二氧化鉿(HfO2)是鉿元素的一種氧化物，常溫常壓下為白色固體?；拘畔⒅形拿趸x英文名Hafnium(IV)oxide別稱氧化鉿(IV)化學(xué)式HfO2分子量210.49CAS登錄號(hào)12055-23-1熔點(diǎn)2758℃沸點(diǎn)5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠(yuǎn)紅外波段材料，應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。氧化鉿的CAS登錄號(hào)是多少？浙江氧化鉿危險(xiǎn)說(shuō)明

常用名氧化鉿英文名hafniumoxideCAS號(hào)12055-23-1分子量210.48900密度9.68沸點(diǎn)N/A分子式HfO2熔點(diǎn)2812oCMSDS閃點(diǎn)N/A。

氧化鉿用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。儲(chǔ)存條件常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計(jì)算化學(xué)1、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：04、拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：34.15、重原子數(shù)量：36、表面電荷：07、復(fù)雜度：18.38、同位素原子數(shù)量：09、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：013、共價(jià)鍵單元數(shù)量：1 質(zhì)量好氧化鉿作用用途氧化鉿是指二氧化鉿嗎？

中文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSChemicalbookBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來(lái)芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問(wèn)題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來(lái)Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來(lái)取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。氧化鉿的主要作用有哪些？

計(jì)算化學(xué)數(shù)據(jù)1、氫鍵供體數(shù)量：12、氫鍵受體數(shù)量：23、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：04、拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：34.15、重原子數(shù)量：36、表面電荷：07、復(fù)雜度：18.38、同位素原子數(shù)量：09、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：013、共價(jià)鍵單元數(shù)量：1。生態(tài)學(xué)數(shù)據(jù)通常對(duì)水是不危害的，若無(wú)**許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。氧化鉿的用途與合成方法？河南氧化鉿代理直發(fā)

氧化鉿的密度是多少？浙江氧化鉿危險(xiǎn)說(shuō)明

外觀和描述：氧化鉿是鉿的主要氧化物，通常狀況下為白色無(wú)臭無(wú)味晶體。英文名稱:hafniumdioxide中文名:二氧化鉿CASNo.:12055-23-1化學(xué)式:HfO2分子量:210.6密度:9.68克/立方厘米熔點(diǎn):約2850℃沸點(diǎn):約沸點(diǎn)5400℃2、性質(zhì)：氧化鉿是一種、無(wú)味的白色固體，不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸；化學(xué)性質(zhì)不活潑，具有薄膜特性：透光范圍～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15（500nm）～2，且高熔點(diǎn)，所以用途***。3、用途：1）金屬鉿及其化合物的原料；2）耐火材料、抗放射性涂料和特殊的催化劑；3）度玻璃涂層。浙江氧化鉿危險(xiǎn)說(shuō)明