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江西負性光刻膠報價

來源: 發(fā)布時間:2025-06-16

吉田半導體 SU-3 負性光刻膠:國產技術賦能 5G 芯片封裝

自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠支持 3 微米厚膜加工,成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對 5G 芯片封裝需求,吉田半導體自主研發(fā) SU-3 負性光刻膠,分辨率達 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學性確保復雜圖形的完整性,已應用于高通 5G 基帶芯片量產。產品采用國產原材料與工藝,不采用國外材料,成本較進口產品降低 40%,幫助客戶提升封裝良率至 98.5%,為國產 5G 芯片制造提供關鍵材料支撐。
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光刻膠的工作原理:

1. 涂覆與曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均勻涂覆光刻膠,通過掩膜(或直接電子束掃描)對特定區(qū)域曝光。

2. 化學變化:曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學反應(正性膠曝光后溶解,負性膠曝光后交聯(lián)不溶)。

3. 顯影與刻蝕:溶解未反應的部分,留下圖案化的膠層,作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模,將圖案轉移到基底上。

在納米技術中,關鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限(λ/2),因此需依賴高能束曝光技術(如電子束光刻、極紫外EUV光刻)和高性能光刻膠(高分辨率、低缺陷)。

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“設備-材料-工藝”閉環(huán)驗證
吉田半導體與中芯國際、華虹半導體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機制,針對28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠,例如其KrF光刻膠已通過中芯國際北京廠的產線驗證,良率達95%以上。此外,公司參與國家重大專項(如02專項),與中科院微電子所合作開發(fā)EUV光刻膠基礎材料,雖未實現量產,但在酸擴散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破。

政策支持與成本優(yōu)勢
作為廣東省專精特新企業(yè),吉田半導體享受稅收優(yōu)惠(如15%企業(yè)所得稅)和研發(fā)補貼(2023年獲得國家補助超2000萬元),比較明顯降低產品研發(fā)成本。同時,其本地化生產(東莞松山湖基地)可將物流成本壓縮至進口產品的1/3,并實現48小時緊急訂單響應,這對中小客戶具有吸引力。

國產替代進程加速
日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后,國內企業(yè)加速驗證本土產品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產線2024年12月獲兩家大廠百萬大單,二期300噸生產線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數接近日本UV1610,已通過中芯國際14nm工藝驗證。預計到2025年,國內KrF/ArF光刻膠國產化率將從不足5%提升至10%。

 原材料國產化突破
光刻膠樹脂占成本50%-60%,八億時空的光刻膠樹脂產線預計2025年實現百噸級量產,其產品純度達到99.999%,金屬雜質含量低于1ppb。怡達股份作為全球電子級PM溶劑前段(市占率超40%),與南大光電合作開發(fā)配套溶劑,打破了日本關東化學的壟斷。這些進展使光刻膠生產成本降低約20%。

 供應鏈風險緩解
合肥海關通過“空中專線”保障光刻膠運輸,將進口周期從28天縮短至17天,碳排放減少18%。國內在建12座光刻膠工廠(占全球總數58%),預計2025年產能達3000噸/年,較2023年增長150%。
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光刻膠(Photoresist)是一種對光敏感的高分子材料,主要用于光刻工藝中,通過光化學反應實現圖案的轉移,是半導體、集成電路(IC)、印刷電路板(PCB)、液晶顯示(LCD)等制造領域的材料之一。

光刻膠特性與組成

? 光敏性:在特定波長(如紫外光、極紫外光EUV等)照射下,會發(fā)生化學結構變化(如交聯(lián)或分解),從而改變在顯影液中的溶解性。

? 主要成分:

? 樹脂(成膜劑):形成基礎膜層,決定光刻膠的機械和化學性能。

? 光敏劑:吸收光能并引發(fā)化學反應(如光分解、光交聯(lián))。

? 溶劑:調節(jié)粘度,便于涂覆成膜。

? 添加劑:改善性能(如感光度、分辨率、對比度等)。
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政策支持:500億加碼產業(yè)鏈。江西負性光刻膠報價

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。

UV 納米壓印光刻膠:JT-2000 型號,耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高,重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝,如半導體器件制造。

其他光刻膠

  • 水油光刻膠 JT-2001:屬于水油兩用光刻膠,具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質保障、性能穩(wěn)定的特點,重量 1L。
  • 水油光刻膠 SR-3308:同樣為水油兩用光刻膠,重量 5L,具備上述通用優(yōu)勢,應用場景。


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