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中山P溝道場效應(yīng)管尺寸

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-01-07

眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場效應(yīng)管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):頭一,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);第二,具有垂直導(dǎo)電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,而是自重?fù)诫sN+區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),然后垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應(yīng)管。場效應(yīng)管有多種類型,如JFET、MOSFET等,滿足不同應(yīng)用需求。中山P溝道場效應(yīng)管尺寸

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對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般?。?00~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,因信號頻率相對載波頻率太高的話,相對延時(shí)太多,且所需驅(qū)動功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點(diǎn):單電源工作,控制信號與驅(qū)動實(shí)現(xiàn)隔離,結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。來看這個(gè)電路,控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中,源漏兩端沒有接反,R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大,R113控制柵極的常態(tài),將R113上拉為高,截至PMOS,同時(shí)也可以看作是對控制信號的上拉,當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時(shí),即輸出為開漏時(shí),并不能驅(qū)動PMOS關(guān)閉,此時(shí),就需要外部電壓給予的上拉,所以電阻R113起到了兩個(gè)作用。R110可以更小,到100歐姆也可。中山P溝道場效應(yīng)管尺寸選型場效應(yīng)管時(shí)需考慮工作頻率、功率需求等因素。

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判斷源極S、漏極D,將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因?yàn)闇y試前提不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量漏-源通態(tài)電阻RDS(on),在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實(shí)測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。

場效應(yīng)管使用優(yōu)勢:場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是既有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比三極管好。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用?;緢鲂?yīng)管的特點(diǎn)包括輸入電阻高、輸入電容低。

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場效應(yīng)管主要參數(shù):場效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù):飽和漏源電流IDSS,夾斷電壓Up,(結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,或開啟電壓UT(加強(qiáng)型絕緣柵管)、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一、飽和漏源電流,飽和漏源電流IDSS:是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。二、夾斷電壓,夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。場效應(yīng)管具有很高的耐壓特性,可承受較高的電壓,適用于高壓電路?;葜莅雽?dǎo)體場效應(yīng)管行價(jià)

MOSFET通過柵極與源極電壓調(diào)節(jié),是現(xiàn)代電子器件中常見的元件。中山P溝道場效應(yīng)管尺寸

下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn),然后對1,2重點(diǎn)進(jìn)行分析:1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2:SOA失效(電流失效),既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,損耗過高器件長時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。3:體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。4:諧振失效:在并聯(lián)使用的過程中,柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。5:靜電失效:在秋冬季節(jié),由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。6:柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。中山P溝道場效應(yīng)管尺寸

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