如果太厚只會(huì)增加無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈的整體厚度，如果太薄，則電阻過(guò)高，因此該范圍內(nèi)的效果**佳。通過(guò)在內(nèi)焊盤(pán)連接線(xiàn)圈中心部位，與線(xiàn)圈外焊盤(pán)形成+/-兩極，對(duì)電池模塊提供電壓/電流；對(duì)于外焊盤(pán)是否引出導(dǎo)線(xiàn)與被充電池模塊設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和位置有關(guān)，若與電池距離較遠(yuǎn)外焊盤(pán)需要導(dǎo)線(xiàn)連接，當(dāng)然也可以直接通過(guò)彈簧片壓合接觸電池模塊，因此外焊盤(pán)的導(dǎo)線(xiàn)可設(shè)可不設(shè)。對(duì)于上述步驟s04和步驟s05的順序可以倒過(guò)來(lái)，即先進(jìn)行步驟s05再進(jìn)行步驟s04，這樣的方法也能制成本發(fā)明實(shí)施例的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈，也在本實(shí)施例的保護(hù)范圍內(nèi)，另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈，該無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈的結(jié)構(gòu)如圖1(e)所示，所述無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈包括銅線(xiàn)圈層1和分別設(shè)置在所述銅線(xiàn)圈層1兩表面的***絕緣層3和第二絕緣層4；所述銅線(xiàn)圈層1設(shè)有內(nèi)焊盤(pán)11和外焊盤(pán)12，所述外焊盤(pán)12外露，且所述內(nèi)焊盤(pán)11上焊接有導(dǎo)電銅膠帶5。本發(fā)明實(shí)施例提供的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈包括銅線(xiàn)圈層1和分別設(shè)置在所述銅線(xiàn)圈層1兩表面的***絕緣層3和第二絕緣層4，這樣的無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，只需一層線(xiàn)圈結(jié)構(gòu)就可以達(dá)到實(shí)際需求的內(nèi)阻值，從而達(dá)到提高充電效率的效果，可以放入手機(jī)等小型移動(dòng)裝置內(nèi)，具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。無(wú)線(xiàn)充線(xiàn)圈是一種用于無(wú)線(xiàn)充電技術(shù)的關(guān)鍵組件，它可以將電能轉(zhuǎn)化為磁場(chǎng)，通過(guò)空氣傳輸能量。自貢光伏線(xiàn)圈廠(chǎng)家

如此可以更好地使材料填充在線(xiàn)圈空隙內(nèi)，排出空氣和水分。對(duì)于貼上的***絕緣層3，可以露出或不露出內(nèi)pad即內(nèi)焊盤(pán)11(內(nèi)焊盤(pán)的導(dǎo)線(xiàn)可從正面引出，也可以從背面引出)。在步驟s04中，如圖1(d)所示，去除襯底2，然后在已去除襯底2的銅線(xiàn)圈層1表面制備第二絕緣層4，且露出外焊盤(pán)12。因?yàn)橐r底2的材料為可溶材料或可熔材料，以剝離方式在去除襯底2時(shí)，要求剝離環(huán)境不影響銅線(xiàn)圈層1和***絕緣層3；且由于銅線(xiàn)圈層1貼附在***絕緣層3上，當(dāng)襯底材料的移除時(shí)，銅線(xiàn)圈層1的結(jié)構(gòu)不會(huì)發(fā)生位移變化。本發(fā)明實(shí)施例中，第二絕緣層的制備具體過(guò)程可以為：當(dāng)所述第二絕緣層為絕緣膜，在已去除所述襯底的銅線(xiàn)圈層表面，真空條件下貼上第二絕緣層；或者，當(dāng)所述第二絕緣層為絕緣油墨層時(shí)，在已去除所述襯底的銅線(xiàn)圈層表面，以印刷方式涂覆第二絕緣層。在已去除襯底2的銅線(xiàn)圈層1表面，真空條件下貼上第二絕緣層；真空條件可以更好地使材料填充在線(xiàn)圈空隙內(nèi)，以排出空氣和水分，此時(shí)第二絕緣層的厚度為2-5μm，當(dāng)所述第二絕緣層為絕緣膜時(shí)，所述第二絕緣層選自pe膜、pet膜、pi膜、pc膜、pp膜、pvdf膜、ptfe膜、玻璃膜和陶瓷膜中的至少一種，或者，當(dāng)所述第二絕緣層為絕緣油墨層時(shí)。蘇州變壓器線(xiàn)圈聯(lián)系方式車(chē)載線(xiàn)圈是由導(dǎo)線(xiàn)繞制成多個(gè)匝數(shù)和形狀的線(xiàn)圈，可以產(chǎn)生強(qiáng)度較高的磁場(chǎng)和感應(yīng)電勢(shì)。

