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廈門UV納米光刻膠生產(chǎn)廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-06-14

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。

厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。

負(fù)性光刻膠

  • SU-3 負(fù)性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
  • 負(fù)性光刻膠 JT-1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,具有優(yōu)異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度,光源適應(yīng)。主要應(yīng)用于對光刻精度要求高的領(lǐng)域,如半導(dǎo)體器件制造。
  • 耐腐蝕負(fù)性光刻膠 JT-NF100:重量 1L,具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風(fēng)險(xiǎn)的光刻工藝,如特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。


負(fù)性光刻膠的工藝和應(yīng)用場景。廈門UV納米光刻膠生產(chǎn)廠家

廈門UV納米光刻膠生產(chǎn)廠家,光刻膠

  1. 正性光刻膠(如 YK-300)
    應(yīng)用場景:用于芯片的精細(xì)圖案化,如集成電路(IC)、分立器件(二極管、三極管)的制造。
    特點(diǎn):高分辨率(可達(dá)亞微米級),適用于多層光刻工藝,確保芯片電路的高精度與可靠性。
  2. 負(fù)性光刻膠(如 JT-1000)
    應(yīng)用場景:用于功率半導(dǎo)體(如 MOSFET、IGBT)的制造,以及傳感器(如 MEMS)的微結(jié)構(gòu)成型。
    特點(diǎn):抗蝕刻能力強(qiáng),適合復(fù)雜圖形的轉(zhuǎn)移,尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
  3. 納米壓印光刻膠(JT-2000)
    應(yīng)用場景:第三代半導(dǎo)體(GaN、SiC)芯片、量子點(diǎn)器件及微流控芯片的制造。特點(diǎn):耐高溫(250℃)、耐酸堿,支持納米級精度圖案復(fù)制,降低芯片的制造成本。
北京制版光刻膠報(bào)價(jià)吉田質(zhì)量管控與認(rèn)證壁壘。

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 晶圓制造(前道工藝)

? 功能:在硅片表面形成高精度電路圖形,是光刻工藝的主要材料。

? 細(xì)分場景:

? 邏輯/存儲(chǔ)芯片:用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠(分辨率0.25-1μm)、14nm以下先進(jìn)制程的ArF浸沒式光刻膠(分辨率≤45nm),以及極紫外(EUV)光刻膠(目標(biāo)7nm以下,研發(fā)中)。

? 功率半導(dǎo)體(如IGBT):使用厚膜光刻膠(膜厚5-50μm),滿足深溝槽刻蝕需求。

? MEMS傳感器:通過高深寬比光刻膠(如SU-8)實(shí)現(xiàn)微米級結(jié)構(gòu)(如加速度計(jì)、陀螺儀的懸臂梁)。

 芯片封裝(后道工藝)

? 先進(jìn)封裝技術(shù):

? Flip Chip(倒裝芯片):用光刻膠形成凸點(diǎn)(Bump)下的 Redistribution Layer(RDL),線寬精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封裝:在硅通孔(TSV)工藝中,光刻膠用于定義通孔開口(直徑5-50μm)。

? 正性光刻膠

? YK-300:適用于半導(dǎo)體制造,具備高分辨率(線寬≤10μm)、耐高溫(250℃)、耐酸堿腐蝕特性,主要用于28nm及以上制程的晶圓制造,適配UV光源(365nm/405nm)。

? 技術(shù)優(yōu)勢:采用進(jìn)口樹脂及光引發(fā)劑,絕緣阻抗高(>10^14Ω),滿足半導(dǎo)體器件對絕緣性的嚴(yán)苛要求。

? 負(fù)性光刻膠

? JT-1000:負(fù)性膠,主打優(yōu)異抗深蝕刻性能,分辨率達(dá)3μm,適用于功率半導(dǎo)體、MEMS器件制造,可承受氫氟酸(HF)、磷酸(H3PO4)等強(qiáng)腐蝕液處理。

? SU-3:經(jīng)濟(jì)型負(fù)性膠,性價(jià)比高,適用于分立器件及低端邏輯芯片,光源適應(yīng)性廣(248nm-436nm),曝光靈敏度≤200mJ/cm2。

2. 顯示面板光刻膠

? LCD正性光刻膠YK-200:專為TFT-LCD制程設(shè)計(jì),具備高涂布均勻性(膜厚誤差±1%)、良好的基板附著力,用于彩色濾光片(CF)和陣列基板(Array)制造,支持8.5代線以上大規(guī)模生產(chǎn)。

? 水性感光膠JT-1200:環(huán)保型產(chǎn)品,VOC含量<50g/L,符合歐盟RoHS標(biāo)準(zhǔn),適用于柔性顯示基板,可制作20μm以下精細(xì)網(wǎng)點(diǎn),主要供應(yīng)京東方、TCL等面板廠商。

吉田半導(dǎo)體光刻膠,45nm 制程驗(yàn)證,國產(chǎn)替代方案!

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吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈:

  • 芯片制造:YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國際、長江存儲(chǔ),支持國產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。
  • 顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%,成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
  • 新能源領(lǐng)域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認(rèn)證,批量應(yīng)用于寧德時(shí)代儲(chǔ)能系統(tǒng),年供貨量超 500 噸。
  • 研發(fā)投入:年研發(fā)費(fèi)用占比超 15%,承擔(dān)國家 02 專項(xiàng)課題,獲 “國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)”。
  • 產(chǎn)能規(guī)模:光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
  • 質(zhì)量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認(rèn)證,生產(chǎn)過程執(zhí)行 8S 管理,批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%。
吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā),加速 EUV 光刻膠與木基材料技術(shù)突破,目標(biāo)在 2027 年前實(shí)現(xiàn) 7nm 制程材料量產(chǎn)。同時(shí),深化國產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同,構(gòu)建 “材料 - 設(shè)備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈,為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化貢獻(xiàn) “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),吉田半導(dǎo)體以自研自產(chǎn)為引擎,走出了一條中國半導(dǎo)體材料企業(yè)的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產(chǎn)品與技術(shù),助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺(tái)階。
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 先進(jìn)制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動(dòng)7nm及以下制程的國產(chǎn)化進(jìn)程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠(如中芯國際)在DUV多重曝光技術(shù)下,能夠以更低成本實(shí)現(xiàn)接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機(jī)禁運(yùn)的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗(yàn)證,為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。

 EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進(jìn)口,但國內(nèi)企業(yè)已啟動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實(shí)現(xiàn)噸級訂單,科技部“十四五”專項(xiàng)計(jì)劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)”技術(shù),將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2,較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術(shù)儲(chǔ)備奠定基礎(chǔ)。

 新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的功能型光刻膠,在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個(gè)有機(jī)晶體管,實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成(ULSI)水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用,還為碳基芯片、量子計(jì)算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。

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