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貴州正性光刻膠報(bào)價

來源: 發(fā)布時間:2025-07-10

主要優(yōu)勢:細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同

 技術(shù)積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn),實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,分辨率達(dá)3μm,適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域,填補(bǔ)了國內(nèi)空白。
技術(shù)壁壘:掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術(shù),部分原材料純度達(dá)PPT級,金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。

 產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如:

? LCD光刻膠:適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù),與京東方、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品,良率提升至98%。

? 半導(dǎo)體錫膏:供應(yīng)華為、OPPO等企業(yè),年采購量超200噸,用于5G手機(jī)主板封裝。
技術(shù)化延伸:計(jì)劃2025年啟動半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),目標(biāo)進(jìn)入中芯國際、長江存儲供應(yīng)鏈。

 質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證,生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理,原材料采用美、德、日進(jìn)口高質(zhì)量材料。擁有全自動化生產(chǎn)線,年產(chǎn)能達(dá)2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規(guī)模訂單交付。

極紫外光刻膠(EUV)需應(yīng)對13.5nm波長的高能光子,對材料純凈度要求極高。貴州正性光刻膠報(bào)價

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吉田半導(dǎo)體厚板光刻膠 JT-3001:國產(chǎn)技術(shù)助力 PCB 行業(yè)升級

JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻,成為國產(chǎn) PCB 電路板制造推薦材料。
吉田半導(dǎo)體自主研發(fā)的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,適用于高密度 PCB 制造。其無鹵無鉛配方通過歐盟 RoHS 認(rèn)證,已應(yīng)用于華為 5G 基站主板量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國產(chǎn)原材料與全自動化工藝,批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%,幫助客戶提升生產(chǎn)效率 20%,加速國產(chǎn) PCB 行業(yè)技術(shù)升級,推動 PCB 行業(yè)國產(chǎn)化進(jìn)程。
中山水油光刻膠負(fù)性光刻膠生產(chǎn)原料。

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關(guān)鍵工藝流程

 涂布與前烘:

? 旋涂或噴涂負(fù)性膠,厚度可達(dá)1-100μm(遠(yuǎn)厚于正性膠),前烘溫度60-90℃,去除溶劑并增強(qiáng)附著力。

 曝光:

? 光源以**汞燈G線(436nm)**為主,適用于≥1μm線寬,曝光能量較高(約200-500mJ/cm2),需注意掩膜版與膠膜的貼合精度。

 顯影:

? 使用有機(jī)溶劑顯影液(如二甲苯、醋酸丁酯),未曝光的未交聯(lián)膠膜溶解,曝光的交聯(lián)膠膜保留。

 后處理:

? 后烘(Post-Bake):加熱(100-150℃)進(jìn)一步固化交聯(lián)結(jié)構(gòu),提升耐干法蝕刻或濕法腐蝕的能力。

 差異化競爭策略
高級市場(如ArF浸沒式光刻膠),吉田半導(dǎo)體采取跟隨式創(chuàng)新,通過優(yōu)化現(xiàn)有配方(如提高酸擴(kuò)散抑制效率)逐步縮小與國際巨頭的差距;在中低端市場(如PCB光刻膠),則憑借性價比優(yōu)勢(價格較進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%)快速搶占份額,2023年P(guān)CB光刻膠市占率突破10%。

 前沿技術(shù)儲備
公司設(shè)立納米材料研發(fā)中心,重點(diǎn)攻關(guān)分子玻璃光刻膠和金屬有機(jī)框架(MOF)光刻膠,目標(biāo)在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)EUV光刻膠的實(shí)驗(yàn)室級突破。此外,其納米壓印光刻膠已應(yīng)用于3D NAND存儲芯片的孔陣列加工,分辨率達(dá)10nm,為國產(chǎn)存儲廠商提供了替代方案。
封裝工藝中的光刻膠(如干膜光刻膠)用于凸塊(Bump)和再布線層(RDL)制作。

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正性光刻膠

  • 半導(dǎo)體分立器件制造:對于二極管、三極管等半導(dǎo)體分立器件,正性光刻膠可實(shí)現(xiàn)精細(xì)的圖形化加工,滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時,正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度,能精確刻畫器件的結(jié)構(gòu),提高器件性能。
  • 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)制造:MEMS 器件如加速度計(jì)、陀螺儀等,結(jié)構(gòu)復(fù)雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟,可在硅片等材料上制作出高精度的微結(jié)構(gòu),確保 MEMS 器件的功能實(shí)現(xiàn)。


光刻膠的保質(zhì)期通常較短(6~12個月),需嚴(yán)格管控運(yùn)輸和存儲條件。中山水油光刻膠

正性光刻膠在曝光后溶解度增加,常用于精細(xì)線路的半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)。貴州正性光刻膠報(bào)價

關(guān)鍵工藝流程

 涂布:

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無氣泡(旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm)。

 前烘(Soft Bake):

? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強(qiáng)附著力(避免顯影時邊緣剝離)。

 曝光:

? 光源匹配:

? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。

? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準(zhǔn)分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。

? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。

? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。

 顯影:

? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。

 后烘(Post-Exposure Bake, PEB):

? 化學(xué)增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應(yīng),提高分辨率和耐蝕刻性。
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