晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又可稱(chēng)做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極，陰極和門(mén)極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。晶閘管的種類(lèi)晶閘管有多種分類(lèi)方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類(lèi)晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。（二）按引腳和極性分類(lèi)晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類(lèi)晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型。其中。正高電氣尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。山東MTAC600晶閘管智能模塊價(jià)格

    使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。若一次起動(dòng)不成功，即自動(dòng)調(diào)頻電路沒(méi)有抓住中頻電壓反饋信號(hào)，此時(shí)，它激信號(hào)便會(huì)一直掃描到比較低頻率，重復(fù)起動(dòng)電路一旦檢測(cè)到它激信號(hào)進(jìn)入到比較低頻段，便進(jìn)行一次再起動(dòng)，把它激信號(hào)再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動(dòng)成功，重復(fù)起動(dòng)的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號(hào)，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號(hào)，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號(hào)。經(jīng)IC7A隔離放大后，驅(qū)動(dòng)逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時(shí)鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時(shí)又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動(dòng)頻率表。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時(shí)鐘的比較高頻（即逆變它激信號(hào)的比較高頻率），W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù)。另外，當(dāng)發(fā)生過(guò)電壓保護(hù)時(shí)，IC6內(nèi)部的過(guò)電壓保護(hù)振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖，使逆變橋的4只晶閘管均導(dǎo)通。IC4A為起動(dòng)失敗檢測(cè)器，其輸出控制IC6內(nèi)部重復(fù)起動(dòng)電路。過(guò)電流保護(hù)信號(hào)經(jīng)Q3倒相后，送到IC6的20P，整流觸發(fā)脈沖：驅(qū)動(dòng)“”LED批示燈亮和驅(qū)動(dòng)報(bào)警繼電器。過(guò)電流觸發(fā)器動(dòng)作后，只有通過(guò)復(fù)位信號(hào)或通過(guò)關(guān)機(jī)后再開(kāi)機(jī)進(jìn)行“上電復(fù)位”，方可再次運(yùn)行。威海MTAC600晶閘管智能模塊配件正高電氣從國(guó)內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。

晶閘管智能模塊過(guò)流保護(hù)：

加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升，會(huì)導(dǎo)致加熱絲變形，如果加熱絲沒(méi)有采取良好的固定措施，會(huì)慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊，形成短路，短路后會(huì)使電流增大，電流過(guò)大后會(huì)超過(guò)模塊的額定電流，燒毀模塊，為了限制電流過(guò)大，必須采取過(guò)流保護(hù)措施，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來(lái)限制比較大電流，熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流，快速熔斷器額定電流過(guò)大將起不到保護(hù)作用。

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無(wú)接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開(kāi)了大門(mén)。所以，在工作原理上磁控軟起動(dòng)和晶閘管軟起動(dòng)是完全相同的。說(shuō)磁飽和軟起動(dòng)能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動(dòng)所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動(dòng)的快速性比晶閘管慢一個(gè)數(shù)量級(jí)。對(duì)于電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)的大慣性來(lái)說(shuō)，磁控軟起動(dòng)的慣性是不足為慮的。有人說(shuō)磁控軟起動(dòng)不產(chǎn)生高次諧波，這是錯(cuò)誤的。只要飽和。就一定會(huì)有非線(xiàn)性，就一定會(huì)引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會(huì)比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動(dòng)裝置需要有相對(duì)較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動(dòng)晶閘管軟起動(dòng)產(chǎn)品的問(wèn)世是當(dāng)今電力電子器件長(zhǎng)足進(jìn)步的結(jié)果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動(dòng)將引發(fā)軟起動(dòng)行業(yè)的一場(chǎng)**。晶閘管軟啟動(dòng)器主要性能優(yōu)于液阻軟起動(dòng)。與液阻軟起動(dòng)相比，它體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，維護(hù)量小，功能齊全，菜單豐富，起動(dòng)重復(fù)性好，保護(hù)周全，這些都是液阻軟起動(dòng)難以望其項(xiàng)背的。正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項(xiàng)對(duì)制造、檢測(cè)、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造。

    而稱(chēng)之為主電極T1、T2。[15]檢測(cè)單向晶閘管：萬(wàn)用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G，紅表筆接陰極K，測(cè)量其正向電阻，應(yīng)有較小的阻值。對(duì)調(diào)兩表筆測(cè)其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。測(cè)量控制極G與陽(yáng)極A之間的正、反向電阻，均應(yīng)為無(wú)窮大。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián)，不論正、反向均不應(yīng)導(dǎo)通，否則晶閘管已壞。[16]檢測(cè)雙向晶閘管：萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋，兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應(yīng)為較小阻值。測(cè)量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應(yīng)為無(wú)窮大。[17]檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性：萬(wàn)用表置于“R×1Ω”擋，黑表筆接陽(yáng)極A，紅表筆接陰極K，表針指示應(yīng)為無(wú)窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽(yáng)極A短接一下（短接后即斷開(kāi)），表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。檢測(cè)雙向晶閘管導(dǎo)通特性：黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應(yīng)為無(wú)窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說(shuō)明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）的作用，并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品，完善的服務(wù)與尊敬的用戶(hù)攜手并進(jìn)！山東MTAC600晶閘管智能模塊價(jià)格

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    以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門(mén)極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽(yáng)極比較大可關(guān)斷電流IATM與門(mén)極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說(shuō)明門(mén)極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔，測(cè)量任意兩腳間的電阻，*當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時(shí)，電阻呈低阻值。山東MTAC600晶閘管智能模塊價(jià)格

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