真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬、半導體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空鍍鉻等。真空電鍍工藝中，ABS、PC以及TPU等材質(zhì)的使用較為普遍，但如果在注塑成型的過程中素材表面有脫模劑等油污的話，在真空電鍍之后罩UV光油時，表面會出現(xiàn)油點、油窩以及油斑等不良缺陷。真空鍍膜是一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)，在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。此項技術(shù)首先用于生產(chǎn)光學鏡片，如航海望遠鏡鏡片等；后延伸到其他功能薄膜，唱片鍍鋁、裝飾鍍膜和材料表面改性等，如手表外殼鍍仿金色，機械刀具鍍膜，改變加工紅硬性。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。真空鍍膜機大功率脈沖磁控濺射技術(shù)的脈沖峰值功率是普通磁控濺射的100倍，在1000~3000W/cm2范圍。肇慶真空鍍膜

真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個弧斑存在極短時間，爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點處的鍍料，蒸發(fā)離化后的金屬離子，在陰極表面也會產(chǎn)生新的弧斑，許多弧斑不斷產(chǎn)生和消失，所以又稱多弧蒸發(fā)。較早設(shè)計的等離子體加速器型多弧蒸發(fā)離化源，是在陰極背后配置磁場，使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(Hall)加速對應(yīng)效應(yīng)，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜，離化率較高，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產(chǎn)生多弧斑，所以也稱多弧蒸發(fā)離化過程。肇慶真空鍍膜真空鍍膜中離子鍍的鍍層無氣泡。

為了獲得性能良好的半導體電極Al膜，我們通過優(yōu)化工藝參數(shù)，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過理論計算和性能測試，分析比較了電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點。考慮Al膜的致密性就相當于考慮Al膜的晶粒的大小，密度以及能達到均勻化的程度，因為它也直接影響Al膜的其它性能，進而影響半導體嘩啦的性能。氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團在基片表面遷移率的增加而增加。由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學活性等因素。

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來看，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢，因而被普遍應(yīng)用，這是因為：反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳氫化合物等)通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，從而達到通過調(diào)節(jié)薄膜的組成來調(diào)控薄膜特性的目的。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)的一種。

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術(shù)和化學氣相沉積技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質(zhì)的熱蒸發(fā)，或受到離子轟擊時物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象，實現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復性好等優(yōu)點。同時，物理的氣相沉積技術(shù)由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下?；瘜W氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類，即物理的氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學氣相沉積（CVD）技術(shù)。梅州真空鍍膜工藝

真空鍍膜鍍料的氣化：即通入交流電后，使鍍料蒸發(fā)氣化。肇慶真空鍍膜

通過PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問題，不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力，在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時存在多種形式的應(yīng)力。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì)、空位、晶粒邊界、錯位等)、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等.對于薄膜應(yīng)力主要有以下原因：1.薄膜生長初始階段，薄膜面和界面的表面張力的共同作用；2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產(chǎn)生熱應(yīng)變；3.薄膜和襯底間點陣錯配而產(chǎn)生界面應(yīng)力；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產(chǎn)生壓應(yīng)力；5.斜入射造成各向異性成核、生長；6.薄膜內(nèi)產(chǎn)生相變或化學組分改變導致原子體積變化 肇慶真空鍍膜

廣東省科學院半導體研究所成立于2016-04-07年，在此之前我們已在微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)中有了多年的生產(chǎn)和服務(wù)經(jīng)驗，深受經(jīng)銷商和客戶的好評。我們從一個名不見經(jīng)傳的小公司，慢慢的適應(yīng)了市場的需求，得到了越來越多的客戶認可。公司業(yè)務(wù)不斷豐富，主要經(jīng)營的業(yè)務(wù)包括：微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等多系列產(chǎn)品和服務(wù)?？梢愿鶕?jù)客戶需求開發(fā)出多種不同功能的產(chǎn)品，深受客戶的好評。公司秉承以人為本，科技創(chuàng)新，市場先導，和諧共贏的理念，建立一支由微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)專家組成的顧問團隊，由經(jīng)驗豐富的技術(shù)人員組成的研發(fā)和應(yīng)用團隊。在市場競爭日趨激烈的現(xiàn)在，我們承諾保證微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)質(zhì)量和服務(wù)，再創(chuàng)佳績是我們一直的追求，我們真誠的為客戶提供真誠的服務(wù)，歡迎各位新老客戶來我公司參觀指導。