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吉林氧化鉿吸入防護(hù)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2021-11-02

氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,目前只有美、法等國(guó)家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國(guó)早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,通常用作光學(xué)鍍膜材料,很少量開始試用于高效集成電路,氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大,捕Chemicalbook獲中子的能力強(qiáng),化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段,在光透過氧化鉿薄膜時(shí),對(duì)光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。氧化鉿的MSDS。。。。吉林氧化鉿吸入防護(hù)

氧化鉿為白色立方晶體,比重9.68。熔點(diǎn)2,758±25℃。沸點(diǎn)約5,400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1,475~1,600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無機(jī)酸,但在氫氟酸中緩慢溶解。化學(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2],與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),與碳在1,500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。安徽有口碑的氧化鉿氧化鉿的分子量是多少?

在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成,但是對(duì)此研究較少。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體,比重9.68。熔點(diǎn)2,758±25℃。沸點(diǎn)約5,400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1,475~1,600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無Chemicalbook機(jī)酸,但在氫氟酸中緩慢溶解?;瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2],與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),與碳在1,500℃以上作用形成碳化鉿HfC。

中文名二氧化鉿外文名Hafnium(IV)oxide別名氧化鉿(IV)化學(xué)式HfO2分子量210.49CAS登錄號(hào)12055-23-1EINECS登錄號(hào)235-013-2熔點(diǎn)2758℃沸點(diǎn)5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠(yuǎn)紅外波段材料

性質(zhì)白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。 氧化鉿的生產(chǎn)方法有那些?

產(chǎn)品特點(diǎn):白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和9.68g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。產(chǎn)品應(yīng)用:二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的危險(xiǎn)性符號(hào)?湖北氧化鉿直銷價(jià)格

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