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濟南雙向可控硅模塊配件

來源: 發(fā)布時間:2022-06-21

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時,負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導通的時間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間,就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。

這樣,在U2的每個正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α;在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ,改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現了可控整流。 淄博正高電氣有限公司在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。濟南雙向可控硅模塊配件

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選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。


  所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。


  可控硅模塊的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數應符合應用電路(指門極的控制電路)的各頂要求,不能偏高或偏低,否則會影響可控硅模塊的正常工作。

上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇,希望對您有所幫助。 遼寧小功率可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司不斷提高產品的質量。

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正高可控硅擁有體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結構重復性好,裝置的機械設計可以簡化,價格比分立器件低等諸多優(yōu)點,受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前,正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點,應用于各行業(yè),**省內外地區(qū)。 

可控硅模塊的分類   

可控硅模板從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1),二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時,方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點開關。 淄博正高電氣有限公司以發(fā)展求壯大,就一定會贏得更好的明天。

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可控硅模塊特點:

1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復峰值電壓)和VRRM(反向重復峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。

2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,它與結溫有關,結溫越高,則IH越小。

5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關鍵參數。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 淄博正高電氣有限公司堅持“顧客至上,合作共贏”。遼寧小功率可控硅模塊廠家

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雙向可控硅晶閘管使用中,應特別注意以下事項:


1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優(yōu)點很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:

(1)外加電壓下允許超過正向轉折電壓,否則控制極將不起作用;

(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來??;

(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護措施,一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側或直流側,當在交流側時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態(tài)過程產生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。


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