磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術之一，磁控濺射鍍膜技術正普遍應用于透明導電膜、光學膜、超硬膜、抗腐蝕膜、磁性膜、增透膜、減反膜以及各種裝飾膜，在**和國民經濟生產中的作用和地位日益強大。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性，沉積速率，靶材利用率等方面的問題是實際生產中十分關注的。解決這些實際問題的方法是對涉及濺射沉積過程的全部因素進行整體的優(yōu)化設計，建立一個濺射鍍膜的綜合設計系統(tǒng)。薄膜厚度均勻性是檢驗濺射沉積過程的較重要參數之一，因此對膜厚均勻性綜合設計的研究具有重要的理論和應用價值。用真空磁控濺射鍍膜設備可在車窗玻璃鍍涂二氧化鈦，這個鍍層可以賦予車窗自清潔效果。湖南金屬磁控濺射用途

熱式氣體流量控制器在雙靶磁控濺射儀的應用：雙室磁控濺射沉積系統(tǒng)是帶有進樣室的高真空多功能磁控濺射鍍膜設備。它可用于在高真空背景下，充入高純氬氣，采用磁控濺射方式制備各種金屬膜、介質膜、半導體膜。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。本公司生產的DC系列的數字型熱式氣體流量控制器在該設備中使用，產品采用全數字架構，新型的傳感制作工藝，通訊方式兼容：0-5V、4-20mA、RS485通訊模式，一鍵切換通訊信號，操作簡單方便。上海高溫磁控濺射原理磁控濺射既降低濺射過程中的氣體壓力，也同時提高了濺射的效率和沉積速率。

影響磁控濺射鍍膜結果的因素：1、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數的選擇對于涂層生長速率和涂層質量都有很大的影響.其中濺射功率的設定對這兩方面都有極大的影響.2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體形成等離子體.在保證濺射功率固定的情況下,分析氣壓對于磁控濺射的影響。磁控濺射鍍膜的產品優(yōu)點：1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;2、可以根據基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時保持與原始材料相似的組成。

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點：1、基片溫度低?？衫藐枠O導走放電時產生的電子，而不必借助基材支架接地來完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。2、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕。磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低（只20％-30％的利用率）。因此，想要提高靶材利用率，需要通過一定手段將磁場分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動，也可提高靶材利用率。磁控濺射特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材。

真空磁控濺射為什么必須在真空環(huán)境？濺射過程是通過電能，使氣體的離子轟擊靶材，就像磚頭砸土墻，土墻的部分原子濺射出來，落在所要鍍膜的基體上的過程。如果氣體太多，氣體離子在運行到靶材的過程中，很容易跟路程中的其他氣體離子或分子碰撞，這樣就不能加速，也濺射不出靶材原子來。所以需要真空狀態(tài)。而如果氣體太少，氣體分子不能成為離子，沒有很多可以轟擊靶材，所以也不行。只能選擇中間值，有足夠的氣體離子可以轟擊靶材，而在轟擊過程中，不至于因為氣體太多而相互碰撞致使失去太多的能量的氣體量。所以必須在較為恒定的真空狀態(tài)下。此狀態(tài)根據氣體分子直徑和分子自由程計算。一般在0.2-0.5Pa之間。有些鍍膜要用到射頻電源，如功率大，需做好屏蔽處理。湖南金屬磁控濺射原理

磁控濺射是眾多獲得高質量的薄膜技術當中使用較普遍的一種鍍膜工藝。湖南金屬磁控濺射用途

中頻磁控濺射鍍膜技術已逐漸成為濺射鍍膜的主流技術。它優(yōu)于直流磁控濺射鍍膜，因為它克服了陽極的消失并削減或消除了靶材的異常電弧放電。直流磁控濺射適用鍍膜設備，適用于筆記本電腦，手機外殼，電話，無線通信，視聽電子，遙控器，導航和醫(yī)療工具等，全自動控制，配備大功率磁控管電源，雙靶替換運用，恒定流輸出。獨特的工件架設計合理，自傳性強，產量大，成品率高。膜層的厚度能夠通過石英晶體厚度計測量，并且能夠鍍覆準確的膜厚度。這兩種類型的磁控濺射鍍膜機在市場上被普遍運用。湖南金屬磁控濺射用途

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