利用外光電效應(yīng)制成的光子型探測(cè)器是真空電子器件，如光電管、光電倍增管和紅外變像管等。這些器件都包含一個(gè)對(duì)光子敏感的光電陰極，當(dāng)光子投射到光電陰極上時(shí)，光子可能被光電陰極中的電子吸收，獲得足夠大能量的電子能逸出光電陰極而成為自由的光電子。在光電管中，光電子在帶正電的陽極的作用下運(yùn)動(dòng)，構(gòu)成光電流。光電倍增管與光電管的差別在于，在光電倍增管的光電陰極與陽極之間設(shè)置了多個(gè)電位逐級(jí)上升并能產(chǎn)生二次電子的電極（稱為打拿極）。從光電陰極逸出的光電子在打拿極電壓的加速下與打拿極碰撞，發(fā)生倍增效應(yīng)，然后形成較大的光電流信號(hào)。因此，光電倍增管具有比光電管高得多的靈敏度。紅外變像管是一種紅外-可見圖像轉(zhuǎn)換器,它由光電陰極、陽極和一個(gè)簡(jiǎn)單的電子光學(xué)系統(tǒng)組成。光電子在受到陽極加速的同時(shí)又受到電子光學(xué)系統(tǒng)的聚焦，當(dāng)它們撞擊在與陽極相連的磷光屏上時(shí)，便發(fā)出綠色的光像信號(hào)。光電導(dǎo)效應(yīng)是指在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài)，而引起材料電導(dǎo)率的變化的象。深圳30G PIN光電探測(cè)器廠家批發(fā)價(jià)

光電探測(cè)器是光接收器的主要器件之一，用來將光功率轉(zhuǎn)換為電流。根據(jù)系統(tǒng)的性能目標(biāo)，可以選用PIN或APD（雪崩光電二極管）光電探測(cè)器。誤碼率（BER）是用于指定通信傳輸系統(tǒng)可靠性的主要指標(biāo)，通常與接收機(jī)靈敏度值相關(guān)，該值定義了必須到達(dá)光電探測(cè)器的較小平均光功率，以實(shí)現(xiàn)所需的BER性能。另外，信道的Q值可以從采樣的信號(hào)統(tǒng)計(jì)中計(jì)算出來，并用于估計(jì)系統(tǒng)的誤碼率。光電探測(cè)器在定義基本通信系統(tǒng)的較終靈敏度方面起著重要的作用，因?yàn)樗陨椩肼暫蜔嵩肼暤男问教峁┙y(tǒng)計(jì)擾動(dòng)，并引入了暗電流及定義響應(yīng)率來衡量每單位輸入功率獲得多少電輸出。這些特性取決于入射光的波長(zhǎng)和傳感器的材料特性和物理設(shè)計(jì)。深圳16GHZ PIN光電探測(cè)器產(chǎn)品所謂相干調(diào)制，就是利用要傳輸旳信號(hào)來改變光載波旳頻率、相位和振幅。

光電探測(cè)器，屬于光線傳感器的一種，它常用于攝像頭和其他成像設(shè)備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案，并通過這些圖案創(chuàng)造出圖像。不同的光電探測(cè)器用于感知光譜的不同部分。例如，夜視眼鏡中使用的光電探測(cè)器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測(cè)器應(yīng)用于攝像頭，這些攝像頭通過環(huán)境中化學(xué)物質(zhì)反射光線的方式來辨別它們。光電探測(cè)器的多功能程度主要取決于三個(gè)因素：運(yùn)行速度、感知低強(qiáng)度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來說，如果工程師們改善了這三個(gè)因素中的某一個(gè)，那么另外兩個(gè)因素中就會(huì)至少有一個(gè)變得惡化。

光電探測(cè)器的基本工作機(jī)理包括三個(gè)過程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。當(dāng)探測(cè)器表面有光照射時(shí)，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價(jià)帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時(shí)，光波的能量隨著傳播會(huì)逐漸衰減，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測(cè)試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當(dāng)本征吸收開始時(shí)，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對(duì)于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時(shí)導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。根據(jù)器件對(duì)輻射響應(yīng)的方式不同，光電探測(cè)器可分為兩大類：一類是光子探測(cè)器；另一類是熱探測(cè)器。

利用內(nèi)光電效應(yīng)制成的光子型探測(cè)器是用半導(dǎo)體材料制成的固態(tài)電子器件，主要包括光電導(dǎo)探測(cè)器和光伏型探測(cè)器等。光電導(dǎo)探測(cè)器具有光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時(shí)，光子能夠?qū)r(jià)帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對(duì),這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)。光伏型探測(cè)器通常由半導(dǎo)體PN結(jié)構(gòu)成，其原理是利用PN結(jié)的內(nèi)建電場(chǎng)將光生載流子（用光照射半導(dǎo)體時(shí)，若光子的能量等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度，則價(jià)帶中的電子吸收光子后進(jìn)入導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)）掃出結(jié)區(qū)而形成信號(hào)。當(dāng)探測(cè)器受到光照(輻照)、體內(nèi)發(fā)生本征光吸收時(shí)，產(chǎn)生兩種帶相反電荷的光生載流子（電子和空穴）。這兩種光生載流子一開始局限于光照區(qū)，隨后由于存在濃度梯度，其中一部分?jǐn)U散到PN結(jié)區(qū)，在PN結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，分別聚集到結(jié)的兩端，形成電壓信號(hào)。如PN結(jié)兩端連成一個(gè)回路，則形成電流信號(hào)。熱探測(cè)器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高，從而改變了它的電學(xué)性能。深圳30G PIN光電探測(cè)器廠家批發(fā)價(jià)

光電探測(cè)器在光通信系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)將光轉(zhuǎn)變成電的作用。深圳30G PIN光電探測(cè)器廠家批發(fā)價(jià)

相干光通信系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)如下圖所示。在發(fā)送端，采用外調(diào)制方式將信號(hào)調(diào)制到光載波上進(jìn)行傳輸。當(dāng)信號(hào)光傳輸?shù)竭_(dá)接收端時(shí)，首先與一本振光信號(hào)進(jìn)行相干耦合，然后由平衡接收機(jī)進(jìn)行探測(cè)。相干光通信根據(jù)本振光頻率與信號(hào)光頻率不等或相等，可分為外差檢測(cè)和零差檢測(cè)。前者光信號(hào)經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后獲得的是中頻信號(hào)，還需二次解調(diào)才能被轉(zhuǎn)換成基帶信號(hào)。后者光信號(hào)經(jīng)光電轉(zhuǎn)換后被直接轉(zhuǎn)換成基帶信號(hào)，不用二次解調(diào)，但它要求本振光頻率與信號(hào)光頻率嚴(yán)格匹配，并且要求本振光與信號(hào)光的相位鎖定。深圳30G PIN光電探測(cè)器廠家批發(fā)價(jià)

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