截止目前,紅外熱像儀HgCdTe材料依舊是制作高性能IR光子探測(cè)器的比較好的材料?與InGaAs類似,HgCdTe也是一種三元系半導(dǎo)體化合物,其帶隙也會(huì)隨組分的改變而改變,借此HgCdTe探測(cè)器可覆蓋1-22μm的超寬波段?HgCdTe探測(cè)器在NIR?MIR和LWIR三個(gè)波段都能表現(xiàn)出十分優(yōu)異的性能,所以它問世不久便成為了IR探測(cè)器大家族中的霸主?然而,隨著近些年InGaAs探測(cè)器的興起,HgCdTe探測(cè)器在NIR波段的地位日趨下降;在MIR波段,雖然InSb探測(cè)器的探測(cè)率不如HgCdTe探測(cè)器,但由于InSb的材料生長技術(shù)比HgCdTe成熟,HgCdTe探測(cè)器在該波段已達(dá)不到一家獨(dú)大的地步;對(duì)于LWIR波段,HgCdTe探測(cè)器仍具有很強(qiáng)的統(tǒng)治地位?紅外熱像儀是否可以用于醫(yī)學(xué)診斷和疾病篩查？高溫紅外熱像儀支架

紅外熱像儀具有許多優(yōu)點(diǎn)，如非接觸式測(cè)量、響應(yīng)速度快、測(cè)量范圍廣等。它可以測(cè)量難以接近或高溫物體的溫度，無需破壞被測(cè)物體，因此在各個(gè)領(lǐng)域得到了很廣的應(yīng)用。然而，紅外熱像儀也存在一些限制，如受到環(huán)境溫度、濕度、氣體成分等因素的影響，可能導(dǎo)致測(cè)量精度下降。此外，不同物體的發(fā)射率也會(huì)影響紅外熱像儀的測(cè)量結(jié)果。因此，在使用紅外熱像儀時(shí)，需要根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行校準(zhǔn)和修正，以獲得更準(zhǔn)確的溫度信息?？偟膩碚f，紅外熱像儀是一種功能強(qiáng)大、應(yīng)用很廣的溫度測(cè)量設(shè)備。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，紅外熱像儀的性能將不斷提升，為各個(gè)領(lǐng)域提供更精確、更便捷的溫度測(cè)量解決方案。美國FLIR紅外熱像儀適用紅外熱像儀的主要性能指標(biāo)分類。

在日常的生活中，我們總是喜歡用相機(jī)來，記錄自己生活中的點(diǎn)點(diǎn)滴滴。殊不知，還有一種圖像，也可以用別樣的色彩，來定格每一個(gè)精彩的瞬間，它就是使用紅外熱像儀拍出的熱圖像。那么，紅外熱像儀可以記錄生活中的哪些情景呢？冬天我們?cè)谖堇锒寄芨惺艿綗釟?，但是你知道嗎？熱量也是可以看到的喲~，旅途中的美景，忙碌時(shí)的身影，放松時(shí)刻的愜意。無論是工作、還是生活，紅外熱像儀都可以定格那一刻，都可以記錄你身邊的美，看了上面的這些熱像圖片，你是不是覺得紅外熱像的世界很豐富多彩呀

大家都知道分辨率的高低會(huì)直接影響屏幕顯示的圖片或圖標(biāo)的細(xì)致度，圖像的分辨率越高，屏幕越細(xì)膩，圖像也就越清晰，觀看效果也就越好。所以分辨率的高低是選擇熱像儀的一個(gè)重要的參數(shù)。紅外熱像儀的分辨率有很多種，產(chǎn)品像素為640x480，中端紅外熱像儀的像素為320x240，低端紅外熱像儀的像素為160x120。相同距離拍攝同一物體，紅外熱像儀像素越高，所獲得的紅外熱圖像越清晰。像素越高，紅外熱像儀的價(jià)格也越高。MC640擁有高達(dá)640x480的超高分辨率，也是市面上為數(shù)不多的一款**的單筒紅外夜視熱成像儀。汽車維修技師使用紅外熱像儀檢測(cè)發(fā)動(dòng)機(jī)和其他部件的溫度異常。

紅外熱像儀的使用人們經(jīng)常詢問紅外熱像儀在特定情況下的使用情況以及該技術(shù)在特定環(huán)境或應(yīng)用中的有效性。我們來看看問題。為什么紅外熱像儀在夜間表現(xiàn)更好？紅外熱像儀通常在夜間表現(xiàn)更好，但這與周圍環(huán)境的亮度無關(guān)。由于夜間的環(huán)境溫度（重要的是未加熱物體和環(huán)境中心的溫度）比白天低很多，熱成像傳感器可以以更高的對(duì)比度顯示溫暖的區(qū)域。即使在涼爽的日子里，太陽的熱量也會(huì)被建筑物、道路、植被、建筑材料等吸收。白天，各種物體都會(huì)在環(huán)境溫度下吸收熱量。使用熱像儀傳感器進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，這些物體與其他待檢測(cè)的溫暖物體之間的差異不是很明顯。通俗地講熱像儀就是將物體發(fā)出的不可見紅外能量轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢姷臒釄D像。單晶爐紅外熱像儀試用

醫(yī)療專業(yè)人員借助紅外熱像儀進(jìn)行體溫篩查，有效防控疾病傳播。高溫紅外熱像儀支架

(2)InSb探測(cè)器(PC&PV)InSb屬于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,它是**早應(yīng)用于IR探測(cè)技術(shù)的材料之一,其生長技術(shù)已發(fā)展得非常成熟?在液氮溫度下,InSb帶隙所對(duì)應(yīng)的波長稍稍大于5μm,此時(shí)InSb探測(cè)器的響應(yīng)范圍完美覆蓋MIR波段,且探測(cè)率能在整個(gè)MIR波段維持很高的水平,因此InSb探測(cè)器在MIR波段探測(cè)方面有著舉足輕重的地位?下圖是InSb半導(dǎo)體材料及完成后的芯片。隨著紅外熱像儀工作溫度的上升,InSb探測(cè)器的量子效率可維持不變,直至160K才開始逐漸衰減?InSb FPA探測(cè)器被廣泛應(yīng)用到了***與天文領(lǐng)域,美國RVS(Raytheon Vision Systems)是這類探測(cè)器比較大且**出色的制造商?高溫紅外熱像儀支架