隨著全球電子信息及太陽能光伏產業(yè)對硅晶片需求量的快速增長，硅晶片線切割用碳化硅微粉的需求量也正在迅速增加。

 以碳化硅（SiC）及GaN為**的寬禁帶材料，是繼Si和GaAs之后的第三代半導體。與Si及GaAs相比，SiC具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、化學性能穩(wěn)定等優(yōu)點。所以，SiC特別適合于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件。此外，六方SiC與GaN晶格和熱膨脹相匹配，也是制造高亮度GaN發(fā)光和激光二極管的理想襯底材料。SiC晶體目前主要應用于光電器件如藍綠光發(fā)光二極管以及紫外光激光二極管和功率器件包括大功率肖托基二極管，MES晶體管微波器件等。

Cree在SiC襯底制備方面具有業(yè)內領先地位，它的產品是業(yè)界的風向標，**了需求的發(fā)展方向。江蘇4寸led碳化硅襯底

       采用碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小，且在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢。此外，碳化硅除了用作LED襯底，它還可以制造高耐壓、大功率電力電子器件如肖特基二極管（SBD/JBS）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、晶閘管（GTO）、金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）等，用于智能電網(wǎng)、太陽能并網(wǎng)、電動汽車等行業(yè)。與傳統(tǒng)硅基功率電力電子器件相比，碳化硅基功率器件可以**降低能耗，節(jié)約電力。比如一臺35kW的太陽能光伏并網(wǎng)逆變器，全部使用硅器件，能耗可達2.8kW，轉換效率為92%，全部換成碳化硅的器件后，能耗可低至1.4kW，約為硅逆變器的50%，轉換效率上升4%，為96%，一座30MW的太陽能發(fā)電站，全部使用碳化硅功率器件后可節(jié)約大量電能，節(jié)能效果十分***。碳化硅可在超過200℃的高溫下長期穩(wěn)定地工作，因此，相比于硅，碳化硅方案可以大量縮減冷卻負擔，實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化和一體化。碳化硅基電力電子器件已經應用于新一代航空母艦的電磁彈射系統(tǒng)，大幅度提高了艦載機起降效率，增強了航母作戰(zhàn)性能。 江蘇4寸led碳化硅襯底采用碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小。

  此外，碳化硅材料的重要用途還包括：微波器件襯底[3]、石墨烯外延襯底[4]、人工鉆石。碳化硅（指半絕緣型）是射頻微波器件的理想襯底材料，以之為襯底的微波器件其輸出功率密度是砷化鎵（GaAs）器件的10倍以上，工作頻率達到100GHz以上，可以***提高雷達、通信、電子對抗以及智能武器的整體性能和可靠性，使用碳化硅基微波器件的雷達其測距由原來的80～100km提升到現(xiàn)在的超過300km。在碳化硅襯底上外延生長石墨烯，可望制造高性能的石墨烯集成電路，是當前國際研發(fā)的熱點，IBM（美國）已經投入了巨資進行研發(fā)[5]，并取得了重要進展，在半絕緣型碳化硅上創(chuàng)建了全球較早全功能石墨烯集成電路[6]。碳化硅晶體的硬度僅次于鉆石，其明亮度、光澤度和火彩甚至超過了鉆石，基于碳化硅的人工鉆石（莫桑鉆）也已經面市。

    碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質異型晶體結構有200多種，其中六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料，也是目前綜合性能比較好、商品化程度比較高、技術最成熟的第三代半導體材料，與硅材料的物理性能對比，主要特性包括：（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近10倍；（2）熱導率高，超過硅材料的3倍；（3）飽和電子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗輻照和化學穩(wěn)定性好；（5）與硅材料一樣，可以直接采用熱氧化工藝在表面生長二氧化硅絕緣層。碳化硅功率半導體產業(yè)鏈主要包含單晶材料、外延材料、器件、模塊和應用這幾個環(huán)節(jié)。其中，單晶材料是碳化硅功率半導體技術和產業(yè)的基礎，主要技術指標有單晶直徑、微管密度、單晶電阻率、表面粗糙度、翹曲度等；外延材料是實現(xiàn)器件制造的關鍵，主要技術指標有外延片直徑、外延層厚度、外延層摻雜濃度和表面缺點密度等；器件是整個產業(yè)鏈的**，主要技術指標有阻斷電壓、單芯片導通電流/電阻、阻斷狀態(tài)的漏電流、工作溫度等；模塊是實現(xiàn)器件應用的橋梁。SiC作為襯底材料應用的***程度僅次于藍寶石，目前還沒有第三種襯底用于GaNLED的商業(yè)化生產。

