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廣東氧化鉿的安全風(fēng)險

來源: 發(fā)布時間:2021-11-24

氧化鉿是一種化學(xué)物質(zhì),分子式是HfO?。中文名氧化鉿,外文名:Hafnium(IV)oxide,中文別名氧化鉿(IV),CAS:12055-23-1,EINECS:235-013-2,分子量:210.4888,毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面:刺激皮膚和粘膜在眼睛上面:刺激的影響致敏作用:沒有已知的敏化現(xiàn)象。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。合成方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用途用于光譜分析及催化劑體系,耐熔材料。氧化鉿的生態(tài)學(xué)資料?廣東氧化鉿的安全風(fēng)險

產(chǎn)品特點:白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和9.68g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。氧化鉿 性質(zhì)熔點 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。產(chǎn)品應(yīng)用:二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。山東氧化鉿近期價格氧化鉿的熔點是多少?

性質(zhì)白色粉末,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,10.1和10.43g/cm3。熔點2780~2920K。沸點5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。

應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。

二氧化鉿(HfO2)是鉿元素的一種氧化物,常溫常壓下為白色固體?;拘畔⒅形拿趸x英文名Hafnium(IV)oxide別稱氧化鉿(IV)化學(xué)式HfO2分子量210.49CAS登錄號12055-23-1熔點2758℃沸點5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠紅外波段材料,應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的運輸注意事項?

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氧化鉿的安全性描述?廣東氧化鉿的安全風(fēng)險

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產(chǎn)方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。安全信息安全說明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關(guān)編碼28259085應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時產(chǎn)生有氧化鉿。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,價格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,通常用作光學(xué)鍍膜材料,很少量開始試用于高效集成電路,氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,捕獲中子的能力強,化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價值。自上世紀以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,特別是它對光有比較寬的透明波段,在光透過氧化鉿薄膜時,對光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。廣東氧化鉿的安全風(fēng)險

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