    所述***對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上垂直于所述線(xiàn)圈的平面，所述第二對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上平行于所述線(xiàn)圈的平面；和電絕緣材料，在所述***對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)上，所述第二對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)沒(méi)有任何電絕緣材料，所述永磁體和線(xiàn)圈布置成使得當(dāng)充足幅值的電流流過(guò)所述線(xiàn)圈時(shí)在所述永磁體和線(xiàn)圈之間形成力。7.一種在光刻設(shè)備中用于定位掩模版或晶片的平臺(tái)，所述平臺(tái)包括：臺(tái)；和致動(dòng)器，機(jī)械耦接至所述臺(tái)，所述致動(dòng)器包括永磁體和具有扁平線(xiàn)的實(shí)質(zhì)上平坦的線(xiàn)圈，所述扁平線(xiàn)包括：導(dǎo)體，具有實(shí)質(zhì)上矩形的橫截面，且具有***對(duì)側(cè)邊和第二對(duì)側(cè)邊，所述***對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上垂直于所述線(xiàn)圈的平面，所述第二對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上平行于所述線(xiàn)圈的平面；和在所述***對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)上的電絕緣材料，所述第二對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)沒(méi)有任何電絕緣材料，所述永磁體和線(xiàn)圈布置成使得當(dāng)充足幅值的電流流過(guò)所述線(xiàn)圈時(shí)在所述永磁體和線(xiàn)圈之間形成力。8.一種制造線(xiàn)圈的方法，包括以下步驟：提供一長(zhǎng)度的扁平線(xiàn)，所述扁平線(xiàn)包括具有實(shí)質(zhì)上矩形的橫截面的導(dǎo)體，用電絕緣材料覆蓋所述導(dǎo)體；將所述長(zhǎng)度的扁平線(xiàn)卷繞成實(shí)質(zhì)上平坦的線(xiàn)圈。

    電機(jī)線(xiàn)圈用于多種各樣的應(yīng)用，包括例如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和光刻工具。通常，電機(jī)線(xiàn)圈包括致動(dòng)器線(xiàn)圈，該致動(dòng)器線(xiàn)圈包含電線(xiàn)的許多繞組和磁性裝置。磁性裝置可以包括一個(gè)或更多個(gè)永磁體。流過(guò)致動(dòng)器線(xiàn)圈的電流產(chǎn)生電磁場(chǎng)，該電磁場(chǎng)與從磁性裝置產(chǎn)生的磁場(chǎng)相互作用，從而在致動(dòng)器線(xiàn)圈上施加力。該力導(dǎo)致致動(dòng)器線(xiàn)圈移動(dòng)。在替代例中，當(dāng)在磁性裝置和致動(dòng)器線(xiàn)圈之間建立電磁場(chǎng)時(shí)，磁性裝置能夠移動(dòng)，而致動(dòng)器線(xiàn)圈保持靜止。驅(qū)動(dòng)器線(xiàn)圈的移動(dòng)能夠通過(guò)調(diào)整流過(guò)致動(dòng)器線(xiàn)圈的電流來(lái)控制，在這種狀況下，致動(dòng)器線(xiàn)圈上的力與電流成比例。為了增加力，電流也必須被增加。然而，隨著電流增加，由于電能作為致動(dòng)器線(xiàn)圈內(nèi)的熱能而耗散，致動(dòng)器線(xiàn)圈的工作溫度也增加。致動(dòng)器線(xiàn)圈的電阻繼而增加，并且流過(guò)致動(dòng)器線(xiàn)圈的電流的幅值受到限制，由此不利地影響了電機(jī)線(xiàn)圈的性能。對(duì)于需要快速移動(dòng)的電機(jī)線(xiàn)圈的應(yīng)用，一種常見(jiàn)的解決方案是使用傳熱元件。傳熱元件可以被放置在致動(dòng)器線(xiàn)圈的頂表面、底表面和側(cè)表面上，并且被配置為冷卻線(xiàn)圈的外層。然而，這些傳熱設(shè)計(jì)不能有效地將熱量從線(xiàn)圈的內(nèi)層傳遞出去，在線(xiàn)圈的內(nèi)層中，線(xiàn)圈的溫度可能是**高的。因此，需要能夠提供有助于控制熱量產(chǎn)生和散熱的線(xiàn)圈設(shè)計(jì)。在制作跑道型扁平線(xiàn)圈時(shí)，需要注意線(xiàn)圈的繞制方法和材料的質(zhì)量，以保證線(xiàn)圈的穩(wěn)定性和可靠性。

