1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發(fā)現(xiàn)后，二極管成為了世界上頭一種半導體器件?，F(xiàn)如今的二極管大多是使用硅來生產，鍺等其它半導體材料有時也會用到。目前較常見的結構是，一個半導體性能的結芯片通過PN結連接到兩個電終端。二極管的優(yōu)勢在于其體積小、重量輕、功耗低，適用于各種電子設備中。中山面接觸型二極管價位

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。東莞阻尼二極管二極管還可以用于信號放大和頻率變換等電路，提高電路的性能。

PIN二極管，PIN二極管英文名稱為Pin diode，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質的半導體）構造出來的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由于少數(shù)載流子的存貯效應和"本征"層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，"本征"區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入"本征"區(qū)，而使"本征"區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此，可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。

靜電放電（ESD）二極管，靜電放電的英文全稱為Electro-Static Discharge，簡稱ESD，ESD二極管是一種具有兩個電極的半導體器件，當加在兩極間的電壓達到一定值時，在其間產生電場使電子移動而形成電流。當ESD二極管的兩只引腳之間加有交變電壓時，則其集電極和發(fā)射結之間的電容量就會發(fā)生變化；如果此時給該二極管加上反向偏置電壓或輸入一個低電平的信號脈沖，則它的輸出端將會出現(xiàn)很大的電流。這就是所謂的“漏極開路”現(xiàn)象（簡稱“開路”）。二極管正向導通時具有低電阻，反向截止時具有高電阻，具有整流和限流功能。

PIN二極管（P-intrinsic-N Diode），PN之間一層高電阻的半導體層，使少數(shù)載流子的積蓄效果增加，逆回復時間也較長。利用正向偏置時高頻率信號較容易通過的性質，用于天線的頻帶切換以及高頻率開關。耿效應二極管，應用于低功率微波振蕩器。二極真空管，氣體放電管整流器，針狀電極和平板電極相向接近頂端放電。若把針狀電極當做負極，比較低的電壓就會開始放電。利用這樣的性質來做當作整流器。點接觸二極管，用鎢之類的金屬針狀電極與N型半導體的表面接觸，此構造的特征是寄生電容非常小。采用于鍺質二極管和 耿效應二極管 。礦石收音機中使用的 礦石檢波器 （ 日語 ： 鉱石検波器 ） 也是一種點接觸二極管。二極管還可以用于設計逆變器、振蕩器、繼電器、光電設備等電子器件。東莞阻尼二極管

氮化鎵二極管使用于高溫、高頻、高電壓和高功率的應用場合，具有較高的工作效率。中山面接觸型二極管價位

對單顆LED 的驅動，此電路通過單片機I/O 口直接驅動LED。當I/O 口輸出高電平時，LED 兩端等電位，無電流，LED 熄滅；當I/O 口輸出低電平時，電流從電源經R1、LED1、I/O 口流進單片機，LED 亮。LED 的亮度與流經它的電流大小成正比，而電流大小由R1 阻值決定。此驅動方式可稱為灌電流驅動。此電路通過單片機I/O 口直接驅動LED。當I/O 口輸出低電平時，LED 兩端等電位，無電流，LED 熄滅；當I/O 口輸出高電平時，電流從單片機I/O 經R2、LED2 流到地，LED 亮。LED 的亮度與流經它的電流大小成正比，而電流大小由R2 阻值決定。此驅動方式可稱為拉電流驅動。中山面接觸型二極管價位