壓電陶瓷材料壓電陶瓷是實現(xiàn)機械能與電能相互轉(zhuǎn)換重要的功能材料,廣泛應用于音響設備、傳感器、報警器、超聲清洗、醫(yī)療診斷及通訊等許多領(lǐng)域。一般壓電陶瓷材料為鋯鈦酸鉛(PZT)系,有的瓷料中氧化鉛含量高達60~70%左右,由于生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的粉塵及燒結(jié)過程中的鉛揮發(fā),這不僅給工藝和產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定帶來諸多問題,而且給生態(tài)環(huán)境和人類的健康帶來危害,研究新型無鉛壓電陶瓷以減少對環(huán)境的污染己成為一項十分緊迫的任務。 1961年前蘇聯(lián)學者Smolensky等人發(fā)現(xiàn)鈦酸鉍鈉(Bi1/2Na1/2)TiO3,簡稱BNT為鈣鈦礦型(ABO3)鐵電體。其居里點為320℃。極化困難限制其實際應用,直到80年代末,90年代初日本學者Takenaka等人用Ba++ 對Bi1/2Na1/2 進行A位置換,出現(xiàn)了BNT-BaTiO3系,即BNBT系壓電陶瓷,解決了BNT難以極化問題;獲得頻率常數(shù)高,介電常數(shù)較小,具有很大各向異性的新體系。走進江蘇中超金屬科技,領(lǐng)略特種陶瓷的獨特魅力與風采。長寧區(qū)常見特種陶瓷
常用的有聚乙烯醇和聚乙烯醇縮丁醛。增塑劑有乙二醇、甘油,鄰苯二甲酸二丁醇等。溶劑有水和乙醇等。潤濕劑和消泡劑有鯡魚油、鯨油、蓖麻油等。流延法可制得厚度為0.05mm以下的薄膜(常用激光測厚儀隨機檢測),設備不太復雜且工藝穩(wěn)定,表面光潔度高,便于生產(chǎn)連續(xù)化與自動化,生產(chǎn)效率高??捎糜谏a(chǎn)微型電子陶瓷元件,現(xiàn)已在陶瓷電容器和基板等方面獲得廣泛應用。它為電子元件的微型化,超大規(guī)模集成電路的應用,提供了廣闊的前景。燒結(jié)方法特種陶瓷制品因其特殊的性能要求,需要用不同于傳統(tǒng)陶瓷制品的燒成工藝與燒結(jié)技術(shù)。隨著特種陶瓷工業(yè)的發(fā)展,其燒成機理、燒結(jié)技術(shù)及特殊的窯爐設施的研究取得突破性的進展。青浦區(qū)特種陶瓷大概多少錢特種陶瓷,江蘇中超金屬科技的驕傲,也是行業(yè)的瑰寶。
好的結(jié)合劑易于被粉料充分潤濕,且內(nèi)聚力大。當結(jié)合劑被粉料潤濕時,在相互分子間發(fā)生引力作用,結(jié)合劑與粉料間發(fā)生紅結(jié)合(一次結(jié)合),同時,在結(jié)合劑分子內(nèi),由于取向、誘導、分散效果而產(chǎn)生內(nèi)聚力(二次結(jié)合)。雖然水也能把楊料充分潤濕,但水易揮發(fā),分子量較小,內(nèi)聚力小,不是好的結(jié)合劑。按各種有機材料內(nèi)聚力大小順序,用基表示可排列如下:一CONH一>;-CONH2>;一COOH>;一OH>;-NO2>;-COOC2H5>;一COOCH5>;-CHO>=CO>;-CH3>=CH2>;-CH2
相變熱壓燒結(jié)利用氧化鋯在相變溫度800~1200℃之間和0.3MPa壓力下,進行熱壓燒結(jié)可以比在正常燒結(jié)溫度低的情況下,幾十分鐘內(nèi)燒結(jié)出高穩(wěn)定、**度、高透明度的結(jié)晶陶瓷。2分解熱壓燒結(jié)利用與某一氧化物陶瓷相對應的氫氧化物或水合物為原料,在高溫過程中發(fā)生脫水或釋氣分解時,出現(xiàn)活性極高的介溫假晶結(jié)構(gòu)。此時施加合適的機械力進行熱壓燒結(jié),則可在較低溫度、壓力和短時間內(nèi)獲得高密度、**度的質(zhì)量陶瓷。例如利用鎂或鋁的氫氧化物(或其硫酸鹽)在高溫下(900~1200℃)發(fā)生脫水或釋氣分解時,進行熱壓,只需加0.3~1MPa壓力,保持0.5h,就可獲得高密度的制品。特種陶瓷在江蘇中超金屬科技手中,煥發(fā)出前所未有的光彩。
噴霧熱分解法噴霧熱分解法是將金屬鹽溶液噴霧至高溫介質(zhì)氣體中,使溶液蒸發(fā)和金屬鹽受熱分解在瞬間發(fā)生而獲得氧化物粉末。***于復合氧化物系超微粉末的合成。所制得的氧化物離子為球狀,流動性好,易于制粒成型。通常有冰凍干燥法、噴霧干燥法和噴霧熱分解三種。2氣相法以金屬、金屬化合物等為原料,通過熱源、電子束、激光氣化或誘導,在氣相中進行化學反應,并控制產(chǎn)物的凝聚、生成,從而合成超微細粉。除適用于氧化物制備外,還是適用于制備液相法難于直接合成的氮化物、碳化物等非氧化物。探索特種陶瓷的奧秘,就在江蘇中超金屬科技有限公司。松江區(qū)特種陶瓷誠信合作
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目前國內(nèi)外主要采用Al2O3陶瓷作為集成電路基板材料,然而隨著電子元器件向高性能、高密度、大功率、小型化、低成本方向發(fā)展,迫切希望采用高導熱系數(shù)陶瓷基板,理論上**適宜的候選材料有金剛石(C)、立方氮化硼(BN)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)和氮化鋁(AlN)等。由于AlN導熱系數(shù)高達250W·m-1·K-1,雖比SiC及BeO略低,但比Al2O3略高8~10倍,其體積電阻率,擊穿強度,介電損耗等電氣性能可與Al2O3瓷媲美,且介電常數(shù)較低,機械強度也較高,熱膨脹系數(shù)為4.4ppm/℃,接近于Si可進行多層布線。長寧區(qū)常見特種陶瓷
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