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。不同的控制策略可以容易的被實現(xiàn),特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統(tǒng)性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質(zhì)上是模塊化的,因此通過追加更多的TCR模塊就能達到擴容的目的,當然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不具備大的過負荷能力,因為其電抗器是空心設(shè)計的。如果期望TCR承受暫態(tài)過電壓,就需要在設(shè)計TCR時加入短時過負荷能力,或者安裝附加的晶閘管投切電抗器,以備在過負荷時使用。晶閘管模塊作為電力調(diào)整器的主要組成部分,能夠精確控制電能,提高冶煉過程的自動化水平和能源利用效率。昆山使用晶閘管模塊現(xiàn)價
阻性負載:模塊標稱電流應(yīng)為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標稱電流應(yīng)為負載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值,但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±0.5V;紋波電壓≤30mV;輸出電流≥1A;常熟新型晶閘管模塊聯(lián)系方式耐高壓:能夠承受較高的電壓,適合高壓應(yīng)用。
光控晶閘管:通過光照度觸發(fā)導(dǎo)通,具有很強的抗干擾能力和良好的高壓絕緣性能。特點:體積小、效率高、壽命長。能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備。反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷。無觸點運行,無火花、無噪音。但靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,容易受干擾而誤導(dǎo)通。三、主要參數(shù)晶閘管的主要參數(shù)包括:額定電壓(V_RRM):晶閘管能夠承受的比較大反向重復(fù)峰值電壓。額定電流(I_T(RM)):晶閘管能夠承受的比較大通態(tài)平均電流。熱阻(R_thja):表示晶閘管結(jié)溫與環(huán)境溫度之間熱阻的參數(shù)。
2. urrm:反向重復(fù)峰值電壓 控制極斷路時,可以重復(fù)作用在晶閘管上的反向重復(fù)電壓。普通晶閘管一般取urrm為100v--3000v3. itav:通態(tài)平均電流 環(huán)境溫度為40℃時,在電阻性負載、單相工頻正弦半波、導(dǎo)電角不小于170°的電路中,晶閘管允許的比較大通態(tài)平均電流。普通晶閘管 itav 為1a---1000a。 4. utav :通態(tài)平均電壓 管壓降。在規(guī)定的條件下,通過正弦半波平均電流時,晶閘管陽極和陰極間的電壓平均值。一般為1v左右。 晶閘管模塊被用于加熱爐、裂解爐等電熱設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)中,實現(xiàn)了對加熱速率的精確調(diào)節(jié)。
TCR的響應(yīng)迅速,典型的響應(yīng)時間為1.5~3個周期。實際的響應(yīng)時間是測量延遲、TCR控制器的參數(shù)和系統(tǒng)強度的函數(shù)。如果對TCR采用電壓控制的正常運行區(qū)域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現(xiàn)了補償器的硬電壓控制特性,它將系統(tǒng)電壓精確地穩(wěn)定在電壓設(shè)定值%上。正常情況下,控制器通過控制電抗器注入節(jié)點的感性無功功率,來維持節(jié)點電壓不變。當電壓升高,運行點將向右移動,控制器通過增大晶閘管閥的觸發(fā)角增大注入節(jié)點的感性無功功率,保持節(jié)點電壓。晶閘管耐壓值,普通晶閘管udrm 為 100v---3000v 。常熟新型晶閘管模塊聯(lián)系方式
控制靈活:可以通過觸發(fā)信號控制導(dǎo)通和關(guān)斷,適應(yīng)不同的控制需求。昆山使用晶閘管模塊現(xiàn)價
要使晶閘管從導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)變回阻斷狀態(tài),需要使陽極電流減小到維持電流以下,或者使陽極電壓變?yōu)榉聪颉6?、類型與特點類型:單向可控硅:具有單向?qū)щ娦?,常用于直流或單向交流電路的控制。雙向可控硅(TRIAC):相當于兩個單向可控硅反向連接,具有雙向?qū)üδ?,適用于交流電路的控制??申P(guān)斷晶閘管(GTO):具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件??焖倬чl管:開關(guān)時間短,工作頻率可達較高值,適用于高頻電路。昆山使用晶閘管模塊現(xiàn)價
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