到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括富士、英飛凌、利特弗斯、三菱、安半導(dǎo)體、意法半導(dǎo)體、Rohm、東芝和Wolfspeed。Wolfspeed是CREE的一部分。電力電子在世界電力基礎(chǔ)設(shè)施中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。該技術(shù)用于工業(yè)（電機(jī)驅(qū)動(dòng)）、交通（汽車、火車）、計(jì)算（電源）和可再生能源（太陽能、風(fēng)能）。電力電子設(shè)備在系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換或轉(zhuǎn)換交流電和直流電（AC和DC）。對于這些應(yīng)用，行業(yè)使用各種功率半導(dǎo)體。一些半功率晶體管是晶體管，在系統(tǒng)中用作開關(guān)。它們允許電源在“開啟”狀態(tài)動(dòng)，并在“關(guān)閉”狀態(tài)下停止。目前商用碳化硅外延設(shè)備生長速率一般為每小時(shí)10μm，且不能持續(xù)生長。遼寧進(jìn)口碳化硅襯底

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合成。按晶體結(jié)構(gòu)的不同分類，碳化硅可分為兩大類：αSiC和βSiC。在熱力學(xué)方面，碳化硅硬度在20℃時(shí)高達(dá)莫氏9.2-9.3，是硬的物質(zhì)之一，可以用于切割紅寶石；導(dǎo)熱率超過金屬銅，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其熱穩(wěn)定性高，在常壓下不可能被熔化；在電化學(xué)方面，碳化硅具有寬禁帶、耐擊穿的特點(diǎn)，其禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場為Si的10倍；且其耐腐蝕性極強(qiáng)，在常溫下可以免疫目前已知的所有腐蝕劑。進(jìn)口led碳化硅襯底4寸碳化硅已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)。

碳化硅耐高溫，與強(qiáng)酸、強(qiáng)堿均不起反應(yīng)，導(dǎo)電導(dǎo)熱性好，具有很強(qiáng)的抗輻射能力。用碳化硅粉直接升華法可制得大體積和大面積碳化硅單晶。用碳化硅單晶可生產(chǎn)綠色或藍(lán)色發(fā)光二極管、場效應(yīng)晶體管，雙極型晶體管。用碳化硅纖維可制成雷達(dá)吸波材料，在***工業(yè)中前景廣闊。碳化硅超精細(xì)微粉是生產(chǎn)碳化硅陶瓷的理想材料。碳化硅陶瓷具有優(yōu)良的常溫力學(xué)性能，如高的抗彎強(qiáng)度，優(yōu)良的抗氧化性，耐腐蝕性，非常高的抗磨損以及低的磨擦系數(shù)，而且高溫力學(xué)性能（強(qiáng)度、抗蠕變性等）是已知陶瓷材料中比較好的材料，如晶須補(bǔ)強(qiáng)可改善碳化硅的韌性和強(qiáng)度。

碳化硅被譽(yù)為下一代半導(dǎo)體材料，因?yàn)槠渚哂斜姸鄡?yōu)異的物理化學(xué)特性，被廣泛應(yīng)用于光電器件、高頻大功率、高溫電子器件。本文闡述了SiC研究進(jìn)展及應(yīng)用前景，從光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)、熱穩(wěn)定性、化學(xué)性質(zhì)、硬度和耐磨性、摻雜物六個(gè)方面介紹了SiC的性能。SiC有高的硬度與熱穩(wěn)定性,穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),大的禁帶寬度 ,高的熱導(dǎo)率,優(yōu)異的電學(xué)性能。同時(shí)介紹了SiC的制備方法：物***相沉積法和化學(xué)氣相沉積法，以及SiC薄膜表征手段。包括X射線衍射譜、傅里葉紅外光譜、拉曼光譜、X射線光電子能譜等。***講了SiC的光學(xué)性能和電學(xué)性能以及參雜SiC薄膜的光學(xué)性能研究進(jìn)展。碳化硅可在超過200℃的高溫下長期穩(wěn)定地工作，因此，相比于硅，碳化硅方案可以大量縮減冷卻負(fù)擔(dān)。

碳化硅襯底主要有導(dǎo)電型及半絕緣型兩種。其中，在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進(jìn)一步制成碳化硅功率器件，應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。中國碳化硅襯底領(lǐng)域的研究從20世紀(jì)90年代末開始，在行業(yè)發(fā)展初期受到技術(shù)水平、設(shè)備規(guī)模產(chǎn)能的限制，未能進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。21世紀(jì)，中國企業(yè)歷經(jīng)20年的研發(fā)與摸索，已經(jīng)掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)加工技術(shù)。碳化硅的硬度很大，具有優(yōu)良的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，高溫時(shí)能抗氧化。蘇州碳化硅襯底4寸導(dǎo)電

碳化硅材料的重要用途還包括：微波器件襯底、石墨烯外延襯底。遼寧進(jìn)口碳化硅襯底

功率半導(dǎo)體是大國重器，必將獲得國家戰(zhàn)略性支持。  功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高鐵、汽車、光伏、電網(wǎng)輸電等應(yīng)用的上游**零部件。 功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化是我國實(shí)現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)自主可控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。功率半導(dǎo)體必將獲得國家大基金及地方產(chǎn)業(yè)基金的持續(xù)戰(zhàn)略性支持。經(jīng)過5-10年的發(fā)展，我國將出現(xiàn)一兩家企業(yè)躋身國際功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一線梯隊(duì)。歐美日三地把控高端市場，中低端市場大陸廠商替代率穩(wěn)步上升IGBT 及中高壓MOSFET 市場主要由歐美日三地企業(yè)把控，二極管、晶閘管、中低壓MOSFET 等市場國內(nèi)企業(yè)在逐步蠶食海外廠商市場份額，進(jìn)口替代率穩(wěn)步上升。遼寧進(jìn)口碳化硅襯底