項突破性的創(chuàng)新技術(shù)，將灰度光刻的優(yōu)勢與雙光子聚合（2PP）的精度和靈活性相結(jié)合。光學元件如何對準并打印到光子芯片上？打印對象的 3D 對準技術(shù)是基于具有高分辨率 3D 拓撲繪制的共聚焦單元。 為了精確對準光子芯片上的光學元件，智能軟件算法會自動識別預(yù)定義的標記和拓撲特征，以確定芯片上波導(dǎo)的確切位置和方向。 然后將虛擬坐標系設(shè)置到波導(dǎo)的出口，使其光軸和方向完美對準。 根據(jù)該坐標系打印的光學元件可確保比較好的光學質(zhì)量并比較大限度地減少耦合損耗。 該項技術(shù)可以利用自由空間微光耦合 (FSMOC) 實現(xiàn)高效的光耦合。Nanoscribe在中國的子公司納糯三維邀您一起探討增材制造的現(xiàn)狀和未來。浙江高精度Nanoscribe無掩膜光刻

Nanoscribe稱，Quantum X是世界上**基于雙光子灰度光刻技術(shù)（two-photon grayscale lithography，2GL）的工業(yè)系統(tǒng)，目前該技術(shù)正在申請專利。2GL將灰度光刻技術(shù)與Nanoscribe的雙光子聚合技術(shù)相結(jié)合，可生產(chǎn)折射和衍射微光學以及聚合物母版的原型。多層衍射光學元件（diffractiveopticalelement，DOE）可以通過在掃描平面內(nèi)調(diào)制激光功率來完成，從而減少多層微制造所需的打印時間。Nanoscribe表示，折射微光學也受益于2GL工藝的加工能力，可制作單個光學元件、填充因子高達100%的陣列，以及可以在直接和無掩模工藝中實現(xiàn)各種形狀，如球面和非球面透鏡。  湖北微納NanoscribeMEMSNanoscribe IP 系列光刻膠系列是用于高分辨率微納加工的聚合物打印材料。

3D微納加工技術(shù)應(yīng)用于材料工程領(lǐng)域。材料屬性可以通過成分和幾何設(shè)計來調(diào)整和定制。通過使用Nanoscribe的3D微納加工解決方案，可以實現(xiàn)具有特定光子，機械，生物或化學特性的創(chuàng)新超材料和仿生微結(jié)構(gòu)。Nanoscribe的無掩模光刻系統(tǒng)在三維微納制造領(lǐng)域是一個不折不扣的多面手，由于其出色的通用性、與材料的普適性和便于操作的軟件工具，在科學和工業(yè)項目中備受青睞。這種可快速打印的微結(jié)構(gòu)在科研、手板定制、模具制造和小批量生產(chǎn)中具有廣闊的應(yīng)用前景。也就是說，在納米級、微米級以及中尺度結(jié)構(gòu)上，可以直接生產(chǎn)用于工業(yè)批量生產(chǎn)的聚合物母版。 

   對于光纖上打印的SERS探針，研究人員必須克服幾個制造上的挑戰(zhàn)。首先，他們設(shè)計了一個定制的光纖支架，可以在光纖的切面上打印。然后，打印的物體必須與光纖的重要部分部分完全對齊，以激發(fā)制造的拉曼熱點。剩下的一個挑戰(zhàn)，特別是對于像單體陣列這樣的絲狀結(jié)構(gòu)，是對可能傾斜的基材表面的補償。光纖傾斜的基材表面導(dǎo)致SERS活性微結(jié)構(gòu)的產(chǎn)量很低。為了推動光學領(lǐng)域的創(chuàng)新以及在醫(yī)療設(shè)備的應(yīng)用和光學傳感的發(fā)展，例如光纖SERS探頭，Nanoscribe近期推出了更新的3D打印系統(tǒng)QuantumXalign。憑借其專有的在光纖上的打印設(shè)置和在所有空間方向上的傾斜校正，新的3D打印系統(tǒng)可能已經(jīng)為在光纖上打印SERS探針的挑戰(zhàn)提供了答案，并為進一步改進和新的創(chuàng)新奠定了基礎(chǔ)。

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Nanoscribe的Photonic Professional GT2雙光子無掩模光刻系統(tǒng)的設(shè)計多功能性配合打印材料的多方面選擇性，可以實現(xiàn)微機械元件的制作，例如用光敏聚合物，納米顆粒復(fù)合物，或水凝膠打印的遠程操控可移動微型機器人，并可以選擇添加金屬涂層。此外，微納米器件也可以直接打印在不同的基材上，甚至可以直接打印于微機電系統(tǒng)（MEMS）。雙光子灰度光刻技術(shù)可以一步實現(xiàn)真正具有出色形狀精度的多級衍射光學元件（DOE），并且滿足DOE納米結(jié)構(gòu)表面的橫向和縱向分辨率達到亞微米量級。由于需要多次光刻，刻蝕和對準工藝，衍射光學元件（DOE）的傳統(tǒng)制造耗時長且成本高。 如需了解增材制造的信息，請咨詢咨詢Nanoscribe在中國的子公司納糯三維科技（上海）有限公司。湖北微納NanoscribeMEMS

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光子集成電路 (Photonic Integrated Circuit，PIC) 與電子集成電路類似，但不同的是電子集成電路集成的是晶體管、電容器、電阻器等電子器件，而光子集成電路集成的是各種不同的光學器件或光電器件，比如激光器、電光調(diào)制器、光電探測器、光衰減器、光復(fù)用/解復(fù)用器以及光放大器等。集成光子學可較廣地應(yīng)用于各種領(lǐng)域，例如數(shù)據(jù)通訊，激光雷達系統(tǒng)的自動駕駛技術(shù)和YL領(lǐng)域中的移動感應(yīng)設(shè)備等。而光子集成電路這項關(guān)鍵技術(shù)，尤其是微型光子組件應(yīng)用，可以很大程度縮小復(fù)雜光學系統(tǒng)的尺寸并降低成本。光子集成電路的關(guān)鍵技術(shù)還在于連接接口，例如光纖到芯片的連接，可以有效提高集成度和功能性。類似于這種接口的制造非常具有挑戰(zhàn)性，需要權(quán)衡對準、效率和寬帶方面的種種要求。

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