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南京MOS場效應(yīng)管尺寸

來源: 發(fā)布時間:2025-07-08

馬達控制應(yīng)用馬達控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個),但這兩個MOSFET的關(guān)斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應(yīng)用,反向恢復(fù)時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞組)時,控制電路把橋式電路中的MOSFET切換到關(guān)斷狀態(tài),此時橋式電路中的另一個開關(guān)經(jīng)過MOSFET中的體二極管臨時反向傳導(dǎo)電流。于是,電流重新循環(huán),繼續(xù)為馬達供電。當頭一個MOSFET再次導(dǎo)通時,另一個MOSFET二極管中存儲的電荷必須被移除,通過頭一個MOSFET放電,而這是一種能量的損耗,故trr 越短,這種損耗越小。JFET有三個電極:柵極、漏極和源極,工作原理類似MOSFET。南京MOS場效應(yīng)管尺寸

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場效應(yīng)晶體管:截止區(qū):當 UGS 小于開啟電壓 UGSTH時,MOS 不導(dǎo)通??勺冸娮鑵^(qū):UDS 很小,I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū):UDS 變化,I_DID 變化很小。擊穿區(qū):UDS 達到一定值時,MOS 被擊穿,I_DID 突然增大,如果沒有限流電阻,將被燒壞。過損耗區(qū):功率較大,需要加強散熱,注意較大功率。場效應(yīng)管主要參數(shù)。場效應(yīng)管的參數(shù)很多,包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù),但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù):飽和漏源電流IDSS,夾斷電壓Up,(結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管,或開啟電壓UT(加強型絕緣柵管)、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。江門金屬場效應(yīng)管價格場效應(yīng)管在功率電子領(lǐng)域具有重要作用,如變頻器、逆變器等,提高電能轉(zhuǎn)換效率。

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對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取(400~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合,因信號頻率相對載波頻率太高的話,相對延時太多,且所需驅(qū)動功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合,它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點:單電源工作,控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離,結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小,尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。

電極,所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source)三個端,分別大致對應(yīng)BJT的基極(base)、集電極(collector)和發(fā)射極(emitter)。除JFET以外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運行;在電路設(shè)計中,很少讓體端發(fā)揮大的作用,但是當物理設(shè)計一個集成電路的時候,它的存在就是重要的。在圖中柵極的長度(length)L,是指源和漏的距離。寬度(width)是指晶體管的范圍,在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,0.2微米則是約30GHz。選擇場效應(yīng)管時,應(yīng)考慮其耐壓、耐流等參數(shù),以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運行。

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Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管,制造非對稱晶體管有很多理由,但所有的較終結(jié)果都是一樣的,一個引線端被優(yōu)化作為drain,另一個被優(yōu)化作為source,如果drain和source對調(diào),這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS管也存在,是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置,電子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累,沒有channel形成。場效應(yīng)管具有放大作用,能將較小的輸入信號放大成較大的輸出信號,普遍應(yīng)用于音頻放大器、射頻放大器等。江門金屬場效應(yīng)管價格

使用場效應(yīng)管時需注意靜電防護,防止損壞敏感的柵極。南京MOS場效應(yīng)管尺寸

MOS管發(fā)熱情況有:1.電路設(shè)計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計電路的較忌諱的錯誤。2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計,電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于較大電流,也可能發(fā)熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。南京MOS場效應(yīng)管尺寸

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