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天津光電器件及電路器件及電路芯片工藝定制開發(fā)

來源: 發(fā)布時間:2024-08-10

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南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司的跨尺度材料熱物性測試儀是針對超高導熱材料自主研發(fā)的熱物性測試儀器,可滿足4英寸量級尺寸以下的任意形狀、任意厚度的高導熱材料(金剛石、SiC等)熱物性測試,測試精度高,主要用于百微米量級厚度材料的熱導率分析、微納級薄膜或界面的熱阻分析,可有效解決現(xiàn)有設備無法實現(xiàn)大尺寸、微米級厚度、及其超高熱導率等材料的熱評估難題。該設備數(shù)據(jù)自動采集系統(tǒng)和分析軟件具有知識產(chǎn)權,采用半自動控制,可靠性高,操作便捷。廣東石墨烯芯片工藝定制開發(fā)芯片的研發(fā)需要龐大的研發(fā)團隊和巨額的資金投入,是科技創(chuàng)新的重要體現(xiàn)。

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南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司對外提供異質(zhì)異構集成技術服務,可進行以下先進集成材料制備和研發(fā):1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓,用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器;2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓,用于低損耗光學平臺;3)AlGaAs-on-insulator,絕緣體上AlGaAs晶圓,用于光量子器件等新一代片上光源平臺;4)Miro-Cavity-SOI,內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓,用于環(huán)柵GAA,MEMS等器件平臺;5)SionSiC/Diamond,解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸;6)GaNonSiC,解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸;7)支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā)。從手機到電腦,從汽車到飛機,芯片無處不在,它是現(xiàn)代科技發(fā)展的基石。

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南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司具備較強的異質(zhì)異構集成技術研發(fā)實力和研發(fā)基礎,公司的研發(fā)團隊具備深厚的專業(yè)知識和豐富的實踐經(jīng)驗。通過不斷的探索,公司在異質(zhì)異構集成技術領域取得了重要的突破和進展。在異質(zhì)異構集成技術方面,公司一直致力于進一步提升產(chǎn)品性能和降低成本,通過對不同材料和結構的理解和應用,實現(xiàn)了不同材料、不同元器件的集成,突破了傳統(tǒng)器件的限制,顯著提高了產(chǎn)品的性能。公司擁有先進的異質(zhì)異構集成科研設施和研發(fā)平臺,為科研人員提供了良好的條件和環(huán)境。在這里,研發(fā)人員可以充分發(fā)揮創(chuàng)造力和智慧,開展深入的研究和實驗,不斷推進技術的突破和創(chuàng)新。公司與多家高校和科研機構建立了長期穩(wěn)定的合作關系,共同開展科學研究和成果轉(zhuǎn)化,為公司的發(fā)展提供源源不斷的動力。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司公共技術服務平臺可以提供微組裝服務。SBD工藝技術服務

芯片技術的不斷突破,為電子設備的創(chuàng)新和發(fā)展提供了源源不斷的動力。天津光電器件及電路器件及電路芯片工藝定制開發(fā)

      南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司精心打造的公共技術服務平臺,是芯片工藝與微組裝測試技術的領航者。該平臺匯聚了一支由行業(yè)專業(yè)的學者與技術高手組成的精英團隊,他們憑借豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗和深厚的專業(yè)功底,致力于為全球客戶提供比較好質(zhì)的技術咨詢與解決方案。在芯片工藝服務領域,平臺憑借先進的工藝設備與強大的技術創(chuàng)新能力,能夠靈活應對客戶的多樣化需求,從制程方案的精心策劃到工藝流程的精細打磨,再到高效精細的工藝代工服務,每一個環(huán)節(jié)都力求完美,助力客戶在芯片制造領域取得突破性進展。天津光電器件及電路器件及電路芯片工藝定制開發(fā)

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