    大部分光束在第二部分中被朝向掃描儀215引導(dǎo)。例如，束分離裝置260將光束210的一部分(例如1-2％)引導(dǎo)至量測(cè)系統(tǒng)270。束分離裝置260能夠是例如分束器。掃描儀215包括具有例如一個(gè)或更多個(gè)聚光透鏡、掩模、掩模版和物鏡布置的光學(xué)布置。掩?？裳匾粋€(gè)或更多個(gè)方向移動(dòng)，諸如沿光束210的光軸或在垂直于光軸的平面上。物鏡布置包括投影透鏡，并使得能夠發(fā)生圖像從掩模轉(zhuǎn)印到晶片220上的光致抗蝕劑。照射器系統(tǒng)調(diào)整射到掩模上的光束210的角度范圍。照射器系統(tǒng)還使橫跨掩模的光束210的強(qiáng)度分布均勻化(使得均勻)。除其它特征部外，掃描儀215能夠包括光刻控制器240、空調(diào)裝置和用于各種電氣部件的電源。光刻控制器240控制如何在晶片220上印制多個(gè)層。光刻控制器240包括存儲(chǔ)器242，該存儲(chǔ)器242儲(chǔ)存諸如過(guò)程選配方案的信息，并且還可以?xún)?chǔ)存關(guān)于可以使用或推薦如下文更***地描述的重復(fù)率的信息。晶片220被光束210照射。處理程序或選配方案確定晶片120上的曝光長(zhǎng)度，所用的掩模以及影響曝光的其它因素。在光刻期間，光束110的多個(gè)脈沖照射晶片220的同一區(qū)域以構(gòu)成照射劑量。照射同一區(qū)域的光束210的脈沖數(shù)n能夠被稱(chēng)為曝光窗口或狹縫。立繞線(xiàn)圈的匝數(shù)和線(xiàn)徑可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需要進(jìn)行調(diào)整，以實(shí)現(xiàn)不同的電感和電阻等性能參數(shù)。合肥雙圈線(xiàn)圈聯(lián)系人

跑道型扁平線(xiàn)圈在電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用。自貢光伏線(xiàn)圈廠(chǎng)家

    即相鄰銅線(xiàn)間的間隙)更均勻，此外采用螺旋線(xiàn)加工的方式熱量累積少、效率更高。采用本發(fā)明的方法，可加工出縫寬精度為。進(jìn)一步地，為了防止加工完成的充電線(xiàn)圈受力變形，導(dǎo)致線(xiàn)圈部分地方相連而影響充電效率，可以在加工過(guò)程中，采用治具對(duì)銅箔/充電線(xiàn)圈進(jìn)行固定。具體的，可以在治具上設(shè)置若干通向治具的上表面(銅箔的承載面)的吸附孔，通過(guò)對(duì)吸附孔抽氣實(shí)現(xiàn)對(duì)銅箔/充電線(xiàn)圈的固定。還可以在治具的上表面上設(shè)置螺旋線(xiàn)槽，螺旋線(xiàn)槽正對(duì)螺旋切割線(xiàn)2，較佳的是，螺旋線(xiàn)槽的寬度略大于螺旋切割線(xiàn)的線(xiàn)寬，例如，螺旋線(xiàn)槽的寬度為(d+)mm，其中，d為螺旋切割線(xiàn)的線(xiàn)寬。基于上述實(shí)施方式，一種更為詳細(xì)的充電線(xiàn)圈加工方法包括如下步驟：(1)導(dǎo)入螺旋切割線(xiàn)圖檔至精密激光標(biāo)記設(shè)備中，并且將激光的螺旋線(xiàn)行進(jìn)軌跡設(shè)置為螺旋圓，螺旋圓直徑為d+，其中“d”為線(xiàn)圈縫寬，可以確保減少毛刺。對(duì)精密激光標(biāo)記設(shè)備的加工參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，具體設(shè)置如下：表1精密激光標(biāo)記設(shè)備的加工參數(shù)設(shè)置實(shí)例(2)將治具安裝在加工平臺(tái)上，然后將沖壓好的銅箔放置于治具上，打開(kāi)吸附裝置，使治具的吸附孔將銅箔吸附固定。(3)開(kāi)啟激光設(shè)備，調(diào)整激光焦距到合適位置，并進(jìn)行激光切割。其中。自貢光伏線(xiàn)圈廠(chǎng)家