廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。
UV 納米壓印光刻膠:JT-2000 型號,耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝,如半導體器件制造。
其他光刻膠
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水油光刻膠 JT-2001:屬于水油兩用光刻膠,具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質保障、性能穩(wěn)定的特點,重量 1L。
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水油光刻膠 SR-3308:同樣為水油兩用光刻膠,重量 5L,具備上述通用優(yōu)勢,應用場景。
吉田半導體強化研發(fā),布局下一代光刻技術。大連低溫光刻膠感光膠
技術趨勢與挑戰(zhàn)
半導體先進制程:
? EUV光刻膠需降低缺陷率(目前每平方厘米缺陷數<10個),開發(fā)低粗糙度(≤5nm)材料;
? 極紫外吸收問題:膠膜對13.5nm光吸收率高,需厚度控制在50-100nm,挑戰(zhàn)化學增幅體系的靈敏度。
環(huán)保與低成本:
? 水性負性膠替代溶劑型膠(如PCB阻焊膠),減少VOC排放;
? 單層膠工藝替代多層膠,簡化流程(如MEMS厚膠的一次性涂布)。
新興領域拓展:
? 柔性電子:開發(fā)耐彎曲(曲率半徑<5mm)、低模量感光膠,用于可穿戴設備電路;
? 光子芯片:高折射率膠(n>1.8)制作光波導,需低傳輸損耗(<0.1dB/cm)。
典型產品與廠商
? 半導體正性膠:
? 日本信越(Shin-Etsu)的ArF膠(分辨率22nm,用于12nm制程);
? 美國陶氏(Dow)的EUV膠(靈敏度10mJ/cm2,缺陷密度<5個/cm2)。
? PCB負性膠:
? 中國容大感光(LP系列):耐堿性蝕刻,厚度20-50μm,國產化率超60%;
? 日本東京應化(TOK)的THMR-V:全球PCB膠市占率30%,適用于高可靠性汽車板。
? MEMS厚膠:
? 美國陶氏的SU-8:實驗室常用,厚度5-200μm,分辨率1μm(需優(yōu)化交聯均勻性);
? 德國Microresist的MR膠:耐深硅蝕刻,線寬精度±2%,用于工業(yè)級MEMS制造。
浙江LCD光刻膠報價吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造環(huán)保光刻膠。
吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業(yè)鏈:
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芯片制造:YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲,支持國產 14nm 芯片量產。
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顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%,成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
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新能源領域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認證,批量應用于寧德時代儲能系統(tǒng),年供貨量超 500 噸。
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研發(fā)投入:年研發(fā)費用占比超 15%,承擔國家 02 專項課題,獲 “國家技術發(fā)明二等獎”。
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產能規(guī)模:光刻膠年產能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認證,生產過程執(zhí)行 8S 管理,批次穩(wěn)定性達 99.5%。
吉田半導體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā),加速 EUV 光刻膠與木基材料技術突破,目標在 2027 年前實現 7nm 制程材料量產。同時,深化國產供應鏈協(xié)同,構建 “材料 - 設備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈,為中國半導體產業(yè)自主化貢獻 “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業(yè)標準,吉田半導體以自研自產為引擎,走出了一條中國半導體材料企業(yè)的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產品與技術,助力中國半導體產業(yè)邁向更高臺階。
技術驗證周期長
半導體光刻膠的客戶驗證周期通常為2-3年,需經歷PRS(性能測試)、STR(小試)、MSTR(批量驗證)等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,預計2025年才能進入穩(wěn)定供貨階段。
原材料依賴仍存
樹脂和光酸仍依賴進口,如KrF光刻膠樹脂的單體國產化率不足10%。國內企業(yè)需在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝等關鍵技術上持續(xù)突破。
未來技術路線
? 金屬氧化物基光刻膠:氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現出更高分辨率和穩(wěn)定性,清華大學團隊已實現5nm線寬的原型驗證。
? 電子束光刻膠:中科院微電子所開發(fā)的聚酰亞胺基電子束光刻膠,分辨率達1nm,適用于量子芯片制造。
? AI驅動材料設計:華為與中科院合作,利用機器學習優(yōu)化光刻膠配方,研發(fā)周期縮短50%。
光刻膠技術突破加速,對芯片制造行業(yè)有哪些影響?
晶圓制造(前道工藝)
? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。
? 細分場景:
? 邏輯/存儲芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠(分辨率≤45nm),以及極紫外(EUV)光刻膠(目標7nm以下,研發(fā)中)。
? 功率半導體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),滿足深溝槽刻蝕需求。
? MEMS傳感器:通過高深寬比光刻膠(如SU-8)實現微米級結構(如加速度計、陀螺儀的懸臂梁)。
芯片封裝(后道工藝)
? 先進封裝技術:
? Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),線寬精度要求≤10μm。
? 2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,光刻膠用于定義通孔開口(直徑5-50μm)。
厚板光刻膠 JT-3001,抗深蝕刻,PCB 電路板制造Preferred!上海負性光刻膠品牌
深圳光刻膠廠家哪家好?大連低溫光刻膠感光膠
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全品類覆蓋
吉田半導體產品線涵蓋正性 / 負性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領域需求,技術布局全面性于多數國內廠商。
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關鍵技術突破
納米壓印技術:JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達 250℃,支持納米級精度圖案復制,適用于第三代半導體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領域,技術指標接近國際先進水平。
水性環(huán)保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標準,環(huán)保性能優(yōu)于同類產品。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達數十微米),滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
大連低溫光刻膠感光膠
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