干法刻蝕種類(lèi)很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類(lèi)型來(lái)劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕，如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復(fù)性好，細(xì)線條操作安全，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，無(wú)化學(xué)廢液，處理過(guò)程未引入污染，潔凈度強(qiáng)。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過(guò)程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過(guò)程（如離子銑），物理化學(xué)過(guò)程，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。表面硅MEMS加工技術(shù)利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來(lái)形成各種微結(jié)構(gòu)。山東半導(dǎo)體器件加工步驟

表面硅MEMS加工工藝主要是以不同方法在襯底表面加工不同的薄膜，并根據(jù)需要事先在薄膜下面已確定的區(qū)域中生長(zhǎng)分離層。這些都需要制膜工藝來(lái)完成。制膜的方法有很多，如蒸鍍、濺射等物理的氣相淀積法（PVD）、化學(xué)氣相淀積法（CVD）以及外延和氧化等。其中CVD是微電子加工技術(shù)中較常用的薄膜制作技術(shù)之一，它是在受控氣相條件下，通過(guò)氣體在加熱基板上反應(yīng)或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術(shù)可以分為常壓（APCVD）、低壓（LPCVD）、等離子體增強(qiáng)（PECVD）等不同技術(shù)。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導(dǎo)體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質(zhì)膜，以及高分子膜和金屬膜等。由于在表面硅MEMS加工技術(shù)中較常用到的是多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜，而它們通常采用LPCVD或PECVD來(lái)制作。福建超表面半導(dǎo)體器件加工方案晶圓的主要加工方式為片加工和批加工，即同時(shí)加工1片或多片晶圓。

刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來(lái)講，刻蝕成了通過(guò)溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來(lái)剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱(chēng)，成為微加工制造的一種普適叫法。

一種半導(dǎo)體器件加工設(shè)備,其結(jié)構(gòu)包括伺貼承接裝置,活動(dòng)機(jī)架,上珩板,封裝機(jī)頭,扣接片,電源線,機(jī)臺(tái),伺貼承接裝置活動(dòng)安裝在機(jī)臺(tái)上,電源線與封裝機(jī)頭電連接,上珩板與活動(dòng)機(jī)架相焊接,封裝機(jī)頭通過(guò)扣接片固定安裝在上珩板上,本發(fā)明能夠通過(guò)機(jī)臺(tái)內(nèi)部的小功率抽吸機(jī)在持續(xù)對(duì)抽吸管保壓時(shí),能夠在伺貼承接裝置旋轉(zhuǎn)的過(guò)程中,將泄口阻擋,并將錯(cuò)位通孔與分流管接通,可以令其在封裝過(guò)程中對(duì)于相互鄰近的半導(dǎo)體器件的封裝位置切換時(shí),對(duì)產(chǎn)生的拖拉力產(chǎn)生抗拒和平衡,從而降低封裝不完全半導(dǎo)體元器件的產(chǎn)出。半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝流程主要有4個(gè)部分，即晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試。

光刻機(jī)的主要性能指標(biāo)有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對(duì)準(zhǔn)精度、曝光方式、光源波長(zhǎng)、光強(qiáng)均勻性、生產(chǎn)效率等。分辨率是對(duì)光刻工藝加工可以達(dá)到的較細(xì)線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統(tǒng)、光刻膠和工藝等各方面的限制。對(duì)準(zhǔn)精度是在多層曝光時(shí)層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫(xiě)式。曝光光源波長(zhǎng)分為紫外、深紫外和極紫外區(qū)域，光源有汞燈，準(zhǔn)分子激光器等。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。MEMS加工技術(shù)：傳統(tǒng)機(jī)械加工方法指利用大機(jī)器制造小機(jī)器,再利用小機(jī)器制造微機(jī)器。河南功率器件半導(dǎo)體器件加工平臺(tái)

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。山東半導(dǎo)體器件加工步驟

用硅片制造晶片主要是制造晶圓上嵌入電子元件(如電晶體、電容、邏輯閘等)的電路，這是所需技術(shù)較復(fù)雜、投資較大的工藝。作為一個(gè)例子，單片機(jī)的加工工序多達(dá)幾百道，而且需要的加工設(shè)備也比較先進(jìn)，成本較高。盡管細(xì)節(jié)處理程序會(huì)隨著產(chǎn)品類(lèi)型和使用技術(shù)的改變而發(fā)生變化，但是它的基本處理步驟通常是晶圓片首先進(jìn)行適當(dāng)?shù)那逑?，然后?jīng)過(guò)氧化和沉淀處理，較后通過(guò)多次的微影、蝕刻和離子植入等步驟，較終完成了晶圓上電路的加工和制造。山東半導(dǎo)體器件加工步驟