SiC材料具有良好的電學特性和力學特性，是一種非常理想的可適應諸多惡劣環(huán)境的半導體材料。它禁帶寬度較大，具有熱傳導率高、耐高溫、抗腐蝕、化學穩(wěn)定性高等特點，以其作為器件結構材料，可以得到耐高溫、耐高壓和抗腐蝕的SiC-MEMS器件，具有廣闊的市場和應用前景。同時SiC陶瓷具有高溫強度大、抗氧化性強、耐磨損性好、熱穩(wěn)定性佳、熱膨脹系數(shù)小、熱導率大、硬度高以及抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性。因此，是當前最有前途的結構陶瓷之一，并且已在許多高技術領域(如空間技術、核物理等)及基礎產業(yè)(如石油化工、機械、車輛、造船等)得到應用，用作精密軸承、密封件、氣輪機轉子、噴嘴、熱交換器部件及原子核反應堆材料等。如利用多層多晶碳化硅表面微機械工藝制作的微型電動機，可以在490℃以上的高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。但是SiC體單晶須在高溫下生長，摻雜難于控制，晶體中存在缺點，特別是微管道缺點無法消除，而且SiC體單晶非常昂貴，因此發(fā)展低溫制備SiC薄膜技術對于SiC器件的實際應用有重大意義。碳化硅可在超過200℃的高溫下長期穩(wěn)定地工作，因此，相比于硅，碳化硅方案可以大量縮減冷卻負擔。江蘇4寸led碳化硅襯底

碳化硅材料的重要用途還包括：微波器件襯底、石墨烯外延襯底。江蘇4寸led碳化硅襯底

銷售順應行業(yè)集中度提升以及安全、節(jié)能、經濟發(fā)展的大趨勢，積極優(yōu)化產品結構，增產活性染料，將有利于行業(yè)優(yōu)勝劣汰，樹立行業(yè)標桿，在加強自身競爭力的同時，推動行業(yè)良性發(fā)展。分久必合的集中度提高。每當行業(yè)發(fā)展進入成長期，行業(yè)中相關企業(yè)數(shù)量增多，市場供給極快增長。陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液的供給過剩一般會導致行業(yè)產品收入下滑，行業(yè)企業(yè)競爭加劇，成本落后的企業(yè)得到淘汰。一體化的優(yōu)勢在于提高整個貿易型的運行效率和下游產品的競爭能力，同時豐富公司的產品線。較低的一體化是進入門檻較低的上下游，一般是購買上游的原材料進行向上一體化，高端的一體化是進入門檻較高的上下游，一般需要通過技術突破或者外延并購來實現(xiàn)。隨著我國現(xiàn)代化工規(guī)模的飛速擴張，化工正向著專業(yè)化、科技化發(fā)展。我國化工行業(yè)景氣指標保持平穩(wěn)向上的走勢?；の锪餍袠I(yè)是現(xiàn)代物流產業(yè)的重要細分領域之一，其發(fā)展與化工行業(yè)緊密相關。江蘇4寸led碳化硅襯底

蘇州豪麥瑞材料科技有限公司是一家貿易型類企業(yè)，積極探索行業(yè)發(fā)展，努力實現(xiàn)產品創(chuàng)新。是一家私營有限責任公司企業(yè)，隨著市場的發(fā)展和生產的需求，與多家企業(yè)合作研究，在原有產品的基礎上經過不斷改進，追求新型，在強化內部管理，完善結構調整的同時，良好的質量、合理的價格、完善的服務，在業(yè)界受到寬泛好評。公司業(yè)務涵蓋陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液，價格合理，品質有保證，深受廣大客戶的歡迎。豪麥瑞材料科技自成立以來，一直堅持走正規(guī)化、專業(yè)化路線，得到了廣大客戶及社會各界的普遍認可與大力支持。