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內(nèi)蒙古厚膜光刻膠

來源: 發(fā)布時間:2025-07-09

作為東莞松山湖的企業(yè),吉田半導體深耕光刻膠領(lǐng)域 23 年,成功研發(fā)出 YK-300 半導體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達 98% 以上,已通過中芯國際等晶圓廠驗證;JT-2000 突破耐高溫極限,在 250℃復雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性,適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進口原材料與全自動化生產(chǎn)工藝,產(chǎn)品通過 ISO9001 認證及歐盟 RoHS 標準,遠銷全球并與跨國企業(yè)建立長期合作,加速國產(chǎn)替代進程。感光膠的工藝和應用。內(nèi)蒙古厚膜光刻膠

內(nèi)蒙古厚膜光刻膠,光刻膠

作為深耕半導體材料領(lǐng)域二十余年的綜合性企業(yè),廣東吉田半導體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)全流程。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,持續(xù)推出符合國際環(huán)保標準的半導體材料解決方案。

公司在錫膏、焊片等產(chǎn)品中采用無鹵無鉛配方,嚴格遵循 RoHS 指令要求,避免使用有害物質(zhì)。以錫膏為例,其零鹵素配方通過第三方機構(gòu)認證,不僅減少了電子產(chǎn)品廢棄后的環(huán)境負擔,還提升了焊接可靠性,適用于新能源汽車、精密電子設(shè)備等領(lǐng)域。同時,納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產(chǎn)過程中,公司通過優(yōu)化原料配比,減少揮發(fā)性有機物(VOCs)排放,確保產(chǎn)品符合歐盟 REACH 法規(guī)。

山東阻焊光刻膠光刻膠的儲存條件嚴苛,需在低溫、避光環(huán)境下保存以維持穩(wěn)定性。

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作為中國半導體材料領(lǐng)域的企業(yè),吉田半導體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略,通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新,成功突破多項 “卡脖子” 技術(shù),構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國產(chǎn)化能力。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造、顯示面板、精密電子等領(lǐng)域,為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐。
吉田半導體依托自主研發(fā)中心產(chǎn)學研合作,在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項技術(shù)突破:
  • YK-300 正性光刻膠:分辨率達 0.35μm,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,適用于 45nm 及以上制程,良率達 98% 以上,成本較進口產(chǎn)品降低 40%,已通過中芯國際量產(chǎn)驗證。
  • SU-3 負性光刻膠:支持 3μm 厚膜加工,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,成功應用于高通 5G 基帶芯片封裝,良率提升至 98.5%。
  • JT-2000 納米壓印光刻膠:突破 250℃耐高溫極限,圖形保真度 > 95%,性能對標德國 MicroResist 系列,已應用于國產(chǎn) EUV 光刻機前道工藝。

? 化學反應:

? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;

? 負性膠:曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

5. 顯影(Development)

? 顯影液:

? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區(qū)域;

? 負性膠:有機溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區(qū)域。

? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘(Post-Bake)

? 目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件:

? 溫度:100-150℃(半導體用正性膠可能更高,如180℃);

? 時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。

7. 蝕刻/離子注入(后續(xù)工藝)

? 蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);

? 離子注入:膠膜保護未曝光區(qū)域,使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域(半導體摻雜工藝)。

8. 去膠(Strip)

? 方法:

? 濕法去膠:強氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);

? 干法去膠:氧等離子體灰化(半導體領(lǐng)域,無殘留)。

在集成電路制造中,正性光刻膠曝光后顯影時被溶解,而負性光刻膠則保留曝光區(qū)域。

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廣東吉田半導體材料有限公司的產(chǎn)品體系豐富且功能強大。

在光刻膠領(lǐng)域,芯片光刻膠為芯片制造中的精細光刻環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵支持,確保芯片線路的精細刻畫;

納米壓印光刻膠適用于微納加工,助力制造超精細的微納結(jié)構(gòu);

LCD 光刻膠則滿足液晶顯示面板生產(chǎn)過程中的光刻需求,保障面板成像質(zhì)量。

在電子焊接方面,半導體錫膏與焊片性能,能實現(xiàn)可靠的電氣連接,廣泛應用于各類電子設(shè)備組裝。

靶材產(chǎn)品在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關(guān)鍵作用,通過精細控制材料沉積,為半導體器件制造提供高質(zhì)量的薄膜材料。憑借出色品質(zhì),遠銷全球,深受眾多世界 500 強企業(yè)和電子加工企業(yè)青睞 。 高分辨率光刻膠需滿足亞微米甚至納米級線寬的圖形化需求。杭州油墨光刻膠國產(chǎn)廠家

化學放大光刻膠(CAR)采用光酸催化劑,可顯著提高深紫外(DUV)曝光效率。內(nèi)蒙古厚膜光刻膠

 綠色制造與循環(huán)經(jīng)濟
公司采用水性光刻膠技術(shù),溶劑揮發(fā)量較傳統(tǒng)產(chǎn)品降低60%,符合歐盟REACH法規(guī)和國內(nèi)環(huán)保標準。同時,其光刻膠廢液回收項目已投產(chǎn),通過膜分離+精餾技術(shù)實現(xiàn)90%溶劑循環(huán)利用,年減排VOCs(揮發(fā)性有機物)超100噸。

 低碳供應鏈管理
吉田半導體與上游供應商合作開發(fā)生物基樹脂,部分產(chǎn)品采用可再生原料(如植物基丙烯酸酯),碳排放強度較傳統(tǒng)工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領(lǐng)域獲得客戶青睞,相關(guān)訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
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