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網(wǎng)帶爐標準

來源: 發(fā)布時間:2024-08-17

本篇介紹專業(yè)全自動HMDS真空烤箱,首先簡單介紹一下HMDS預處理系統(tǒng)的必要性:在半導體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯(lián)劑的作用。合肥真萍科技網(wǎng)帶爐專業(yè)值得信賴。網(wǎng)帶爐標準

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一、熱工系統(tǒng)1.額定溫度800℃2.較高溫度850℃3.加熱元件陶瓷外絲加熱管4.加熱功率18kw5.空爐保溫功率約9kw6.溫區(qū)個數(shù)1個7.控溫點數(shù)2點8.熱偶K分度9.控溫穩(wěn)定度±1℃(恒溫平臺)10.爐膛溫度均勻度±6℃(恒溫800℃,1h)二、冷卻系統(tǒng)1.冷卻結構無2.產(chǎn)品降溫隨爐降溫3.安全保護4.報警指示超溫、斷偶、停水、停氣等聲光報警保護5.設備安全升溫速率≤5℃/min,在半導體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要。小型網(wǎng)帶爐保養(yǎng)網(wǎng)帶爐怎樣使用?合肥真萍告訴您。

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中溫氣氛箱式爐主要用于磷酸鐵鋰正極材料等類似產(chǎn)品的高溫燒結、熱處理,下面為大家介紹一下中溫氣氛箱式爐的系統(tǒng)配置。一、熱工系統(tǒng)1.額定溫度800℃2.較高溫度850℃3.加熱元件陶瓷外絲加熱管4.加熱功率18kw5.空爐保溫功率約9kw6.溫區(qū)個數(shù)1個7.控溫點數(shù)2點8.熱偶K分度9.控溫穩(wěn)定度±1℃(恒溫平臺)10.爐膛溫度均勻度±6℃(恒溫800℃,1h)二、氣氛系統(tǒng)1.爐膛氣氛2路氮氣,流量計量程為2~20L/min;每路流量可調(diào)節(jié)2.排氣系統(tǒng)在爐膛頂部設置一個排氣囪,用于廢氣排放,廢氣3.經(jīng)過水封清洗后進入大氣中,減少對環(huán)境污染4.氧含量配氧含量分析儀分析氧含量:5.高溫狀態(tài)氧含量≤10ppm+氣源氧含量6.低溫狀態(tài)氧含量≤50ppm+氣源氧含量

真萍科技電腦式潔凈節(jié)能氮氣柜主要應用于解決晶圓片的潮濕、氧化及被其它氣體(ex阿摩利亞氣體)破壞,解決探針卡潮濕及氧化問題解決光罩的受潮問題---黃光部封裝的金線,解決液晶的受潮問題,解決線路板受潮問題。下面為大家簡單介紹一下真萍科技電腦式潔凈節(jié)能氮氣柜的過濾系統(tǒng)。1.EBM電子式EC馬達控制無塵室FFU。2.鏡面不銹鋼結構體。3.特殊導流風道設計,風壓平均,可有效提供風量,降低噪音。4.電路板控制模塊,提供安全保護裝置,運轉異常指示燈及控制干接點輸出。5.無段式風量調(diào)速器可任意調(diào)整風量大小。6.濾網(wǎng)ULPA,0.12μm,99.9995%以上的過濾效果。7.電力規(guī)格:單相220V50Hz0.95A,輸出功率150W。真萍科技為您提供定制各種尺寸網(wǎng)帶爐。

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超高真空烘箱廣泛應用于航空、航天、電子、通訊等科研及生產(chǎn)單位。確定儀器儀表、電工產(chǎn)品、材料、零部件、設備等在低氣壓、高溫單項或同時作用下的環(huán)境適應性與可靠性試驗。下面為大家介紹一下超高真空烘箱的降溫速率。1.升溫時間:①常壓時:90min(常溫~+260℃)②低氣壓0.0001pa時:180min(常溫~+260℃)2.降溫時間:3℃~10℃/min(260℃~120℃),1℃~5℃/min(120℃~常溫℃)3.降溫方式:水冷降溫4.試驗箱承壓方式:采用內(nèi)承壓方式5.壓力范圍:常壓~0.0001Pa合肥真萍科技網(wǎng)帶爐誠信經(jīng)營。燒結網(wǎng)帶爐標準

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超高真空烘箱被廣泛應用于航空、航天、電子、通訊等科研及生產(chǎn)單位,用于確定儀器儀表、電工產(chǎn)品、材料、零部件、設備等在低氣壓、高溫單項或同時作用下的環(huán)境適應性與可靠性試驗。下面為大家介紹一下超高真空烘箱的降溫速率。1.升溫時間:①常壓時:90min(常溫~+260℃)②低氣壓0.0001pa時:180min(常溫~+260℃)2.降溫時間:3℃~10℃/min(260℃~120℃),1℃~5℃/min(120℃~常溫℃)3.降溫方式:水冷降溫4.試驗箱承壓方式:采用內(nèi)承壓方式5.壓力范圍:常壓~0.0001Pa網(wǎng)帶爐標準

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