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天津化學試劑氧化鉿

來源: 發(fā)布時間:2021-11-23

應用領(lǐng)域金屬鋯及其化合物的原料用于制金屬鋯和鋯化合物、制耐火磚和坩鍋、高頻陶瓷、研磨材料、陶瓷顏料和鋯酸鹽等主要用于壓電陶瓷制品、日用陶瓷、耐火材料及貴重金屬熔煉用的鋯磚、鋯管、坩堝等。也用于生產(chǎn)鋼及有色金屬、光學玻璃和二氧化鋯纖維。還用于陶瓷顏料、靜電涂料及烤漆。用于環(huán)氧樹脂中可增加耐熱鹽水的腐蝕。耐火材料氧化鋯纖維是一種多晶質(zhì)耐火纖維材料。由于ZrO2物質(zhì)本身的高熔點、不氧化和其他高溫優(yōu)良特性,使得ZrO2纖維具有比氧化鋁纖維、莫來石纖維、硅酸鋁纖維等其他耐火纖維品種更高的使用溫度。氧化鋯纖維在1500℃以上超高溫氧化氣氛下長期使用,最高使用溫度高達2200℃,甚至到2500℃仍可保持完整的纖維形狀,并且高溫化學性質(zhì)穩(wěn)定、耐腐蝕、抗氧化、抗熱震、不揮發(fā)、無污染,是目前國際上**前列的一種耐火纖維材料。ZrO2的耐酸堿腐蝕能力**強于SiO2和Al2O3。不溶于水,溶于硫酸及氫氟酸;微溶于鹽酸和硝酸。能與堿共熔生成鋯酸鹽。氧化鉿是怎么制備而來的?天津化學試劑氧化鉿

性質(zhì)白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和10.43g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

應用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。 山東氧化鉿CAS#氧化鉿的操作注意事項?

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。安全信息安全說明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關(guān)編碼28259085毒理學數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面:刺激皮膚和粘膜在眼睛上面:刺激的影響致敏作用:沒有已知的敏化現(xiàn)象。存儲方法常溫密閉,陰涼通風干燥,合成方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。

CAS號:12055-23-1英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HfO2;Hafnia;dioxohafniuM;Hafnia,felt;HAFNIUMOXIDE;Hafniaparalvei;HAFNIUM(+4)OXIDE;Hafniabulkfiber;HAFNIUMChemicalbook(IV)OXIDE;hafniumoxide(hfo2)中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿;氧化鉿粉;氧化鉿氈;納米氧化鉿;納米二氧化鉿;氧化鉿25G;氧化鉿布,緞紋;氧化鉿纖維散棉;氧化鉿(IV);氧化鉿(III)CBNumber:CB5737990分子式:HfO2分子量:210.49氧化鉿化學性質(zhì)熔點:2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形態(tài):powder顏色:Off-white氧化鉿的應用領(lǐng)域有那些?

二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料,因其較高的介電常數(shù)值(~20),較大的禁帶寬度(~5.5eV),以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm,以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題,隨著晶體管的尺寸縮小,二氧化硅介質(zhì)要求必須越來越薄,但Chemicalbook是漏電流的數(shù)值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的生產(chǎn)方法有那些?海南氧化鉿直銷價格

氧化鉿的精確質(zhì)量是多少?天津化學試劑氧化鉿

氧化鉿性質(zhì)熔點2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數(shù)據(jù)庫12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學物質(zhì)信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿(HfO2)是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在,一種是無定型狀態(tài),另外兩種為晶體。在<400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時,可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿Chemicalbook繼續(xù)加熱至450~480℃,開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。天津化學試劑氧化鉿

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